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γ

  • 直径约8英寸的硅片。也用于指工具设计用于加工这种尺寸的晶圆。
  • 直径约12英寸的硅片。也用于指工具设计用于加工这种尺寸的晶圆。
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  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。示例包括从化学机械抛光泥浆或将液态或气态有毒废水转化为安全形式进行处理。
  • 半导体中接受电子的杂质。硼是用于掺杂硅的主要受体。离子注入过程。
  • 一种用于在生产线中临时存储在制品的存储单元。
  • 离子注入,把原子引入晶体管的一部分以改变其材料特性的过程;在最常见的应用程序中,,掺杂剂原子开始带电,即罪名载体从而提高了植入区域的导电性。
  • 当注入掺杂物原子时,硅晶体点阵被破坏,或非晶化的.随后使用实时传输协议,在此过程中,掺杂离子占据晶格和电荷中的取代位。载体创建。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器。有机发光二极管像素由薄膜晶体管.
  • AMOLED显示器的每个像素直接产生光,不像一个TFT-LCD整个显示器由背光照亮,并由控制每个像素液晶偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • 与TFT液晶显示器相比,AMOLED显示器的主要优势在于”关闭像素不消耗能量,整体功耗明显降低。
  • 一种类型的二元光罩它使用不透明的mosi层作为吸光层。一个非常薄的Cr层放在顶部,用作硬掩模用于蚀刻工艺。也被称为不透明的mosi-on-glass(omog)光罩。
  • 薄膜沉积一次沉积一部分单层材料的技术。
  • 聚偏二氯乙烯在低压和大压力下进行的工艺目标-晶圆距离,以产生沉积物种的定向通量。
  • 一种类型的PSM将石英基板的区域蚀刻到不同深度,以便在透射光中引入180度的相移,以提高对比度,从而提高晶片上投影图像的分辨率。
  • 微芯片内的铝通路,用于连接晶体管和其他电路元件。
  • 离子注入,一种用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁铁。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 一种高温处理步骤,用于修复晶圆晶体结构中的缺陷或诱导相变。
  • 离子注入,离子束穿过的开口,它定义了离子束向前运动的形状和大小。
  • 吸光层(通常是氮化钛);沉积在金属或多晶硅上,改进光刻技术性能。
  • 电路特征的深度与宽度之比,如通过接触.
  • 一种类型的PSM允许少量光通过某些区域传输,干扰来自遮罩透明部分的光,以提高晶片对比度为目标。
  • 光伏组件制造,高压灭菌器通过使模块承受高温和高压来去除滞留的空气,并提高层压膜与玻璃基板之间的粘合性。
  • 任何设备都有一个移动磁带的载体传送机器人,豆荚,或片盒进出固定设备。
  • 一种被晶片检验系统根据缺陷的物理和光学性质,将缺陷分为几类。
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  • 覆盖太阳整个背面的金属层。光伏发电作为导体。
  • 也用于指先进的电池设计,如超声心动图电池的两个端子都位于晶圆背面,从而增加电池的集光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能组件的底层,提供刚性和电气绝缘。电流通过接线盒通过后玻璃上的孔与电路相连。
  • 在真空抽气过程中通过加热加速真空系统或部件表面脱气的技术。用于减少达到超高压压力所需的时间。
  • 除太阳能组件外,还应提供使太阳能光伏发电系统正常运行所需的组件,包括安装结构,电缆敷设,逆变器土地和维护。
  • 一种物理层,用于防止阻挡层上方和下方的层混合。
  • 同时处理多个晶圆的工艺序列,与单晶圆(系列)加工相反。
  • 离子注入,离子束中任何不需要的物质或离子电荷。
  • 离子注入机终端站的扫描电流,定义为数字的乘积,光束中物种的速度和电荷。
  • 晶体管制造到晶圆完成后的一系列工艺步骤,电气试验前。也称为半导体制造的后端。术语“后端”也用于指晶圆完成后的芯片制造部分。即划片,包装和测试。
  • 在存储设备的基片的给定区域内,对压缩存储单元的测量。
  • 一般来说,更高的比特密度是可取的,因为它往往会提高性能和降低每比特的成本。
  • 通常以每平方英寸的位来测量。
  • 在存储器单元中写入/读取信息的行。
  • 参数用于沉积描述与晶圆上表面相比,在电路特征底部沉积材料的工艺能力,或领域.它被定义为一个给定特征底部的薄膜厚度除以该区域的薄膜厚度之比。
  • 掺杂SiO制成的非晶态绝缘材料用硼和磷改善防潮和回流焊特性。
  • 缺陷检查收集缺陷反射光的技术,创建一个缺陷在白色背景下显得很暗的图像。一般来说,Brightfield系统更敏感,但比暗场检查。Brightfield检验通常用于在晶体管制造过程中发现图案化缺陷。
  • 一种全身穿着的衣服。洁净室减少颗粒和污染物向空气中的释放。
  • 在薄膜光伏组件中,从单个太阳能电池收集能量的相对较大的导电带。
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C

  • 材料储存电荷的程度。
  • 临时储存电荷的电子元件。它由两个导电面组成,由一个非导电面隔开电介质.
  • 电子或通过导电或半导体材料带电荷的。
  • 一项措施,通常以厘米为单位/v·s,电荷载体(电子或)能够响应外加电场在半导体中移动。材料的导电性与迁移率乘以载流子浓度成正比。在半导体器件中,高迁移率是非常理想的,因为它通过更快的晶体管开关实现更高的器件性能。
  • 一种金属或塑料开口容器,用于将晶片(通常为25片)运输到工具上或从工具上取下。磁带可以保护晶片不受直接处理可能造成的损坏。
  • 一种使用碲镉化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池。
  • 在蚀刻中用来描述蚀刻过程。CDU是指重复特征尺寸与其名义值之间的变化。(光盘)在多个点测量基底.

计算流体力学,流体力学的一个分支,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题,,

  • 离子注入,当光束中的一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶圆,并比其他离子穿透得更深时,就会发生沟道。由于无法精确计算或控制植入物的深度,因此不希望出现沟道。倾斜或旋转晶圆可以减少沟道,用氧化屏覆盖其表面,或者对硅进行预非晶化。
  • 原子粒子对电离原子的电子损失。
  • 铜铟二硒化物:一种使用铜化合物的薄膜太阳能电池材料,铟,硒。第四个元素,镓,也可以添加到化合物(CIGS)中以获得更高的效率.
  • 工厂中的一个区域,在那里空气被调节以除去空气中的颗粒物,这些颗粒物可能妨碍半导体器件的正常工作。
  • 金属氧化物半导体由成对P组成的装置-通道以及N通道晶体管。
  • 也用于指用于构建具有CMOS晶体管的集成电路的制造工艺系列。
  • 使用磨料的过程,化学活性泥浆,物理研磨部分加工过的晶圆上的微观形貌特征,以便随后的加工可以从平面开始。也称为化学机械抛光。
  • 离子注入将两种物质植入材料的同一区域以改善掺杂区域的电性能的技术,通常是为了提高晶体管的性能。
  • 例如,非掺杂原子,如氟或氮可与掺杂剂如硼生产超浅PMOS晶体管渠道使用改良的掺杂剂激活以及从掺杂区到未掺杂区的非常急剧的转变。
  • 包装的底面与印刷电路板的着地面平行。
  • 液晶平板显示器的一层,分为红色透明区域,绿色和蓝色,其中每一个都覆盖一个晶体管,晶体管被打开或关闭,以达到全彩色范围。
  • 利用计算机系统和软件协助创造,修改,或分析二维或三维设计。
  • 利用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息并启动操作。
  • 一种含有移动电荷载体的材料,例如电子或离子。
  • 芯片上的一种特性,它在第一个互连层和晶体管。这个区域经常充满钨。
  • 射频等离子体一代人,指保持恒定频率和振幅的波形,与“脉冲的供应被调制的交货,通常在两个不同的振幅之间,频率在100-1000Hz范围内。
  • 互连以铜为导电材料的结构,与铝互连相比,提供更高的设备速度和更低的功耗。
  • 掺杂沉积包含所需材料的保形层的过程。掺杂剂种类,然后使用一个热过程来驱动掺杂剂到基础电路结构中的控制深度。CPD提供了一种掺杂复合物的方法,三维结构。兴奋剂通常由离子注入,它用高速运动的掺杂离子轰击晶圆。然而,这种视线轰击过程不能提供均匀的3D结构掺杂。更重要的是,快速移动的离子会损坏尖端芯片中的超薄半导体层。CPD旨在解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要在晶圆.在其他半导体工艺中,CD是在基底用于描述给定过程的精度或其他特性。
  • 电路元件中的信号产生的不良影响,比如一个互连线,影响附近另一个电路中的信号。在半导体领域,耦合通常是寄生电容在两个电路之间。
  • 一种二次真空泵,通过低温冷冻和吸收气体分子来捕获气体分子。低温泵能够产生很高的真空,但必须定期进行再生。即允许返回到环境温度解吸并抽走捕获的气体种类。
  • 原子排列成有序周期阵列的物质。
  • 一种太阳能电池技术的总称,它使用晶体结构的纯硅基底。
  • 一种通过曝光来沉积薄膜的方法。基底一种或多种挥发性前体,在基底表面发生反应和/或分解。
  • 晶圆通过制造过程的特定部分进行加工所需的时间。
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D

  • 一类用于离子注入通过有意破坏硅晶体结构来控制半导体器件的电特性。
  • 特别地,损伤工程是通过调节离子来控制掺杂剂扩散的深度。剂量费率,雇用低温注入,和/或使用共种植体种。
  • 在制造具有非常小几何尺寸的晶体管时,损伤工程是用来提高性能的技术,例如源漏扩展,,预硅化物应变工程.
  • 不反光,非能量吸收,无机的电介质在金属或多晶硅上沉积的一层,用于改善光刻技术性能。
  • 波长低于300nm的紫外光谱的一部分。
  • 缺陷位于有图案的晶片上的工艺。创建缺陷位置列表并将其传递给DR-SEM供审查和分类。
  • 一种类型的扫描电子显微镜用于对晶圆制造过程中的缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 在基板上沉积一薄层绝缘或导电材料的过程。
  • 概述集成电路设计和布局的几何图形和连接限制的规则。
  • 在半导体制造业,制造功能电路的硅片区域。在每片晶圆上都制造了数百个相同的模具(可选复数是模具和骰子)。
  • 绝缘体
  • 更具体地说,也指可能被外加电场极化的绝缘体。半导体加工中常用的两种电介质是二氧化硅(SiO)和氮化硅(SiN号4
  • 批量处理离子注入机上的大圆锥轮,用于在离子注入.晶片安装在每个“的末端。“说话”磁盘的。随着磁盘旋转,每片晶片依次通过离子束,离子束被径向扫描以提供均匀的剂量在每个晶圆上。
  • 为了改变某些固有特性,一种被控制添加到材料中的杂质。如电阻率或熔点。在半导体中加入掺杂剂,形成一种主要为负的材料。(n型或阳性(P型)电荷载体取决于掺杂剂种类。
  • 杂质的引入,或掺杂剂.变成晶体点阵的一种材料来改变其电性能。要创建n型区域,砷(砷)砷化氢)磷化氢)锑(Sb)是常用的。对于P型区域,典型的掺杂剂硼(B),二氟化硼(BF)和三氟化硼(BF
  • 总金额掺杂剂以离子/cm测量需要给植入的晶片提供所需的电性能。
  • 一种精密的电流测量装置,用于计算植入晶片的离子总数。该功能有时与均匀性监测相结合。
  • 太阳能技术光伏发电多个接触线或其他结构的制造,精确校准的丝网印刷操作。
  • 双面打印的示例应用包括制作更窄的更高的接触线和选择性射极细胞类型。
  • 一种利用电感耦合产生氮等离子体并将氮加入超薄栅氧化物的上表面层以增加栅介质的介电常数的方法。
  • 一种类型的等离子体主要用于分离等离子体密度和离子能量管理的蚀刻应用的源,导致高蚀刻率和对基板的最小等离子损伤。
  • A的输出端FET.
  • 一种易失性计算机存储器,其中每一位都存储在一个单独的电容器中。因为电容器会随着时间的推移自行放电,每个位的状态必须每秒刷新大约15次,因此,“动态“.“与”静态的“闪存.
  • DRAM提供任何类型内存的最快编程,使其非常适合直接连接到用作主存储器的微处理器。
  • 大马士革一次用铜形成和填充两个特征的过程,例如。,一沟槽上覆的通过可以用一个铜沉积步骤填充这两个步骤。
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e

  • 在太阳能光伏技术方面,转换成电能的入射太阳能的一部分。
  • 由于导电电子和扩散金属原子之间的动量转移而引起的导体中离子运动引起的物质运动。
  • 从化学溶液中除去金属并沉积在带电表面的沉积过程。也称为电化学电镀,电镀,或电沉积。
  • 通过电解进行,通过电流将液体分离成不同的化学成分的过程。
  • 一种稳定的亚原子粒子,带有负电荷,用作电的载体。
  • 离子注入,晶圆附近终端站的电子源,用于中和带正电的植入离子形成的不希望的电荷,这些离子可能会损坏敏感的电路特性。
  • 电子(或质子)所获得的能量,同样大小的电荷)通过一伏特的电压差。在离子注入,ev被用来测量粒子的动量。与动量较小的粒子相比,动量较大的粒子将进一步穿透半导体晶格。
  • 没有电流流动的静态电压场。在离子注入,它是指利用电压弯曲或聚焦离子束。
  • 高级的一种背接触光伏电池。在发射极缠绕单元结构中,一个连续的发射器通过数千个直径小于100微米(微米)的激光钻孔孔扩散,将电流传到电池背面。通过消除前触点,EWT增强光吸收,提高细胞效率。
  • 也,称为范围末端位错环,EOR缺陷是直接在界面下发现的硅晶格缺陷。非晶化的晶体管的结晶区通道之后离子注入.
  • 可以使用以下方法最小化EOR缺陷:低温注入.
  • 光束线某些变量中使用的元素离子注入机同时将离子束减速至最终能量,并过滤离子束以去除不需要的高能成分。涂抹”晶体管通道,导致漏电流增大,性能下降。
  • 用于比较门性能的数字。电介质通过指示氧化硅薄膜需要多厚才能产生与所使用的介电材料相同的效果。
  • 一个用于比较高k介电MOS栅极性能和基于SiO2的MOS栅极性能的数字。它显示了获得与具有更厚介电常数k的SiO2介电体相同的栅电容所需的SiO2栅氧化物的厚度[例如,使用厚度为10纳米的介电体(K=39(SiO2的K为3.9))可产生1纳米的EOT。
  • 一种沉积方法,或成长,一种单晶薄膜,其中沉积的薄膜具有与基板相同的晶格结构和取向。这为建立半导体器件提供了一个高纯度的起点。
  • 空气污染指数监控处理工具的技术,提供可视和统计报告工具,以识别瓶颈并提高工厂性能。
  • 通过化学反应或物理轰击去除指定区域内材料的过程。该工艺可使用液相(湿)蚀刻剂或真空(干燥)下进行,通常使用等离子体来生成气相反应物。
  • 清除物料的速度蚀刻处理,通常以_/s或nm/s表示。
  • 用来限制蚀刻深度和保护底层材料。ESL的选择是抗蚀刻化学正在使用。
  • 光刻技术使用13.5nm超紫外线照明的技术。它代表了与杜夫光刻是因为所有的光学元件都必须在反射模式下工作,整个光学系统必须保持真空。
  • 离子注入,提取电极用于从源中提取带正电的离子。从源头流出的离子在下游结合形成用于植入的光束。掺杂剂变成硅片。
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f

  • 半导体制造厂的通用名称,制造集成电路的工厂。
  • 也称为嵌入式晶片级球栅阵列。芯片封装方案,其中封装不是在硅片上创建的,但在由成型材料制成的人造晶圆上(例如,环氧树脂)。芯片之间的距离通常比硅片上的距离大。芯片周围形成互连,芯片垫与互连之间形成电气连接。任何数量的额外互连都可以在包上以任意距离创建(扇出设计)。使该方案成为空间敏感应用的理想方案,在这种应用中,芯片面积不足以将所需的互连数量放置在适当的距离。
  • 空气污染指数使用过程状态模型来推断故障状态的发生和位置并诊断故障原因的技术。
  • 集成电路制造的第一部分,包括晶体管制造。Feol通常包括(但不包括)沉积联络和金属互连层。术语“前端”有时用于指整个过程中完成的晶圆。
  • 一种依靠电场来控制半导体材料中电荷载流子流动的晶体管。
  • 安装在半导体处理系统前部的超清洁外壳,用于将晶圆传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于沉积用于描述晶圆顶部表面与电路特征表面(如低于顶部表面的沟槽和通孔)不同的应用。
  • finfet是FET在那里指挥通道三面被一层薄薄的硅所包围”财务”形成晶体管的栅极。虽然从技术上讲,这一术语仅指一种带有两个门的设计,该术语通常用于描述任何多栅晶体管结构,不管门的数量。
  • finfet的主要设计目标是在晶体管处于关闭状态。
  • 一种非易失性存储技术,不需要电源来保存数据,不像动态随机存取存储器.“名字”闪光灯”这是因为内存被擦除并编程成大的块,一次从数百位到数千位。由于无法处理单个位,直接连接微处理器的速度太慢,但闪存的机械稳定性和低成本使其成为移动设备中大容量存储的理想选择。
  • 任何消费品显示设备,比如一个液晶显示器阿莫勒,有一个平面,与阴极射线管显示器的弯曲前端形成对比。
  • 是一种将半导体器件互连的方法,例如集成电路芯片和微电子机械系统(MEMS)。到外部电路的焊点已沉积到芯片垫上。
  • 空间物理性质的流动,也经常随时间变化。
  • 在LED技术中,为产生指定的光输出所需的穿过LED端子的电压。这也是LED不会产生任何光的电压。
  • 带有前开口接口的固定盒式容器,用于自动物料处理系统。(阿姆斯)使用foups可以减少晶片上的粒子数,因为foups的内部与周围的fab环境隔离。
  • 掺杂SiO制成的非晶态绝缘材料(k=3.5)。氟通常用于铜互连层之间。又称氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 一个术语,代的简称,用于平面显示器描述玻璃尺寸的制造基底.
  • 每一代都比前一代大80%。
生成 典型尺寸(mm) 面积(m) 介绍

第2代

400×500

零点二

一千九百九十三

第3代

620×750

零点五

一千九百九十五

第4代

730×920

零点七

2000年

第5代

1,000×1,二百
1,200×1,三百

一点二
一点六

二千零二

第5.5代

1,300×1,五百

2.0条

二千零四

第6代

1,500×1,八百五十

二点八

二千零三

第7代

1,870×2,二百

四点一

二千零四

第7.5代

1,950 x 2,二百五十

第4.4条

2005年

第8代

2,160 x 2,四百六十

五点三

二千零六

第8.5代

2,200×2,五百

五点七

二千零七

第10代

2,880×3,一百三十

2008年

  • 包括洗手和戴手套的程序,头巾,面具,鞋覆盖物,以及工人进入洁净室前的其他特殊服装。
  • 洁净室外的支持区或服务区,允许服务人员在不进入洁净室的情况下进行日常维护。
  • 缺陷检查利用探测器收集中高角度散射光,使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于发现超出光学分辨率的小图案缺陷。与…比较布莱菲尔德检查。
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H

  • 面具比光刻胶更耐腐蚀,高蚀刻时使用选择性比使用光致抗蚀剂所能达到的要求更高。
  • 高浓度自由电子的等离子体,因此,离子浓度高。
  • 一种等离子体增强型化学气相沉积在高真空和高等离子体激发电压下进行,以提高填充小高宽高比结构的能力。
  • 一类离子注入机产生最高的光束电流,通常超过3ma。更大的束流,所需速度越快剂量达到,从而提高晶片的生产能力。离子能量在1K之间电动汽车100keV是典型的。
  • 一类发光二极管它产生足够的光来用于照明应用。应用包括LCD显示器的背光照明,室内照明和汽车外部照明。LED必须有多亮才能符合高亮度”没有很好的定义。最简单的定义是一个太明亮,不能直接看的定义。
  • 在半导体领域,空穴是指没有电子的情况下,人们可以在晶格中存在。它可以被认为是电子的对立面,正电荷与电子的大小完全相同。如果,在电场中,一个电子进入这个空位,孔实际上朝相反的方向移动。
  • 与半导体制造设备通信的智能工厂系统。在半导体领域,这个SECS/GEM使用协议。
  • 已知易发生故障的区域
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  • 一种等离子体源,其能量由电磁感应产生的电流提供,也就是说,通常由真空外壳外施加的时变磁场。
  • 一种半导体材料,用来形成通道高性能薄膜晶体管对于活动层液晶显示器S.相比于非晶硅,传统渠道材料,IGZO的电子迁移率越高,晶体管的转换速度就越快,以更快的刷新率启用更高分辨率的显示器。
  • 光刻技术分辨率增强技术,用液体介质(如水)代替最终透镜和晶片表面之间的通常气隙。
  • 离子注入,离子束与晶片表面之间的入射角。

检测各种类型缺陷(例如划痕,粒子,损坏特征)遵循半导体制造工艺流程中的每个步骤。

  • 用于将器件或芯片的有源区彼此隔离的非导电材料。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,,BPSG,和聚乙二醇.
  • 一种电子器件,由许多元件组装在一个硅基片上。
  • 集成电路中连接晶体管和外部连接的线路。
  • 用于集成电路金属层之间绝缘的薄膜。
  • 相邻金属线之间使用的绝缘膜。
  • 硅或其他合适材料的一层,在一个插座或另一个插座的连接之间起到电气接口路由的作用,以将连接扩展到更宽的间距或将连接重新路由到不同的连接。
  • 从太阳能电池板转换直流电的装置,例如,与电网电兼容的交流电源。
  • 由一个或多个电子的损失或颗粒形成的带电原子或原子群。
  • 一种工艺技术,其中掺杂剂化学品(硼,砷,等)在强电场中加速穿透晶圆表面,从而改变了材料的电特性。
  • 一种工具,设计用于在基底上均匀地注入选定的掺杂原子,使其达到规定的深度,达到所需的浓度。这项技术被称为离子注入.
  • 加上或除去电中性原子或分子中一个以上电子的过程。一旦粒子被电离,它可以加速,利用磁场或静电场操纵或操纵,如在光束线.
  • 一个共同点TCO材料。
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J

  • 两个不同半导体区之间的界面掺杂剂类型。通常指的是P-N结,电导率类型从P型n型.
  • 在太阳能组件中,为模块输出提供连接点而设计的环境外壳。
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K

  • 也称为介电常数,通常用希腊字母kappa(κ)表示。一种物质浓缩磁通量的程度的表示。
  • 在电子学中,它是指材料相对于二氧化硅的电容。
  • 高k值允许晶体管大门在不增加不良泄漏的情况下缩小尺寸。
  • 在绝缘材料(如用于分离的材料)中,需要较低的k值。互连因为它减少了将能量浪费为热量的电荷积聚,降低设备的总功耗。此外,低k值允许更快的信号传播,从而更快的开关速度。
  • 切削过程中材料损失的量。在硅片生产中,切缝损失是指作为晶圆工艺一部分的硅消耗量,在决定成本方面起着至关重要的作用。边缘质量,以及晶圆的表面光洁度。
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  • 在化学中,一个术语,用于指经常发生或可能发生变化的事物。例如,如果一个分子在短时间内以特定的构象存在,在采用低能量构象之前,前一种分子结构据说具有“高不稳定性”。在半导体中,它可以指ALD易与晶圆表面材料反应的前体化学品。
  • 一种利用激光烧蚀薄膜光伏电池表面以确定互连模式的技术。
  • 原子在晶体固体中的有序排列。
  • 当电流通过时发光的半导体器件。LED由P-N组成接合当一对电荷载流子重新组合时,光子发出。
  • 主要用于光掩模刻蚀这可以测量蚀刻过程的精度。线性定义为与目标的偏差范围。光盘在指定的功能尺寸范围内。
  • 一种使用背光阵列的平板显示器。薄膜晶体管称为背板控制每个像素。
  • 液晶显示器的工作原理是单独控制每个晶体管,以允许或阻止背光的光线。然后白光通过一系列滤色片来组装最终的滤色片,全彩图像。
  • 当像素晶体管关闭时,液晶材料使偏振光旋转90度,允许它通过第二个偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子的排列方式使光不再旋转,所以光线被第二个偏振器阻挡了。
  • 任何提高分辨率的技术,忠诚或其他方面的光刻技术过程。
  • 将图案或图像从一种媒介转移到另一种媒介,比如从光掩模在晶圆上使用步进器.
  • 一种用于在晶圆或晶圆的大气压力FI以及用于加工的真空环境。
  • 同时加工的具有相同特性的一批晶圆。很多东西通常放在一起片盒.
  • 一个芯片在3之间,000和100,单个芯片上有000个晶体管。第一批大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 在LED技术中,一种测量LED如何有效地将能量转换为电磁辐射的方法。通常用流明每瓦(lm/w)表示。
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  • 一种有图案的材料层,用来防止直接在其下面的材料被腐蚀。也是的缩写光罩.
  • 瓦里安植入器中的质量分析磁铁位于来源而工艺室要偏转和过滤离子,所以只有选定的离子进入工艺室。这确保只有掺杂剂够到晶圆。
  • 一种计算机控制的系统,在制造环境中管理在制品的运输和储存。
  • 一类离子注入机设计最大化剂量均匀性。光束电流范围从1微安到5毫安,能量为5-600kev。中等电流的植入器通常能够植入掺杂剂种植体角度从晶圆表面向下30度,能够将掺杂剂部分植入晶圆表面现有结构的下方。
  • 非常小的机械或机电设备,如使用改进的半导体设备制造技术制造的传感器和执行器。
  • 一种软件控制系统,用于在制造环境中管理和监控工艺材料中的工作。
  • 确定尺寸的测量科学,数量,或容量;使用传感器和测量设备确定晶圆加工中物理和电气特性的技术和程序。
  • 一种薄膜硅,其非常小(0.5-2微米)的硅晶体与非晶硅混合。通常沉积在薄层(通常为1-3微米)中,串列(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 根据相同特征的密度(例如稠密的,半密实)关于开阔区域特征。
  • (微米或微米)长度单位;百万分之一米。
  • 一种包含算术运算的集成电路,单个封装中的逻辑和控制电路。
  • 一种外壳或外壳所形成的环境,以保持晶圆不受污染,如福普.
  • MOCVD是一种外延生长用于沉积复合半导体薄膜的工艺,尤其是那些用于制造高亮度LED以及电力电子。在MOCVD过程中,在含有所需金属和其他元素的有机化合物之间的基质表面发生化学反应。
  • 太阳能组件是最终封装的光伏发电机。在C-Si技术中,模块通常包含几十个太阳能电池连接在一起。
  • 通过生长一层二氧化硅(SiO)获得的结构。)在硅基片上沉积一层金属或多晶硅(后者常用)。通常用来描述用这种方法制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏发电中,用单晶硅颗粒铸造成铸锭的一种硅片。这些锭被切成薄片,用于制造微芯片和光伏电池。
  • 发现的一种缺陷平板显示器显示区域亮度不均匀。也称为“云量”.
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N号

  • 具有负电荷导电性(电子过剩)的半导体材料。
  • 用于闪存仅当其至少一个输入没有信号时才产生输出信号,因此“不“(与运算符的倒数)。
  • 半导体解决方案,太阳能和显示行业的重点是尺寸小于100纳米。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 一些瓦里安植入器使用的一种装置,在设置期间测量离子束电流,并作为中性点的陷阱。光束线.
  • 在离子束中运动的粒子,其能量相同,但不再带电。中性点不能被外部磁场控制,将以固定的速度继续,直到与真空室壁或其他粒子碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 金属氧化物半导体其中有源载流子是在静电形成的n型源极和漏极区域之间流动的电子的晶体管。-通道在p型硅基片中。
  • 用于闪存产生与或相反的输出结果。
  • 促进随后沉积的薄膜生长的薄层。
  • A报告的可疑缺陷缺陷检查可以忽略的系统,因为它不会影响已完成设备的功能。抑制滋扰,或“虚警缺陷是先进缺陷检测系统的关键能力。
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o

  • 氧化物氮化物氧氮化物;多层金属氧化物半导体栅介质。
  • 在薄膜有机半导体中,由于电子-空穴相互作用而发射光子的一种发光器件。
  • 离子注入,晶圆晶格结构相对于光束的方位角。在不同的方向角,不同的掺杂剂渗透深度和沟道将获得。
  • 离子注入,将离子束扫过晶圆边缘以获得均匀的剂量在晶圆外围。
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  • 具有正电荷导电性(电子缺陷)的半导体材料。
  • 所有电路元件的固有电容,如互连晶体管使他们的行为偏离理想的电路元件。
  • 在半导体领域,特别是指紧密间隔的导体之间的不良电容,可导致以下影响:串音.
  • 降低介电常数可以减小寄生电容,或K值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 以相对频率从左到右递减的顺序绘制值的垂直条形图。有助于分析哪些问题首先需要注意。
  • 半导体器件中的一层,在电路元件上形成密封,作为制造的最后一步,或者保护化学活性材料免受晶圆在加工工具之间转移的反应。等离子体氮化和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造业,在晶片上创建所需的电路几何图形。一般用于指光刻技术以及相关的过程,如图形化薄膜沉积和蚀刻.
  • 一种透明的聚合物片,置于框架上以保护光罩的图案区域不受空气污染。暴露期间,任何污染都被排除在焦平面之外,因此“打印”在晶圆上。
  • 光掩模利用相位差产生的干涉来提高光刻中的图像分辨率。
  • 掺杂SiO制成的非晶态绝缘材料用磷来提高防潮和回流特性。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 熔融石英板,通常为152平方毫米,覆盖着不透明的图案,透明和移相区域将投射到晶圆上光刻技术定义集成电路一层的布局的过程。
  • 光敏感的有机聚合物光刻技术过程,然后开发出一种识别待蚀刻底层膜区域的图案。
  • 相邻特征中心之间的距离,例如互连线或接触洞。
  • 任何创造成对的图案技术,单一功能光刻技术图像与原始图像的一半,因此,创造出比光刻工艺本身所能做到的更小的图案。有时被错误地称为音调加倍。
  • 平面显示器技术,一种分辨率的测量方法,用来描述显示器上各个像素之间的距离。通常以每英寸像素表示,或PPI。
  • 使用低选择性蚀刻或穿透使不均匀的晶片表面相对平坦的工艺。化学机械抛光.
  • 第四种物质状态-不是固体,液体或气体。在等离子体中,电子从原子中被拉出来,可以独立运动。单个原子带电,即使正负电荷总数相等,保持整体电中性。
  • 绝缘层沉积在完成的晶体管上菲奥尔第一种金属的加工互连形成层。
  • P-通道MOS晶体管,其中有源载流子是在n型硅衬底中静电形成的p通道中,p型源极和漏极区域之间流动的空穴。
  • 在DRAM制造中,通常用于栅极电极的膜堆,由钨硅化物组成多晶硅.
  • 多晶硅(或半晶硅,多晶硅,poly Si或者简单地说聚)是一种由多个小硅晶体组成的材料。广泛用作高掺杂状态的导体/栅极材料。聚膜通常是通过使用低压化学气相淀积过程。
  • 一种用于离子注入用于减少沟道故意非晶化以前的地区掺杂剂植入术,从而获得更均匀的掺杂剂分布。在非晶化区域内没有沟道,根据定义。预非晶化植入物通常是用惰性元素如氩进行的。
  • 最后一次植入是在金属沉积之前完成的。
  • 在制造集成电路或其它设备时进行的一种操作或一组顺序操作。
  • 在制造集成电路或其它器件过程中进行单一工艺的封闭区域。
  • 优化每个流程步骤,以便在顺序流程中正确处理前面和后面的步骤。
  • 一种类型的触摸屏它由一组电极组成,这些电极可以检测由导电物体(如手指或导电触针)引起的静电场变形。
  • PCT面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用,例如智能手机和平板电脑。
  • 光转换成电的过程。太阳能光伏是利用太阳辐射发电。
  • 一种用于制造薄膜光伏组件的树脂。PV电路,形成在一片玻璃上,覆盖在一张pvb中,然后背玻璃.然后将该组件层压以封装电路,保护它不受环境影响。
  • 一种工艺技术,其中导电材料的原子(铝,氮化钛,等)溅射从A目标纯材料,然后沉积在基板上以在集成电路内形成导电电路或平面显示器.
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Q

  • 由排列成圆形的交替符号的四极所产生的磁场或静电场;用来聚焦一束带电粒子。
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R

  • 空气污染指数允许在机器之间修改处理参数的技术”运行”使变异性最小化。
  • 一个原子或一组原子,至少有一个不成对的电子,因此不稳定且具有高度反应性。
  • 频率约为3kHz至300GHz的电磁辐射。
  • 一种依靠单色光的非弹性(拉曼)散射进行化学分析的光谱方法。以非接触方式实现化合物的实时反应监测和表征。
  • 退火在短时间内将晶圆加热到规定温度的过程。
  • RTP在半导体器件制造过程中反复使用,其用途如下:激活植入的掺杂剂或改变材料的状态(或相),以增强所需属性(例如,电导率)。退火可以使用三种技术进行——浸泡,尖峰,毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备在制造顺序的特定点承受特定温度/时间暴露的公差。从广义上讲,设备可以承受更长的曝光时间(30-90秒)。也被称为浸泡退火,在制造周期早期的高温下。随着循环的进行,如果需要高温,必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖峰退火属于后一类,用于来源-排水植入物激活和扩散以及高钾/金属大门制作。
  • 向内倾斜的。指侧壁为凹形的特征。
  • 特定过程步骤的存储参数,比如气体的流动温度和压力。一般来说,相同的配方用于许多.
  • 芯片上的额外金属层,用于集成电路在其他位置提供,使芯片到芯片的连接更容易。
  • 一项要求增加可再生能源生产的法规,比如风,太阳能,生物量,地热。同样概念的另一个常见名称是可再生电力标准(Res)。
  • 导电材料与通过它的电流相反程度的量度。
  • 离子注入,一个小光圈,通常在分析仪后面直接找到,它只将光束分解成一种带有特定电荷的分子或原子。
  • 一套公寓,透明板,用于步进器包含要在晶圆上复制的晶圆图案的图像。常与…互换使用光掩模.
  • 苹果公司的商标,用于描述任何像素密度足够高以致人眼无法分辨单个像素的显示器。
  • 注意,这个术语与像素密度,因为它包括了观察距离。对于符合视网膜显示条件的手机屏幕,其像素密度应超过300ppi,但是一台电视只需要大约50 ppi。
  • 一种类型的聚偏二氯乙烯与传统的PVD反应器相比,使用感应耦合等离子体来降低离子能量的工艺,因此,更温和的沉积机制可以产生非常薄的亚纳米薄膜,几乎可以消除对底层电路特性的损害。
  • 在里面离子注入,一种电子束,它被限制在一个矩形的横截面内,允许一个晶片的整个表面被一个单轴方向的电子束所覆盖。与必须来回扫描以覆盖晶片的点束相反。
  • 一种利用化学反应等离子体去除晶圆上沉积的材料的蚀刻技术。等离子体中的高能离子与晶圆表面的材料发生反应。
  • 用于真空系统初始抽真空的机械泵。过程被称为”粗加工。”“
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S

  • 由应用材料创造的用来描述金莎客户端化学气相沉积在略低于大气压力的情况下使用TEO公司/臭氧化学。
  • 双重曝光利用牺牲侧壁间隔膜实现的技术俯仰两半.也被称为侧壁间隔物双图案(SSDP)或间隔物定义的双图案(SDDP)。
  • 自我调整的收缩硅化物.水杨醛加工技术旨在利用沉积在图案化硅基板上的难熔金属在特定加工条件下与暴露的硅选择性反应的原理。不会与相邻材料发生反应,如氧化硅材料。因此,无需模式化步骤。
  • 离子注入,离子束相对于晶圆的移动,以覆盖整个晶圆表面。
  • 一个组件离子注入机或者移动离子束穿过晶圆,或者通过离子束移动晶圆。这可以通过磁场来实现,静电场或机械运动。
  • 用电子束而不是光照亮样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 晶体硅太阳的光伏发电制造业,一种纺织材料的薄片,支撑着一个有开放区域的模版,通过该区域银浆或其它材料被滚筒或刮刀强制在晶圆上形成图案。它类似于光掩模在半导体制造业。
  • 离子注入,薄的,SiO牺牲层它能阻止离子束中夹带的杂散离子,并随后被去除。此外,屏蔽氧化物轻微散射主离子束,从而防止沟道.
  • 一种软件协议,用于标准化半导体制造设备和主控系统之间的通信。它的设计是为了简化工厂的自动化,通过建立一组通用的指令,所有设备都能理解这些指令。绝妙的.
  • 成核层其中成核材料与随后沉积的薄膜相同。
  • 提高晶体硅转化效率的技术光伏发电太阳能电池。选择性发射极是位于前金属接触线正下方的重掺杂区域,以降低电接触电阻并使电流更自由地流动。掺杂区通常是通过沉积来制造的。掺杂糊在晶圆的表面,然后在上面打印接触线。
  • 两种材料在蚀刻过程中观察到的蚀刻速率之比。通常用于指用于去除的材料的相对蚀刻速率和面具,以及蚀刻图案保真度的重要指标。
  • 一种导电率介于金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的材料,可以通过物理或化学方式进行修改,以增加或减少其导电率。掺杂剂.
  • 一种容易分解成硅和氢的气体,硅烷通常用来沉积含硅化合物。与氨反应生成氮化硅。或与氧气形成二氧化硅。
  • 退火(烧结)过程,形成金属硅合金(硅化物)作为接触。例如,硅化作用使沉积在Si上的Ti形成TiSi2。
  • 硅与更具正电性的元素的化合物。镍,钽,钛和钴硅化物薄膜用于为晶体管连接创造欧姆(低电阻率)触点。硅化钼通常用作掩模.硅化钨(多聚物)用于DRAM栅极电极。
  • 最常见电介质用于半导体制造的材料,因为它的多功能性和稳定性。也被简单地称为”氧化物“,它可以通过热氧化在硅片上生长,也可以通过PECVD法硬盘驱动器过程。
  • 使用等离子体增强或lpcvd沉积的硅/氮膜介质。有时被松散地称为罪恶。
  • 由单个P-N结构成的光伏电池。这包括非晶硅薄膜和大多数晶体硅细胞类型。
  • 高功率磁控管电源聚偏二氯乙烯给等离子体提供足够能量的过程溅射金属原子被电离了。然后利用电场加速金属离子向晶圆方向移动,在小几何结构中创建更定向的沉积图案,从而提高阶跃覆盖率。
  • 源掩模优化(SMO)是一种用于光刻技术为了补偿像差引起的图像误差,衍射或过程效应。
  • 在半导体制造中使用层状硅绝缘体硅基片。SOI基板减少了寄生电容在集成电路中的相邻器件之间,与内置在大块晶圆中的器件相比,降低功耗,从而提高设备性能。
  • 一种将太阳光的能量直接转换成电能的装置。光伏发电效果。多个单元连接在一起形成模块.
  • 公用事业规模的光伏电站。
  • 轻轻的掺杂区域从来源排水进入晶体管通道设计用于在晶体管器件运行期间分散电场。如果没有分机,很小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极介质并导致器件故障。
  • 这个离子注入用于创建源漏扩展的过程是损伤工程.
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造过程质量控制的方法。
  • 固定冷却金属板,位于植入盘的顶部,捕捉离子束过扫描.
  • 不同时食谱用于许多为了提高特定工艺步骤性能的实验目的,该地块被称为分割地块。
  • 一种沉积薄膜的方法,其中原子从固体中喷射出来。目标由高能粒子轰击目标而产生的物质。
  • 光伏发电晶圆制造,使用专用工具将硅锭切割成矩形块的过程。线锯.方块,或砖块,然后切成薄片晶圆化过程。
  • 一种计算机存储器,其中每一位存储在一个通常由6个或8个晶体管组成的网络中,该网络有两个稳定状态。
  • SRAM单元很复杂,在芯片上消耗的面积比动态随机存取存储器细胞,但速度更快,更节能。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常在芯片上用SRAM单元制作,用作高速缓存。用于存储最常访问的指令和数据。
  • 特征侧面的膜厚与底部的膜厚之比(例如,在通孔中)或在功能顶部(例如,分别是finfet的鳍。
  • 用于传送十字线的设备(光掩模)在晶圆上刻上图案。相同的模式被转移到每个死亡在晶圆上。
  • 一种将每个晶体管或存储单元与其相邻单元隔离以防止电流泄漏的技术。这项技术采用了蚀刻在硅中的沟槽图案,填充有绝缘材料,如二氧化硅。
  • 半导体制造中使用的通过扭曲晶体将应力引入晶体管和存储单元的工艺。点阵.在逻辑学中,这使得电流更容易通过晶体管,提高晶体管性能。在记忆中,应变也可以降低泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种用于钢丝锯形成的,或卷曲,为了提高切割速度而形成锯齿状或类似的形状。
  • 操纵薄膜的材料。硅是最常用的半导体和c-si光伏电池。玻璃通常用于LCD和薄膜光伏应用。
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T

  • 一种使用多种光转换材料来提高转换效率的太阳能光伏电池类型。串联结薄膜硅电池,例如,使用无定形的硅和微晶层。
  • 聚偏二氯乙烯,目标是待沉积材料的来源。高能粒子的轰击使原子从目标中弹出。
  • 用于平板显示器等光电器件的掺杂金属氧化物薄膜,触摸面板和光电。在液晶显示器中,TCO层形成电极,产生电场使液晶极化。在触摸屏中,TCO层用于传感电极。在光伏发电,TCO形成电池的顶部电极。
  • 通过超薄样品传输电子束的透射电子显微镜。它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率更高。
  • 氧化物沉积的液体源,正硅酸四乙酯是与
    公式Si(OC)H5个4.
  • 终端效应是电化学沉积因此,沉积的薄膜在晶圆边缘的厚度往往比中心厚。它源于电压降,电压降发生在负极端子接触晶圆边缘的中心位置,因为晶圆的电阻。这种阻力的主要成分是种子层在晶圆上沉积的聚偏二氯乙烯电镀前。种子层在每个技术节点处变薄,这增加了晶片的电阻率,加剧了终端效应。这种效应可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿,该系统可以调节晶片上施加的电压,在晶圆上形成均匀的沉积。
  • 一种类型的液晶显示器使用薄膜晶体管位于每个像素上,直接驱动液晶的偏振,从而控制该像素是否打开和关闭。
  • 厚度从一纳米到几微米不等的一层材料。
  • 场效应晶体管采用薄膜技术制造,主要用于制造有源矩阵液晶显示器。
  • 晶圆数量a工具每小时可处理。
  • 用于指半导体加工设备的术语。
  • 在半导体领域,晶圆表面特征制造产生的非平面性。这会对后续层的图案产生显著影响,因为步进器光学系统可能导致部分图案不符合规格。也用于描述不同材料去除率导致的不均匀性。化学机械抛光.
  • 一种计算机接口,用于检测触针或手指在典型的矩形区域上的存在。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏.
  • 一种显示器,比如一个TFT-LCD阿莫勒它包含了触摸屏使用户能够直接与显示的图像交互,而不是通过鼠标或轨迹球间接交互。
  • 工具集成了处理光致抗蚀剂(沉积,软烘焙,曝光,发展,在半导体制造业。
  • 一种半导体器件,用于开关和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 蚀刻在晶片上用作器件结构一部分的槽。
  • 电容器沟槽在基板上。这种技术允许在不增加晶圆上形成电容所需的面积的情况下增加电容。
  • 一种类型的二次真空泵用来产生高真空。高速涡轮叶片,交替使用静叶,把气体分子压缩到泵的底部,用粗泵除去。
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U

  • 分辨率为3840 x 2160像素的数字视频格式。
  • 也称为2160P和4K,超高清的像素是传统高清1080p视频的四倍。
  • 半导体制造的一个领域,其重点是减少交汇点形成来源排水先进晶体管的区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积过程,通过焊点将模具连接到基板上。
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  • 低于大气环境的压力,通常指特定压力范围:
  • 粗真空,从大气到1 x 10- 3托尔
  • 高真空度,从到1 x 10- 3托尔到1×10- 9托尔
  • 超高真空(特高压)–低于1 x 10- 9托尔
  • 离子注入,用于将固态离子源材料转换成气态以产生离子束的装置。
  • 穿过介电层的垂直路径,介电层在互连层。
  • 一个10倍的芯片,000和1,000,单个芯片上有000个晶体管。这个术语通常被扩展到描述晶体管数量超过10个的芯片,000。其他术语,如超大规模集成(ulsi)被创造出来,但已不再广泛使用。
  • 也称为3D NAND阵列。
  • 一类闪存多个二维存储单元阵列垂直分层在单个基板上的架构(而不是使用晶片级封装
  • Vnand是一种增加钻头密度不必减小每个单独单元的大小。
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W

  • 薄的,圆形或接近方形的单片或多晶体制造半导体和光伏电池的硅。
  • 把硅锭或硅砖分成晶圆的过程。
  • 由金属或石墨制成的保护衬垫,安装在波导管.不需要的离子种类会在这些衬里上释放能量。
  • 卷对卷涂层技术的另一个名称,在柔性材料的辊上沉积材料薄膜。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学从基板上去除不需要的材料或污染物的工艺。
  • 能够在固体表面均匀分布,而不是形成离散的液滴。
  • 一种机器,它使用移动的金属丝来完成硅片制造的三个关键步骤。
  1. 切割-去除单晶硅锭的锥形端部
  2. 方正-将圆柱形切割钢锭变成矩形块,或砖头。在多晶晶圆制造中,这个步骤是用来把大块铸锭切割成砖的。
  3. 华夫饼-将砖块切割成单个华夫饼
  • 所有闸门之间的连接晶体管在内存数组段的某一行中。
  • 瓦特峰一种太阳能工业装置,用于在理想的辐照条件下提供太阳能电池的功率。
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Y

  • 产品百分比(例如晶圆或模具)在符合规范的工艺中生产的。
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