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  • 硅片的大小,直径约8英寸也用来指a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
  • 硅片直径约12英寸的硅片大小也用来指a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
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一个

  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。实例包括从除去铜粒子化学机械抛光淤浆或转化液态或气态流出物的毒性进入安全形式处置。
  • 在接受电子的半导体中的杂质。硼是用于在掺杂硅初级受体离子注入处理。
  • 存储单元用于暂时地存储在一个生产线中的工作进度。
  • 离子注入的过程,通过该原子被引入到一个晶体管来修改其材料性能的一部分;在最常见的应用,掺杂剂原子成为电活性的,即充电载体被创建并注入区的导电率增加。
  • 当掺杂剂原子注入,硅晶体格子被破坏,或非晶化。晶格使用随后修复RTP公司,在该过程中掺杂剂离子占据晶格和电荷取代位置载体被建造。
  • 甲类型的显示器使用电致发光的阵列有机发光二极管像素通过受控薄膜晶体管
  • AMOLED显示器的每个像素直接产生光,不像TFT-LCD其中整个显示器被从后面由背光照亮并选择性通过薄膜晶体管控制液晶的每个像素处的偏振允许的。
  • 相比于TFT-LCD的AMOLED显示器的主要优点是,由于“关”像素不消耗功率,总功率消耗是显著更低。
  • 一种二元掩模使用不透明的MoSi层作为光吸收层。极薄的铬层被放置在顶部,并用作硬面具对于蚀刻工艺。也玻璃(OMOG)光掩模被称为不透明的MoSi。
  • 一种薄膜沉积技术,其中材料在时间沉积的材料的单层的一小部分。
  • 一个pvd过程在低压和大进行目标-to晶圆的距离以创建沉积物质的定向通量。
  • 一种工艺美术具有蚀刻至不同的深度,以便引入在透射光的180度相移,以改善对比度,因此投影图像的晶片上的分辨率的石英衬底的区域。
  • 微芯片内的铝途径,使晶体管和其他电路元件之间的连接。
  • 离子注入,磁体用于分析离子物质,并选择基于原子量所需的离子。
  • 长度单位;一米的十十亿分之一。
  • 甲高温处理步骤设计来修复在晶片的晶体结构中的缺陷或诱导相变。
  • 离子注入的开口,通过该离子束被引导,其限定光束的形状和大小前进。
  • 的光吸收层(通常氮化钛),沉积在金属或多晶硅的顶部,以改进平版印刷性能。
  • 深度的长宽比的电路特征的诸如通过要么接触
  • 一种工艺美术其允许通过某些区域被透射的光的量小与光从掩模的透明部分来,其目标再次提高了晶片上的对比度的干涉。
  • 在PV模块制造,高压釜被用于去除截留的空气,并通过对所述模块于升高的温度和压力提高层压薄膜和玻璃基板之间的粘附性。
  • 其具有移动盒,豆荚,或一个载体传输机械手的任何设备片盒并从固定设备。
  • 通过使用这样一种技术晶圆检验系统由此缺陷置于基于它们的物理和光学性质几类。
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  • 覆盖的太阳能的整个背表面上的金属层光伏细胞和作为导体。
  • 也用于指先进的电池设计,例如EWT公司其中单元的两个端子都位于晶片的背面侧,从而增加了电池的光收集面积,因而提高了转换效率。
  • 一个薄膜太阳能电池模块,它提供了刚性和电绝缘性的底层。电流从模块通过所提取的接线盒其通过在背面玻璃中的孔连接到电路。
  • 在抽真空过程中加速由加热的真空系统或组件的表面的脱气技术。用于减少达到特高压压力所花费的时间。
  • 除了需要使功能太阳能光伏发电系统的太阳能电池组件,包括安装结构,布线,逆变器,土地和维护的组件。
  • 物理层设计成防止在阻挡层之上和之下的层混杂的。
  • 多于一个的晶片同时治疗,相对于单晶片(串行)处理的处理序列。
  • 离子注入,在离子束的任何不希望的物种或离子电荷。
  • 在离子注入机的终端站的扫描电流,定义为在光束的种类的数量,速度和电荷的乘积。
  • 晶体管制造之后通过晶片完成之前电测试的一系列工艺步骤。也称为半导体制造的后端。术语后端也被用来指芯片制造的那些部分将晶片完成后,即,后切割,包装和测试。
  • 在LED制造,器件的晶片,以满足所需的规格为波长上进行的比例,光效正向电压
  • 如何紧密堆积的存储器单元的测量是在一个存储器装置的基板的给定区域。
  • 一般来说,较高的位密度是可取的,因为它往往以提高性能和降低成本每比特。
  • 在每平方英寸的比特来测量。
  • 通过该信息被写入行/从存储单元中读取到/。
  • 在使用的参数沉积描述的处理的相比,晶片的顶表面中的电路特征的底部上沉积材料的能力,或领域。它被定义为在球场上在给定的特征的底部由膜厚度除以膜的厚度的比率。
  • 通过掺杂的SiO由非晶绝缘材料2个用硼,磷,以提高耐湿性和回流特性。
  • 一个缺陷检查从缺陷反射的技术,其收集光,从而在其中一个缺陷出现在白色背景暗的图像。一般来说,明系统都比较敏感,但慢黑暗地带检查。明场检测通常用于找到晶体管制造过程中图案化缺陷。
  • 通过人员在一个破旧共体服装洁净室以减少微粒和污染物的释放到空气中。
  • 在薄膜PV模块,相对大的导带,收集从单独的太阳能电池的功率。
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C类

  • 到其上的材料可存储电荷的程度。
  • 用于临时存储电荷的电组件。它包括由非导电分隔开的两个导电表面的电介质
  • 电子或携带通过导电材料或半导体材料的电荷。
  • 的度量,通常单位为cm指定2个/ V·s的如何快速电荷载流子(电子的,或)可以通过半导体响应于所施加的电场移动。一材料的电导率成比例迁移率乘以载流子的浓度。高迁移率是非常可取的在半导体器件中,因为它通过更快的晶体管开关导致更高的器件性能。
  • 用于输送晶片(通常为25)和从工具A的金属或塑料开放容器。盒防止损坏晶片,可以通过直接操作引起的。
  • 使用镉 - 碲化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池的一个类别。
  • 在蚀刻中使用的参数来描述的精度蚀刻处理。光盘u被定义为重复特征的尺寸的从它的标称值的变化(光盘)在跨越几个点处测量基底

计算流体力学,流体力学的一个分支,它使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题,

  • 离子注入中,当在光束一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶片和穿透比其他离子更深发生窜。窜是不可取的,因为植入物的深度不能精确地计算或控制。可以通过倾斜或旋转晶片,覆盖其表面与屏蔽氧化物,或预非晶化的硅可减少窜。
  • 的电子的利用原子粒子的损失,以离子化的原子。
  • 硒化铟铜:一种类型的薄膜太阳能电池材料的使用铜,铟,硒的化合物。第四个元素,镓,也可以被加入到化合物(CIGS)以实现更高的效率
  • 在晶圆厂其中空气被调节,以除去空气中的颗粒,可以防止半导体装置的正确功能的区域。
  • 一个金属氧化物半导体装置由成对的对 -通道和n沟道晶体管。
  • 也用来指家庭用于构建集成电路该功能的CMOS晶体管的制造工艺的。
  • 使用研磨剂,化学活性料浆的方法,物理研磨的局部处理过的晶片上的微观地形特征,使得随后的处理可以从平坦的表面开始。也被称为化学机械抛光。
  • 一个离子注入技术,该技术植入两个物种到材料的相同区域中,为了提高掺杂区域的电性能,典型地,以提高晶体管的性能。
  • 例如,非掺杂剂原子,例如氟或氮可以共同植入掺杂剂如硼生产超浅管理办公室晶体管频道改进的掺杂剂激活并从掺杂到未掺杂的区域中的非常尖锐的过渡。
  • 该包装的底面平行于所述印刷电路板的表面降落
  • 液晶平板显示器的层,其被划分成的透明区域的红色,绿色和蓝色,其中的每一个覆盖其上的关闭到全范围的颜色的晶体管。
  • 利用计算机系统和软件,以帮助创建,修改或2D或3D设计分析。
  • 使用电脑的制造方法来控制整个生产过程中,允许各个步骤,以交换信息和发起行动。
  • 包含移动电荷载体,例如电子或离子的材料。
  • 形成第一之间的电通路在一个芯片上的特征互连层和所述晶体管。这个区域通常填充钨。
  • 在RF等离子体代,是指一种波形即维持恒定的频率和幅度,而不是“脉冲”输送,如果电源被调制,通常是两个不同的幅度之间,在一个频率在100-1000Hz范围内。
  • 一个互连使用结构铜作为导电材料,从而提供改进的器件速度,并与铝互连相比更低的功率消耗。
  • 一个掺杂的过程,沉积含材料的共形层的所需掺杂剂物种,然后使用热过程,以驱动掺杂剂,以受控的深度在下面的电路结构。C类第页丁提供掺杂复杂,3D结构的装置。兴奋剂是传统上由执行离子注入,轰击用掺杂剂离子以高速移动晶片。然而,线的视距此轰击过程不能提供三维结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子可以破坏在尖端芯片的超薄半导体层。C类第页丁的目的是解决这两个问题。
  • 光刻,CD是最小特征尺寸是在待图案化晶圆。在其它的半导体工艺,CD是一个特征中的横跨若干点中发现的尺寸基底用于描述给定的过程的准确度或其他特性。
  • 不期望的效果,即在电路元件的信号,诸如互连线,影响附近的另一个电路的信号。在半导体中,耦合是通常的结果寄生电容两个电路之间。
  • A型二次真空泵,通过低温冷冻并吸收它们捕获气体分子。低温泵是能够产生一个非常高的真空,但必须定期进行再生,即允许返回到环境温度以解吸和抽走所捕获的气体种类。
  • 具有布置以有序周期阵列原子的材料。
  • 用于太阳能电池技术的通用术语,它使用纯化硅的衬底中的晶体结构。
  • 一种用于通过暴露沉积薄膜工艺基底到一种或多种挥发性前体,其反应和/或分解在基板表面上。
  • 的时间用于晶片所需要的量通过制造过程的特定部分来处理。
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  • 使用的一类技术离子注入用于通过有意破坏硅晶体结构来控制的半导体器件的电特性。
  • 特别地,损伤工程用于控制的深度,其掺杂剂通过调节离子扩散剂量率,采用低温注入,和/或使用共植入物种类。
  • 在具有非常小的几何形状制造晶体管,损伤工程用于启用增强性能的技术,例如源极漏扩展预硅化物应变工程
  • 一种不反射、不吸收能量的无机物质电介质在金属或多晶硅表面沉积一层以改善平版印刷性能。
  • 一个缺陷检查利用探测器收集散射光使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于发现晶圆片上的粒子互连制造。与布莱特菲尔德检查。
  • 波长在300nm以下的紫外光谱部分。
  • 缺陷位于有图案的晶圆片上的工艺。缺陷位置的列表被创建并传递给A扫描电镜以供查阅及分类。
  • 一种扫描电子显微镜用于在晶圆制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 在基板上沉积一层薄的绝缘或导电材料的过程。
  • 概述集成电路设计和布局的几何形状和连接性限制的规则。
  • 在半导体制造技术中,用于制造功能电路的硅片区域。在每个晶圆片上都制作了数百个相同的模具(可选复数为die和dice)。
  • 一个绝缘体
  • 也更具体地用于指可能被外加电场极化的绝缘体。半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO)2个)和氮化硅(Si)n个4个).
  • 离子注入器上的大圆锥形轮,用于在过程中容纳晶圆离子注入。晶圆片安装在磁盘的每个“辐条”的末端。当圆盘旋转时,每个晶圆片依次通过离子束,离子束被径向扫描以提供一个均匀的剂量在每个晶片。
  • 为了改变某些固有特性,如电阻率或熔点,在一定数量范围内加入一种杂质。在半导体中加入掺杂剂后,所产生的材料主要为负极(N型)或正(P型)载流子取决于掺杂剂的种类。
  • 含有。的粘性液体或悬浮液掺杂剂材料。
  • 杂质的引入,或掺杂剂。进入材料的晶格来改变其电学性质。创建n型区域,砷(As),砷(AsH))、磷化氢(PH常用的有锑和锑。对于p型区域,很典型掺杂剂硼(B)、二氟化硼(BF2个)和三氟化硼(BF).
  • 总金额掺杂剂以离子/厘米2个需要给予植入晶圆片所需的电性能。
  • 一种精密的电流测量装置,用来计算注入晶圆片的离子总数。该功能有时与均匀性监测相结合。
  • 一种用于太阳能的技术光伏制造过程中,接触线或其他结构建立在多个,精确对齐的丝网印刷操作。
  • 例如,应用双打印包括制造更窄,更高的接触线和选择性射极细胞类型。
  • 一种利用感应耦合产生氮等离子体并将氮加入超薄栅氧化物的表层以增加栅介质的介电常数的方法。
  • 一种等离子体光源主要用于分离等离子体密度和离子能量管理的蚀刻应用,导致高的蚀刻率和最小的等离子体对基板的损伤。
  • 一种易失性计算机存储器,每个位元存储在一个单独的电容器中。由于电容器随时间自放电,每个位的状态必须每秒刷新约15次,因此称为“动态”。与“静态”闪存
  • DRAM提供了所有类型内存中最快的编程,这使得它非常适合直接连接微处理器作为主内存。
  • 一个大马士革设计成同时用铜形成和填充两个特征的过程,例如,a沟槽覆盖一个通过可以用单个铜沉积步骤来填充两者。
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E类

  • 在太阳能光伏技术中,入射太阳能转化为电能的部分。
  • 在导体中由离子运动引起的物质运动,这种运动产生于导电电子与扩散的金属原子之间的动量转移。
  • 金属从化学溶液中除去并沉积在带电表面的沉积过程。也称为电化学镀、电镀或电沉积。
  • 电解是通过电流将液体分离成不同化学成分的过程。
  • 一种带负电荷的稳定亚原子粒子,用作电的载体。
  • 离子注入,一种电子源,位于晶圆附近的终端站,用于中和正电荷注入离子产生的不希望的电荷积聚,这种电荷积聚会损坏敏感的电路特性。
  • 电子(或质子,同样大小的电荷)通过一伏特的电压差所获得的能量。在离子注入,ev被用来测量粒子的动量。与动量较小的粒子相比,动量较大的粒子将更深入半导体晶格。
  • 没有电流流动的静态电压场。在离子注入,它是指利用电压使离子束弯曲或聚焦。
  • 一种高级的反向接触光伏电池。在发射极穿透电池结构中,连续发射极通过数千个直径小于100μm(微米)的激光钻孔通孔扩散,将电流带到电池背面。通过消除前接触,EWT增强了光吸收,提高了电池效率。
  • 一个光束线某些变量中使用的元素离子注入机它同时将离子束减速到最终能量,并过滤离子束以去除会“玷污”晶体管的多余高能成分通道,导致漏电流增加,性能下降。
  • 用来比较门的性能的数字电介质通过指示氧化硅膜的厚度需要与使用的介电材料产生相同的效果的材料。
  • 一个数字用来比较高k介电mos栅和基于sio2的mos栅的性能。它显示出厚度相同的介电常数k的厚度较厚的SiO 2电介质所需要的栅栅氧化层的厚度,例如,使用10纳米厚的电介质时,1 K的厚度为k=39(k为3.9)。
  • 一种沉积或生长单晶薄膜的方法,其中所沉积的薄膜具有与衬底相同的晶格结构和取向。这就为制造半导体器件提供了一个高纯度的起点。
  • 一个空气污染指数监视处理工具以提供可视化和统计报告工具以识别瓶颈并提高工厂性能的技术。
  • 通过化学反应或物理轰击去除特定区域内材料的过程。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或真空(干)下(通常使用等离子体)来生成气相反应物。
  • 蚀刻处理,通常以_/s或nm/s表示。
  • 用来限制蚀刻深度和保护底层材料。选择ESL是为了抵抗正在使用的蚀刻化学。
  • 一个平版印刷13.5nm euv照明技术。它代表着与哑巴光刻技术,因为所有的光学元件都必须在反射模式下工作,并且整个光学系统必须保持真空。
  • 离子注入所述提取电极用于从所述源中提取带正电荷的离子。离子离开源,结合下游形成束用于植入。掺杂剂变成硅片。
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F型

  • 半导体制造厂的通用名称,用于制造集成电路的工厂。
  • 也称为嵌入式晶圆级球栅阵列。一种芯片封装方案,其中封装不是在硅片上创建的,而是在由成型材料(如环氧树脂)制成的人造晶片上创建的。芯片之间的距离通常大于硅片上的距离。在芯片周围形成互连,并从芯片垫到互连进行电气连接。可以在任意距离(扇出设计)的封装上创建任意数量的附加互连,使得该方案非常适合于芯片面积不足以将所需数量的互连放置在适当距离的空间敏感应用。
  • 一个空气污染指数利用过程状态模型推断故障发生和位置并诊断故障原因的技术。
  • 集成电路制造的第一部分,包括晶体管制造。feol通常涵盖所有的内容,包括(但不包括)沉积联络和金属互连层。“前端”一词有时用来指整个过程中完成的晶圆。
  • 一种晶体管,依靠电场来控制半导体材料中载流子的流动。
  • 一种安装在半导体加工系统前端的超清洁外壳,用于将晶片传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于沉积用于描述晶圆上表面与电路特征表面(如低于上表面的沟槽和通孔)不同的应用。
  • finfet是一种场效应晶体管其中指挥通道在三个侧面被一个薄的硅“鳍”包围,形成晶体管的栅极。尽管从技术上来说,这个术语只指一种具有两个栅极的设计,但它通常被用来描述任何多门晶体管结构,而不管栅极的数量如何。
  • finfet的主要设计目标是在晶体管处于“关”状态时减少电流泄漏。
  • 一种非易失性存储技术,不需要电源来保存数据,与德拉姆。“flash”这个名字来源于这样一个事实,即内存被擦除并以大的块进行编程,每次从数百位到数千位。这种无法寻址单个位的能力使得直接连接到微处理器的速度太慢,但是flash的机械健壮性和低成本使其成为移动设备中大容量存储的理想选择。
  • 任何用户显示设备,如液晶显示器要么阿莫莱德与阴极射线管显示器的弯曲前端形成鲜明对比的是,它有一个平面。
  • 是一种将半导体器件(如集成电路芯片和微电子机械系统(mems))与外部电路互连的方法,该电路的焊点已沉积在芯片焊盘上。
  • 物理性质在空间中的流动,通常也随时间变化。
  • 在LED技术中,为产生特定的光输出所需的穿过LED端子的电压。也就是低于此电压LED将不会产生任何光。
  • 一种带有固定盒式磁带的容器,具有与自动物料处理系统一起使用的前开口接口(阿姆斯).使用foup可以减少晶圆上的粒子数,因为foup的内部与周围的fab环境隔离。
  • 掺杂SiO制备的非晶态绝缘材料(K=3.5)2个在铜互连层之间经常使用氟。又称氟硅酸盐玻璃。
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  • 代词,代名词,用于平板显示器描述玻璃尺寸的制造基底
  • 每一代都比它的前辈大80%。
一代 典型尺寸(mm) 面积(m2) 介绍

第二代

400 x 500个

0.2分

1993年

第三代

620 x 750毫米

0.5分

一千九百九十五

第4代

730 x 920英寸

0.7分

2000年

第5代

1000 x 1200个
1200 x 1300个

1.2款
1.6款

2002年

第5.5代

1300 x 1500个

2.0条

2004年

第6代

1500 x 1850

2.8条

2003年

第7代

1870 x 2200毫米

4.1款

2004年

7.5代

1950 x 2250英寸

4.4条

2005年

第8代

2160 x 2460个

5.3条

2006年

第8.5代

2200 x 2500个

5.7条

2007年

第10代

2880 x 3130英寸

9.0条

2008年

  • 一种程序,包括在工人进入洁净室前洗手和戴上手套、头套、口罩、鞋套和其他专用服装。
  • 洁净室外的支持区或服务区,允许服务人员在不进入洁净室的情况下进行日常维护。
  • 一个缺陷检查利用探测器收集中、大角度散射光,使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于发现光学分辨率以外的小图案缺陷。与布莱特菲尔德检查。
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小时

  • 一个面具比光刻胶更耐腐蚀,在更高的腐蚀时使用选择性比使用光刻胶所能达到的还要多。
  • 一种等离子体,具有高浓度的自由电子和高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强心血管病在高真空和高等离子体激励电压下进行,以提高填充小高宽比结构的能力。
  • 一类离子注入机产生最高束流,通常超过3毫安。越大的束流,所需的速度越快剂量达到,导致更高的晶圆吞吐量。1K之间的离子能量电动汽车100kev是典型的。
  • 一类发光二极管产生足够的光以用于照明应用。应用领域包括液晶显示器背光、室内照明和汽车外部照明。一个LED到底有多亮才能被认定为“高亮度”还没有很好的定义。最简单的定义是太亮而不能直接看。
  • 在半导体中,空穴是没有电子存在于晶格中的电子。它可以被认为是电子的对立面,正电荷的大小与电子完全相同。如果在电场中,一个电子进入这个空位,那么这个空穴实际上是朝相反的方向移动的。
  • 与半导体制造设备通信的智能工厂系统。在半导体领域,秒/宝石使用协议。
  • 已知容易失败的地区
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  • 一种等离子体源,其能量由电磁感应产生的电流提供,即通常从真空外壳外部施加的时变磁场。
  • 一种半导体材料,用于形成通道高性能的薄膜晶体管对于的活动层液晶显示器S.相比非晶硅中,传统的信道材料,IGZO的较高电子迁移率允许晶体管更快地切换,从而实现更高分辨率的显示器具有更快的刷新率。
  • 一个平版印刷分辨率增强技术,该技术与液体介质替换最后透镜和晶片表面之间的通常的空气间隙,例如水。
  • 离子注入中,离子束和晶片表面之间的入射角度。

在半导体制造过程中,每一步都要检查晶圆片,以发现各种类型的缺陷(如划痕、粒子、损坏的特征)。

  • 非导电材料用于将装置或芯片的电有源区彼此隔离。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,BPSG公司PSG公司
  • 由单个硅衬底上制造了众多元件的电子设备。
  • 在该晶体管连接到彼此和外部连接的集成电路的布线。
  • 用于绝缘的IC的金属层之间使用的膜。
  • 绝缘相邻金属线之间使用薄膜。
  • 硅或充当电接口一个插座或连接之间路由到另一个扩散到更宽的间距的连接或重新路由到不同的连接的连接一些其它合适的材料制成的层。
  • 的装置,其转换DC电力从太阳能电池板,例如,交流电源与电网电力兼容。
  • 由一个或多个电子的损失或晶粒形成的带电原子或基团的原子
  • 的方法技术,其中离子掺杂剂化学品(硼,砷等)被加速在强电场穿透晶片的表面,从而改变了材料的电特性。
  • 设计成在所期望的浓度均匀地横跨衬底注入选定的掺杂剂原子,以规定的深度的工具。该技术被称为离子注入
  • 添加到或从电中性原子或分子去除多个电子中的一个的过程。一旦粒子被电离,它可以被加速,转向和以其它方式操纵使用磁或静电场,如在光束线
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J型

  • 上不同的两个半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常是指一个p-n结中,从导电性类型的变化在该P型N型
  • 在太阳能电池组件,环境外壳设计成提供用于模块的输出的连接点。
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  • 也被称为介电常数,通常用希腊字母卡帕(κ)表示。程度的表达到其上的材料集中电通量。
  • 在电子,它指的是相对于二氧化硅材料的电容。
  • 高k值允许晶体管大门到,在不增加不希望的泄漏较小。
  • 低k值是在绝缘材料期望如一个用于分离互连因为它减少电荷聚集会浪费能量作为热量,减少装置的总功率消耗。此外,低k值允许更快的信号传播,从而更快的开关速度。
  • 材料损失的在切割过程期间的量。在硅晶片的生产,切口损失是指所消耗的晶片化工艺的一部分硅的量和在确定的成本,边缘质量,和表面的晶片的光洁度至关重要的作用。
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  • 在化学术语适用于一些不断发生或可能进行变化。例如,如果在一个短寿命时间的特定的构象存在的分子,采用较低的能量构象之前,前者分子结构被认为具有“高不稳定性”。 In semiconductors, it can refer to anALD前体化学品与所述晶片的所述表面上的材料容易起反应。
  • 使用激光的技术来烧蚀的薄膜PV电池的表面以限定互连图案。
  • 原子的呈结晶固体状的有序排列。
  • 当电流流过它时发光的半导体器件。的LED由一个P-N的接合这是在当一对电荷载流子重新结合的光的光子发射这样的方式构成。
  • 一个参数主要用于光掩模蚀刻测量蚀刻工艺的精度。线性被定义为从目标偏差的范围光盘跨越特征尺寸的指定范围。
  • 一个金属的宽度互连线。
  • A型平板显示器的使用背光的阵列薄膜晶体管被称为背板来控制每个像素。
  • 的LCD的工作原理是单独地控制每一个晶体管,以允许或来自背光的阻挡光。的白色光然后穿过滤色器阵列来组装最终,全彩色图像。
  • 当像素晶体管被关断时,液晶材料90°旋转偏振光,允许其穿过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子排列的方式使光不再旋转,因此光被第二个偏振器阻挡。
  • 任何技术,提高分辨率,保真度或其他方面的平版印刷处理。
  • 把图案或图像从一种媒介转移到另一种媒介,如从a光罩对晶圆片使用a步进电机
  • 晶圆室一种用于在晶圆片的大气压之间传送晶圆片的腔室FI公司以及用于加工的真空环境。
  • 同时加工的具有相同特性的一批晶圆片。很多东西通常放在一起片盒
  • 一个心血管病在低于大气压力的环境下进行的过程。
  • 一个芯片上有3000到100000个晶体管。第一个大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 用于创建的过程多晶硅胶片制作采用两步法。第一步使用a在400-450°温度下沉积前驱体膜PECVD公司工艺,低于600-1000°低压CVD通常用于半导体制造的工艺。第二步使用an退火将前驱体转化为多晶硅的过程。
  • LTPS薄膜常用于阿莫莱德和超高分辨率TFT-LCD显示器。
  • 在发光二极管技术中,用来测量发光二极管将能量转换成电磁辐射的效率的一种方法。通常以流明每瓦(lm/W)表示。
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  • 一种图案化的材料层,用来防止正下方材料的腐蚀。也是光掩模
  • 瓦里安植入体内的质量分析磁铁被放置在来源和过程室偏转和过滤离子,使只有选定的离子进入过程室。这确保了只需要掺杂剂晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理生产环境中进行中的工作材料的运输和存储。
  • 一类离子注入机专为最大剂量一致性。束电流范围从1µa 5 ma,从5 - 600 kev能量。中电流植入器通常具有植入的能力掺杂剂植入角度从晶圆表面向下30°,使掺杂剂能够部分植入到晶圆表面现有结构的下方。
  • 非常小的机械或机电设备,如传感器和执行器,采用改进的半导体设备制造技术制造。
  • 一种软件控制系统,用于在制造环境中管理和监视在制品。
  • 心血管病要么pvd在芯片上用于互连器件的高导电性金属层的沉积。通常使用的金属包括铝、钨和铜等。
  • 确定尺寸、数量或容量的测量科学;在晶圆加工中使用传感器和测量设备来确定物理和电学性能的技术和程序。
  • 一种薄膜硅与非常小(0.5 2µm)硅晶体与非晶硅混杂在一起。通常是存入一薄层(通常1-3µm)串联(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 根据不同密度以不同速率刻蚀相同特征的现象(例如,密集,半密集)相对于开放区域的特征。
  • (µm或千分尺)长度单位;百万分之一米。
  • 一种集成电路,其中包含算术、逻辑和控制电路。
  • 为使晶圆片不受污染(如硅片、硅片、硅片等)而形成的外壳或环境福普
  • MOCVD是外延用于沉积化合物半导体薄膜的工艺,尤指用于制造高亮度LED和电力电子产品。在模拟化学气相沉积(MOCVD)过程中,底物表面的有机化合物(包含所需的金属和其他元素)发生化学反应。
  • 太阳能组件是最终封装的光伏发电机。在c-Si技术中,模块通常包含几十个太阳能电池连接在一起。
  • 通过生长一层二氧化硅(SiO)而获得的结构2个),然后在硅衬底上沉积一层金属或多晶硅(后者是常用的)。常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏发电技术中,一种用单晶硅颗粒铸锭的硅片。然后,这些金属锭被切成晶片,用于制造微芯片和光伏电池。
  • 中发现的一种缺陷平板显示器显示的区域显示不均匀的亮度。也被称为“云”。
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n个

  • 带负电荷的半导体材料(电子过剩)。
  • 中使用的逻辑运算符闪存它只在至少一个输入没有信号时才产生输出信号,因此是“Not AND”(与运算符的倒数)。
  • 针对半导体、太阳能和显示行业的解决方案,专注于小于100nm的尺寸。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 一些瓦里安植入器使用的一种装置,它在安装过程中测量离子束电流,并充当陷阱,捕捉在光束线
  • 在离子束中运动的粒子具有相同的能量但不再带电荷。中性粒子不受外界场的控制,以固定的速度运动,直到与真空室壁或其他粒子发生碰撞。
  • 转化成氮
  • 一个金属氧化物半导体在晶体管中,有源载流子是在静电形成的n-中在n型源和漏区之间流动的电子通道在p型硅衬底中。
  • 中使用的逻辑运算符闪存它的输出结果是OR的倒数。
  • 促进随后沉积的薄膜生长的一层薄膜。
  • A .报告的可疑缺陷缺陷检查可以忽略的系统,因为它对完成的设备的功能没有影响。抑制有害或“错误警报”缺陷是高级缺陷检查系统的关键能力。
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O型

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体栅极电介质。
  • 光子在薄膜有机半导体中由于电子-空穴相互作用而发射的一种发光装置。
  • 离子注入,晶圆的晶格结构相对于光束的方位角。在不同的东方角,不同的掺杂剂渗透深度和渠化将获得的。
  • 离子注入在美国,将离子束扫过晶圆片边缘以达到均匀的做法剂量在晶圆外围。
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第页

  • 带正电的半导体材料(电子缺陷)。
  • 所有电路元件的固有电容互连晶体管这导致他们的行为偏离“理想”电路元件。
  • 在半导体技术中,指的是导体之间的电容,这种电容的间距很窄,会导致诸如串扰
  • 寄生电容可以通过降低介电常数来降低K值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 一种垂直的条形图,其值按相对频率从左到右递减的顺序绘制。有助于分析哪些问题需要首先注意。
  • 半导体器件中的一层,在电路元件上形成密封层,作为制造的最后一步或保护化学活性材料不受反应的影响,如晶圆片在加工工具之间转移。等离子体氮化和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造中,在晶圆片上产生所需的电路几何形状。通常用来指的组合平版印刷和相关的过程,如图案薄膜沉积和蚀刻
  • 一个心血管病过程中使用等离子体能量驱动沉积。这种技术可以降低沉积温度,增加薄膜密度和纯度。
  • 一种透明的聚合物,附着在框架上以保护掩膜的图案区域不受空气污染。在曝光过程中,任何污染都在焦平面之外,因此不会在晶圆片上“打印”。
  • 一个光罩利用相位差产生的干扰来提高光刻图像的分辨率。
  • 通过掺杂的SiO由非晶绝缘材料2个与磷一起改善耐潮性和回流特性。也叫磷硅酸盐玻璃。
  • 石英(石英)板,通常为152平方毫米,覆盖不透明、透明和移相区域的图案,这些图案将投射到晶圆片上平版印刷定义集成电路的一层布局的过程。
  • 一种光敏的有机聚合物,由平版印刷,然后发展成一种模式,以确定的领域的基础上的薄膜要蚀刻。
  • 例如相邻特征中心之间的距离互连线或接触洞。
  • 任何模式技术,创建成对的,从一个单一的特征平版印刷图像与一个比原来的图像的一半,从而创造更小的模式比光刻过程能够单独。有时被错误地称为音高倍增。
  • 平板显示器技术,一种分辨率测量方法,用来描述显示器上各个像素之间的距离。通常以每英寸像素(ppi)表示。
  • 利用低选择性蚀刻或穿透使不均匀的晶圆片表面相对平坦的过程化学机械抛光
  • 物质的第四种状态——不是固体、液体或气体。在等离子体中,电子被从原子中拉出,可以独立运动。单个原子带电,即使正负电荷总数相等,保持整体电中性。
  • 绝缘层沉积在完成的晶体管的末端Feol公司第一种金属的加工互连形成层。
  • 第页-通道在n型硅基片中,在静电形成的p沟道中,有源载流子是在p型源区和漏区之间流动的空穴的mos晶体管。
  • 一个RTP公司用于减少栅极氧化氮化后的驱动电流损失而减少漏电流的步骤闸门叠层
  • 一种通常用于DRAM制造中的栅极电极的薄膜叠层,由钨硅化物组成多晶硅
  • 多晶硅(或半晶硅、多晶硅、多晶硅或简称“多晶硅”)是由多个小硅晶体组成的材料。广泛用作高掺杂态的导体/栅极材料。聚薄膜通常是通过使用低压CVD处理。
  • 中使用的技术离子注入用来减少渠化故意非晶化以前的地区掺杂剂注入,从而获得更均匀的掺杂剂分布。根据定义,在非晶化区域内没有沟道。预非晶化植入物通常使用惰性元素如氩来完成。
  • 金属沉积前最后一次植入。
  • 在制造集成电路或其它设备时进行的一种操作或一组连续操作。
  • 在制造集成电路或其它器件时进行单一工艺的封闭区域。
  • 优化每个流程步骤,以正确处理顺序流程中的前一步和后一步。
  • 一种触摸屏它由一组电极组成,这些电极可以检测到由导电物体(如手指或导电触笔)的存在引起的静电场的扭曲。
  • pct面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用,如智能手机和平板电脑。
  • 光转化为电的过程。太阳能光伏发电是利用太阳辐射发电。
  • 用于制造薄膜光伏组件的树脂。形成在一片玻璃上的光伏电路被一片pvb覆盖,然后后玻璃。然后将该组件层压以封装电路,保护其免受环境影响。
  • 一种工艺技术,其中导电材料(铝、氮化钛等)的原子溅射从一个目标由纯材料制成,然后沉积在基板上,在集成电路中形成导电电路,或平板显示器
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  • 由排列成圆形的四个交替标志极产生的磁场或静电场;用于聚焦带电粒子束。
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  • 一个空气污染指数允许在机器“运行”之间修改加工参数以最小化变化的技术。
  • 一种原子或一组原子,至少有一个未配对的电子,因此不稳定且高度反应。
  • 电磁辐射的频率范围从大约3 kHz到300 GHz。
  • 一种化学分析的光谱方法,依赖于单色光的非弹性(拉曼)散射。能够以非接触方式实时监测和表征化合物的反应。
  • 一个退火将晶圆加热到规定温度一段时间的过程。
  • rtp在半导体器件制造过程中重复使用,其目的如下激活植入掺杂剂或改变材料的状态(或相)以增强所需的属性(如导电性)。退火可以使用三种技术进行:浸泡、尖峰和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备在制造顺序中的特定点承受特定温度/时间暴露的公差。广义上讲,在制造周期的早期,设备可以承受较长的暴露时间(30-90秒),也称为浸泡退火。随着循环的进行,如果需要高温,必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖峰退火属于后一类,用于来源-排水植入物的活化和扩散以及高k/金属大门制造。
  • 向内倾斜的人。指侧壁为凹形的特征。
  • 特定工艺步骤的记忆参数,如气体流动温度和压力。一般来说,同一配方用于许多
  • 芯片上的额外金属层,它使集成电路可在其他位置使用,使芯片到芯片的粘合更容易。
  • 一种要求从可再生能源(如风能、太阳能、生物质能和地热)中增加能源产量的法规。同一概念的另一个通用名称是可再生电力标准(res)。
  • 测量导电材料对通过它的电流的反对程度。
  • 离子注入一种小孔径,通常直接在分析器之后发现,它将光束分解为只有一种分子或原子具有特定电荷。
  • 透明板一种扁平的透明板,用于步进电机它包含了晶圆上要复制的晶圆图案的图像。经常与光罩
  • 苹果公司的商标,用于描述像素密度高到人眼无法分辨单个像素的任何显示器。
  • 注意,这个术语与像素密度,因为它包括观察距离。对于移动电话屏幕作为视网膜显示器的资格,它应该有超过300 ppi的像素密度,但电视只需要大约50ppi。
  • 一种pvd与传统的pvd反应器相比,使用电感耦合等离子体以允许更低的离子能量的过程,从而形成一种更温和的沉积机制,可以生成非常薄的亚纳米薄膜,并几乎消除对潜在电路特性的损害。
  • 在里面离子注入一种电子束,它被限制在一个矩形的横截面中,使晶片的整个表面被覆盖在一个轴上。与必须来回扫描以覆盖晶圆的点光束相反。
  • 一种蚀刻技术,使用化学反应等离子体去除沉积在晶圆上的材料。等离子体中的高能离子与晶圆表面的物质发生反应。
  • 真空泵一种用于真空系统初始排气的机械泵这个过程叫做“粗加工”。
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S公司

  • 由应用材料创造的用来描述金莎客户端心血管病在略低于大气压的情况下使用张志贤/臭氧化学。
  • 一个双重曝光牺牲侧壁间隔膜技术节距减半。也称为侧壁间隔双图案(SSDP)或间隔定义双图案(SDDP)。
  • 自对准的收缩硅化物。硅化物加工技术寻求利用沉积在图案化硅衬底上的难熔金属在特定加工条件下选择性地与暴露的硅反应的原理,并且不会与相邻材料(如氧化硅材料)发生反应。因此,不需要图案步骤。
  • 离子注入,离子束相对于晶圆的运动,以覆盖整个晶圆表面。
  • 一种离子注入机使离子束穿过晶片,或使晶片穿过离子束。这可以通过磁场、静电场或机械运动来实现。
  • 用电子束而不是光照射样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 晶体硅太阳的光伏制造业,一种编织材料片,支撑有空白区域的模板,银浆或其他材料通过辊或刮板在晶圆上形成图案。它类似于光罩在半导体制造业。
  • 离子注入,一层薄薄的牺牲性二氧化硅层2个它可以阻止离子束中夹带的杂散离子,并随后将其移除。此外,屏幕氧化物轻微散射主离子束,从而防止。渠化
  • 一种软件协议,用于标准化半导体制造设备与主机控制系统之间的通信。它的目的是通过建立一组通用的指令来简化工厂自动化,这些指令将被绝妙的
  • 一个成核层其中成核材料与随后沉积的薄膜相同。
  • 提高晶体硅转换效率的技术光伏太阳能电池。选择性发射极是一种重掺杂区域,精确地放置在前端金属接触线的下方,以降低电接触电阻,并允许电流更自由地流动。掺杂区通常是通过沉积掺杂膏在晶圆表面,然后在上面打印接触线。
  • 两种材料在蚀刻过程中观察到的蚀刻速率之比。通常用于指用于去除的材料的相对蚀刻速率和面具以及蚀刻图案保真度的重要度量。
  • 一种材料,其导电性介于金属(导体)和绝缘体(非导体)之间,可通过添加掺杂剂
  • 其易于分解成硅和氢的气体,硅烷往往用来沉积含硅化合物。它也与氨反应形成氮化硅,或者用氧以形成二氧化硅。
  • 导致的金属 - 硅合金(硅化物)形成的退火(烧结)过程中充当接触。例如Ti沉积在Si上形成的TiSi2作为硅化的结果。
  • 硅的带正电荷的元素的化合物。镍,钽,钛和钴的硅化物膜被用于创建晶体管连接的欧姆(低电阻)的触点。硅化钼是通常用作光吸收层掩模。硅化钨(多聚物)被用于DRAM的栅电极。
  • 最常见的电介质在半导体制造中使用的材料,由于它的多功能性和稳定性。也简称为“氧化物”,它可以在硅晶片上通过热氧化生长方向或通过沉积PECVD公司要么HDP-CVD型流程。
  • 使用等离子体增强或LPCVD硅/氮薄膜介质沉积。有时笼统地称为氮化硅。
  • 用于高功率磁控管源pvd赋予足够的能量给等离子体,使得处理溅射金属原子被离子化。金属离子随后可以向使用电场在晶片加速,从而在小几何结构的更定向沉积图案和由此更高的阶梯覆盖。
  • 源 - 掩模优化(SMO)是使用的分辨率增强技术平版印刷以补偿由于像差,衍射或处理效果图像误差。
  • 在半导体制造中使用的层状硅 - 绝缘体 - 硅衬底。S公司O型I衬底提供降低的寄生电容在集成电路中的相邻器件之间相比,内置到散装晶片设备,使减少的功率消耗并且因此更高的器件性能。
  • 由太阳光的能量直接转换成电能的装置光伏影响。多细胞连接在一起,形成模块
  • 公用事业规模光伏电站。
  • 一个lightly-掺杂从延伸区域来源要么排水入晶体管通道设计了一个晶体管器件的操作期间展开的电场。不包括扩展名,在非常小的晶体管的电场可能足以损坏栅极电介质而导致器件失效。
  • 离子注入用于创建源极 - 漏极扩展处理是一个例子损伤工程
  • 一种用于通过将统计技术的过程的监测和控制提高质量控制在制造方法。
  • 静止冷却的金属板中,位于植入物盘的顶部,即期间捕获的离子束过扫描
  • 当不同的食谱内使用许多为了实验的目的,以提高特定工艺步骤的性能,的地段被称为分割很多。
  • 沉积,其中原子从固体排出的膜的方法目标材料由于通过高能粒子靶的轰击。
  • 光伏晶片制造,使用专门的切割硅锭成矩形块的过程线锯。平方块或砖,然后切成在各个晶片飘荡处理。
  • A型的计算机存储器,其中每个位被存储通常为6或8个晶体管,其具有两个稳定状态的一个网络。
  • SRAM单元是复杂的,消耗的芯片比更大的面积德拉姆细胞,但速度更快,更节能。
  • 微处理器和其它逻辑芯片通常制造成具有上模具用作高速缓冲存储器的SRAM单元,用来存储访问最频繁的指令和数据。
  • 的上的特征的膜的厚度的侧面膜厚的底部(例如,在一个通孔)或分别(例如,鳍式场效应晶体管的鳍)在特征的顶部的比率。
  • 设备用来传输光罩(光罩)图案到晶片上。相同的图案被转印到每个死亡在晶片。
  • 一种技术从它的邻居,每个晶体管或存储器单元隔离,以防止电流泄漏。该技术采用在硅刻蚀沟槽的图案,填充有绝缘材料,例如二氧化硅。
  • 在半导体制造中使用的方法会引入应力到晶体管和存储单元由扭曲晶体格子。在逻辑,这使得电力能够更容易地通过所述晶体管移动,增加晶体管的性能。在存储器中,应变还可以减少漏电流,从而允许更高的单元密度。
  • 一种用于电锯为了提高切割速度而形成或卷曲成锯齿状或类似形状的东西。
  • 操纵薄膜的材料。硅最常用于半导体和c-si光伏电池。玻璃通常用于液晶显示器和薄膜光伏应用。
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T型

  • 一种太阳能光伏电池类型,使用多种光转换材料来提高转换效率。例如,串联结薄膜硅电池无定形的硅和微晶层。
  • pvd,目标是要沉积的材料的来源。由于高能粒子的轰击,原子从目标中喷出。
  • 掺杂在诸如平板显示器、触摸板和光电器件的光电器件中的掺杂金属氧化物膜。在lcd中,tco层形成电极,产生电场使液晶极化。在触摸屏中,TCO层用于传感电极。在光伏,TCO形成电池的顶部电极。
  • 通过超薄样品传输电子束的透射电子显微镜。它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率要高得多。
  • 一种用于氧化物沉积的液体源,Tetraethyl orthosilicate是与
    公式Si(oC2个小时5个4个
  • 终端效应是电化学沉积这样沉积的薄膜在晶圆边缘比中心厚。由于晶圆的电阻,负端与晶圆边缘向中心接触时产生电压降。这种阻力的主要成分是种子层在晶圆上沉积pvd电镀前。种子层在每个工艺节点处变薄,增加了晶片的电阻率,加剧了终端效应。这种效应可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿,该系统可以调节施加在晶圆上的电压,从而在晶圆上均匀沉积。
  • 一层从纳米级到几微米厚的材料。
  • 一个场效应晶体管采用薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶圆的数量工具每小时可处理。
  • 指半导体加工设备。
  • 在半导体技术中,由于在晶圆表面制造特征而产生的非平面性。这可能会对后续层的图案产生重大影响,因为步进电机光学系统可能导致部分图案不符合规格。也用于描述不同材料去除率导致的不均匀性化学机械抛光
  • 一种计算机接口,用于检测在典型的矩形区域上是否存在触笔或手指。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏
  • 显示器一种显示器,如TFT-LCD要么阿莫莱德包含一个触摸屏使用户能够直接与显示的图像交互,而不是通过鼠标或轨迹球间接交互。
  • 一个工具它集成了半导体制造中处理光刻胶(沉积、软烘焙、曝光、显影、硬烘焙)所需的几个步骤。
  • 一种半导体器件,用于开关和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 蚀刻在晶圆上的槽,用作器件结构的一部分。
  • 电容器内置于沟槽在基底上。这种技术允许在不增加晶圆上形成电容所需的面积的情况下增加电容。
  • 一种二次真空泵用来制造高真空度。高速涡轮叶片与固定叶片交替,将气体分子压缩到泵的底部,由粗加工泵去除。
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u

  • 分辨率为3840 x 2160像素的数字视频格式。
  • UHD也称为2160p和4k,其像素是传统高清1080p视频的四倍。
  • 半导体制造业的一个领域,其重点是降低接合处形成了来源排水先进的晶体管区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积过程,通过焊点将模具连接到基板。
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  • 低于大气环境的压力,通常指特定的压力范围:
  • 粗真空,从大气到1 x 10- 3托尔
  • 高真空,从1 x 10- 3Torr到1 x 10-9个托尔
  • 超高真空(UHV)–低于1 x 10-9个托尔
  • 离子注入,用于将固态离子源材料转换为气态以产生离子束的装置。
  • 穿过介电层的垂直通路互连层。
  • 一个芯片上有10000到1000000个晶体管。这个术语通常被扩展到描述晶体管数目大于10000的芯片。诸如超大规模集成(ultra-large-scale integration,ulsi)等其他术语也被创造出来,但不再被广泛使用。
  • 也称为3d nand阵列。
  • 一类闪存多个二维存储单元阵列垂直分层在单个基板上的体系结构(与使用晶圆级封装).
  • vnand是一种增加钻头密度不一定要减小每个细胞的大小。
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西

  • 单叶片薄的、圆形的或几乎方形的单叶片多晶体制造半导体和光伏电池的硅。
  • 把硅锭或砖块分成晶圆的过程。
  • 由金属或石墨制成的保护衬垫,安装在波导管。不需要的离子在这些衬层上释放能量。
  • 辊涂技术的另一个名称,其中材料薄膜沉积在柔性材料辊上。
  • 一种在两个处理步骤之间使用液体化学从基板上去除不需要的材料或污染物的过程。
  • 能够均匀地分布在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 在硅片制造过程中,使用移动的金属丝执行三个关键步骤的机器。
  1. 切割-去除单晶硅锭的锥形端
  2. 方正-将圆柱形切下的钢锭变成矩形块或砖块。在多晶晶片制造中,这一步骤用于将大铸锭切割成砖
  3. 晶圆-将砖切割成单个晶圆
  • 所有门之间的连接晶体管在内存数组段的某一行中。
WP
  • 瓦特峰(watt peak),一种太阳能工业装置,用于在理想的辐照条件下提供太阳能电池的功率。
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是的

  • 产品的百分比(例如晶片或模具)在符合规范的工艺中生产的。
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