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  • 直径约为8英寸的硅片。也用于指工具设计处理晶片的尺寸。
  • 硅片的尺寸大约12英寸直径。也用于指工具设计处理晶片的尺寸。
  • 另一个名称UHD数字视频格式。
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一个

  • 过程中有毒或其他有害物质从一种液体或气体。示例包括从其中去除铜颗粒化学机械抛光泥浆或将液体或气体有毒废水转化为安全的形式处理。
  • 半导体中接受电子的杂质。硼是掺杂硅的主要受体。离子注入的过程。
  • 一个存储单元用于临时存储在制品生产线。
  • 离子注入,原子的过程引入的一部分晶体管来修改它的材料特性;在最常见的应用程序中,,掺杂剂原子成为电活动,即。罪名航空公司产生并增加注入区域的电导率。
  • 当注入掺杂剂原子时,硅晶体点阵中断,或amorphized。随后,使用以下方法修复网格RTP,在此过程中,掺杂离子占据了晶格中的取代位和电荷。航空公司被创建。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器。有机发光二极管控制像素薄膜晶体管
  • 每个像素的AMOLED显示屏直接产生光,不像一个液晶显示器其中,整个显示器由背光从背后照明,并且由控制液晶在每个像素处的偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • AMOLED显示屏比液晶显示器的关键好处是,因为“”像素使用任何力量,整体能耗大大降低。
  • 一个类型的二元光掩模使用不透明的MoSi层作为光吸收层。一个极薄的铬层之上和作为硬掩模的腐蚀过程。也被称为不透明的MoSi在玻璃(OMOG)光掩模。
  • 薄膜沉积技术材料的沉积单层材料的一小部分。
  • 一个类型的PSM其具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,从而在透射光中引入180度相移,以提高对比度,从而提高晶片上投影图像的分辨率。
  • 铝通路内的芯片,使晶体管和其他电路元素之间的连接。
  • 中断导致的晶格结构材料离子注入。晶格可以修复使用RTP。在预非晶化技术,晶格是植入前故意破坏。
  • 离子注入,一块磁铁用于分析离子物种根据原子量并选择所需的离子。
  • 长度单位;一个一米的10000000000。
  • 温度高,处理步骤旨在修复缺陷的晶体结构晶片或诱导阶段转换。
  • 离子注入,一个开口,离子束通过该开口被引导,该开口限定了向前射束的形状和大小。
  • 吸光层(通常是氮化钛),沉积在金属或多晶硅上,改善光刻性能。
  • 一个类型的PSM允许少量的光传输通过某些地区干扰光透明部分的面具,为了再次提高晶片的对比度。
  • 在光伏模块制造、使用一个高压蒸汽气泡将被去除,提高粘附层压膜和玻璃基板之间通过对模块的温度和压力升高。
  • 任何具有移动盒式磁带的搬运机器人的设备,豆荚,或片盒与固定设备。
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  • 一个金属层覆盖整个表面的太阳能光伏电池,充当导体。
  • 也指先进细胞技术设计等细胞的终端都位于晶片的背面,从而增加电池的集光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能模块的底层,它提供了刚性和电气绝缘。电流通过提取模块接线盒通过一个洞连接到电路的玻璃。
  • 在真空抽吸过程中,通过加热加速真空系统或部件的表面脱气的技术。用来减少花费的时间达到特高压压力。
  • 除了太阳能模块必要的组件功能的太阳能光伏发电系统,包括安装结构,布线,逆变器土地和维护。
  • 一个物理层旨在防止混合层上方和下方的阻挡层。
  • 一种同时处理多于一个晶片的处理序列,相对于单晶片(串行)处理。
  • 离子注入,任何不受欢迎的物种或离子电荷的离子光束。
  • 离子注入机端站中的扫描电流,定义为产品的数量,光束中物种的速度和电荷。
  • 晶体管制造后的一系列流程步骤通过完成晶片,在电气测试之前。也被称为半导体制造的后端。术语“后端”也指晶片完成后芯片制造的那些部分,即。切丁,包装和测试。
  • 一个光掩模覆盖着一个模式定义了一个吸光电影,通常的铬。光,这是最简单的类型的光掩模,缺乏的移相特性PSMAPSM类型。也见高级二进制掩码
  • 在存储器件的衬底的给定区域中,对存储器单元紧密封装程度的度量。
  • 一般来说,较高的比特密度是理想的,因为它倾向于提高性能和降低每比特的成本。
  • 通常以每平方英寸的位为单位。
  • 将信息写入/读取到存储单元/从存储单元读取信息的行。
  • 一个参数用于沉积描述与晶片的顶表面相比,在电路特征底部沉积材料的工艺的能力,或领域。它被定义为膜厚度的比值在球场上除以底部的膜厚度给定的特性。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO用硼和磷改善耐湿性和回流特性。
  • 一个缺陷检验收集缺陷反射的光的技术,创建其中缺陷在白色背景上呈现为暗的图像。一般来说,明场系统更灵敏,但比这慢暗视野检查。在晶体管制造过程中,亮场检查通常用于发现图案化缺陷。
  • 全身服装,人事穿的一种全身服装洁净室减少颗粒和污染物的释放到空气中。
  • 在薄膜PV模块中,相对较大的导电带,收集从单个太阳能电池。
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C

  • 材料的程度可以存储电荷。
  • 电子组件用于临时存储电荷。它由两个由非导电材料隔开的导电表面组成。介质
  • 电子或,携带电荷通过导电或半导体材料。
  • 的措施,通常在cm中指定/v·s,如何迅速电荷载体(电子或(1)能够响应于施加的电场移动通过半导体。材料的电导率成正比流动性乘以运营商的浓度。在半导体器件高迁移率是非常可取的,因为它会导致更高的设备性能通过更快的晶体管开关。
  • 一种金属或塑料的开口容器,用于将晶片(通常为25)往返于工具。盒式磁带保护晶片免受直接操作可能造成的损坏。
  • 一个类别的薄膜太阳能电池使用cadmium-tellurium化合物作为电光变换活性层。
  • 用于描述蚀刻精度的参数腐蚀的过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值的变化(CD)测量几个点的基底

计算流体动力学流体力学的一个分支,利用数值方法和算法解决和分析问题涉及到流体流动,,

  • 离子注入,将发生在一些离子光束的晶片之间的原子晶格结构的单晶硅和穿透更深的比其他离子。由于不能精确地计算或控制植入物的深度,所以沟道化是不可取的。可以通过倾斜或旋转晶片来减少沟道,用氧化网覆盖其表面,或者对硅进行预非晶化。
  • 电子损失原子粒子对电离原子的电子损失
  • 铜铟联硒化物:一种薄膜太阳能电池材料,使用铜的化合物,铟,硒。第四个要素,镓,也可以添加到化合物(CIGS)中以实现更高效率
  • 制造厂内的一个区域,用来调节空气,以除去可能妨碍半导体器件正确工作的空气中微粒。
  • 一个金属氧化物半导体设备组成的p -配对通道和n沟道晶体管。
  • 也用来指制造工艺家族,用来构造以CMOS晶体管为特征的集成电路。
  • 使用磨料的过程,化学活性浆物理磨损的微观地貌部分晶片,以便后续处理流程可以从平面开始。也称为化学机械抛光。
  • 一个离子注入将两种物质植入材料的相同区域以改善掺杂区域的电性能的技术,通常提高晶体管性能。
  • 例如,non-dopant原子,例如氟或氮可以与掺杂剂如硼制超浅管理办公室晶体管渠道通过改进掺杂剂激活从掺杂区到非掺杂区的急剧转变。
  • 包的底部表面平行于印刷电路板表面着陆
  • 一层液晶平板显示器分为透明区域的红色,绿色和蓝色,每一个都覆盖着一个晶体管,该晶体管被开关到全范围的颜色。
  • 使用计算机系统和软件来帮助创建、修改,或者分析2D或3D设计。
  • 制造方法使用计算机来控制整个生产过程,允许各个步骤交换信息和发起动作。
  • 一个材料,包含移动运营商收取,如电子或离子。
  • 芯片上的一种特征,在第一条电路之间形成电通路互连层和晶体管。这个区域通常是充满了钨。
  • 射频等离子体世代,指保持恒定频率和振幅的波形,与"相反"脉冲的交付供应调制,通常在两个不同的振幅之间,在100 - 1000赫兹的频率范围。
  • 一个互连结构使用铜作为导电材料,与铝互连相比,提供更高的器件速度和更低的功耗。
  • 一个兴奋剂过程,沉积一层保形包含所需的材料掺杂剂物种,然后使用一个热过程驱动掺质控制深度在底层电路结构。CPD涂料提供了一个手段复杂,3 d结构。兴奋剂是传统上由离子注入,狂轰乱炸的晶片与掺杂物离子移动速度高。然而,这种视线轰击工艺不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子会损伤超薄半导体芯片中的半导体层。CPD设计用来解决这两个问题。
  • 光刻,CD的最小特征尺寸的图案晶片。在其他半导体工艺中,CD是大小的特性发现在几个点基底用于描述给定过程的精度或其他特性。
  • 一个不良的影响,让一个信号在电路元件,比如一个互连线,影响附近另一个电路中的信号。在半导体中,的耦合通常的结果寄生电容在这两个电路之间。
  • 一种通过低温冷冻和吸收气体分子来捕获气体分子的二次真空泵。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即。允许返回环境温度使解除吸附和泵的捕获气体种类。
  • 物质,原子排列有序周期阵列。
  • 太阳能电池技术的通用术语,它使用结晶结构中的纯化硅衬底。
  • 一种通过使基底到一个或多个动荡的前体,在衬底表面反应和/或分解。
  • 晶片在制造过程的特定部分中加工所需的时间量。
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D

  • 非反射,non-energy-absorbing,无机的介质在金属或多晶硅上沉积的层以便改进光刻性能。
  • 一个缺陷检验利用探测器收集散射光使缺陷在暗背景下显得明亮的技术。通常用于寻找粒子在晶圆上互连制作。与brightfield检查。
  • 紫外光谱的一部分与波长300纳米以下。
  • 流程缺陷在哪里位于有图案的晶片。创建缺陷位置列表并将其传递给DR-SEM用于回顾和分类。
  • 一个类型的扫描电子显微镜用于在晶片制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 过程用于沉积一薄层绝缘或导电材料到衬底上。
  • 规则几何轮廓和连接集成电路的设计和布局的限制。
  • 在半导体制造,在硅片上制作功能电路的区域。很多相同的模具(替代复数死和骰子)在每个晶片制作的。
  • 一个绝缘体
  • 也使用更具体地说,是指一个绝缘子电场极化的应用。半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO))和氮化硅(Sin)。
  • 间歇式离子注入机上的大锥轮,用于在离子注入。晶圆片安装在每一个“说“磁盘的。随着磁盘旋转,每个晶片依次通过离子束,该离子束被径向扫描,以提供均匀性。剂量在每个晶片。
  • 杂质,杂质,杂质以受控量添加到材料中以改变某些内在特性,如电阻率或熔点。向半导体中添加掺杂剂会产生主要为负(负)的材料。n型或阳性(p型负责运营商根据掺杂剂种类。
  • 一种粘性液体或悬浮液,含有掺杂剂材料。
  • 杂质的引入,或掺杂剂。进入晶格的材料来改变其电学性质。创建n型区域,砷,砷化氢),磷化氢(PH值通常使用锑。对于p型区域,典型的掺杂剂硼(B),硼二氟化物(男朋友以及三氟化硼)。
  • 总金额掺杂剂离子/厘米测量需要给植入晶片所需的电气性能。
  • 精密电流测量装置用于计算离子植入晶片的总数。函数有时是结合统一监控。
  • 一种图案化技术,设计用来增加晶片上可产生的电路特征的密度,超过特定光刻法的正常极限。步进。看到音高减半萨达普
  • 太阳能技术光伏制造业在接触线或其他结构建立在多个精确追踪丝网印刷业务。
  • 双印的示例应用包括制造更窄的,高接触线和选择性发射极细胞类型。
  • 一种利用电感耦合产生氮等离子体并将氮引入超薄栅氧化层的顶表面层以增加栅电介质的介电常数的方法。
  • 一个类型的等离子体等离子体主要用于分离等离子体密度和离子能量管理的蚀刻应用的源,导致高蚀刻速率和最小的等离子体对衬底的损伤。
  • 一种易失性计算机存储器,其中每个位都存储在一个单独的电容器中。因为电容器随时间自放电,每一位的状态必须刷新每秒大约15次,因此,术语“动态”。与“静态”“闪存
  • DRAM提供最快的任何类型的编程的内存,使其非常适合直接连接到微处理器作为主存储器使用。
  • 一个波纹的设计成同时用铜形成和填充两个特征的工艺,例如。,一个上覆通过两者都可以用单个铜沉积步骤填充。
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e

  • 在太阳能光伏技术、事件的一部分太阳能转换为电能。
  • 运动引起的材料离子运动的导体之间的动量转移源自进行电子和金属原子扩散。
  • 沉积过程中,金属是删除从化学溶液和带电表面上沉积。也称为电化学镀层,电镀、或电沉积。
  • 通过电解,执行它是通过电流将液体分离成不同化学部分的过程。
  • 带负电荷的稳定亚原子粒子,用作电的载体。
  • 离子注入,电子的来源最后站附近的晶片,用于中和正电荷注入离子中不希望产生的电荷,这些电荷会损坏敏感电路特性。
  • 由一个电子获得的能量(或质子,大小相同的电荷)穿过一伏特的电压差。在离子注入,eV是用来测量粒子动量的。动量大的粒子比动量小的粒子穿透半导体晶格更深。
  • 没有电流流动的静态电压场。在离子注入,它指的是使用电压或聚焦离子束弯曲。
  • 一种先进的背面接触PV电池。在通过单元结构的发射极封装中,连续发射器通过直径小于100微米(微米)的数千个激光钻孔孔扩散,将电流带到电池背面。通过消除前触点,易提高光吸收和提高电池效率。
  • 同时,被称为end-of-range位错环,三次采油硅晶格的缺陷缺陷发现立即低于之间的接口amorphized和结晶区域的晶体管通道之后离子注入
  • 三次采油的缺陷可以最小化低温植入
  • 一个beamline在某些瓦里安语中使用的元素离子注入器同时减慢离子束的最终能源和过滤删除不必要的高能离子束组件,可以“涂抹“晶体管通道,导致漏电流增加和性能降低。
  • 用于比较门性能的数字。介质通过指示氧化硅膜需要多厚以产生与所使用的介电材料相同的效果的材料。
  • 用于比较高k介电MOS栅的性能和基于SiO2的MOS栅的性能的数目。它显示了二氧化硅的厚度栅氧化层需要获得相同的栅极电容作为一个厚二氧化硅介质介电常数较高的k(例如,测试结束1会从使用10 nm厚介质以k = 39(3.9 k的二氧化硅)]。
  • 沉淀的方法,或增长,一种单晶薄膜,其中沉积的薄膜具有与基底相同的晶格结构和取向。这使得一个高纯起点构建一个半导体器件。
  • 一个APC技术监控处理工具提供了视觉和统计报表工具来识别瓶颈和提高工厂的性能。
  • 去除材料的过程在指定区域通过化学反应或物理撞击。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或在真空(干燥)下进行,通常使用等离子体来生成气相反应物。
  • 腐蚀处理,通常表达/ s或纳米/ s。
  • 用来限制的薄膜层腐蚀深度和保护基础材料。ESL被选择为耐蚀刻化学使用。
  • 一个光刻使用13.5 nm EUV照明技术。它代表了一个显著的背离杜夫光刻技术,因为所有的光元素必须在反射模式和整个光学系统必须保持真空。
  • 离子注入,提取电极用于提取的带正电荷的离子源。离子源退出结合下游形成一束用于植入掺杂剂变成硅片。
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f

  • 半导体制造厂的通用名称,工厂用于生产集成电路。
  • 也被称为嵌入式晶圆级球栅阵列。一种芯片封装方案,其中封装不是在硅片上创建的,但是在由模制材料制成的人造晶片上(例如,环氧树脂)。芯片之间的距离通常大于硅片上的距离。创建互联在芯片和电气连接是由芯片互联垫。任意数量的包装上可以创建额外的互联以任意距离(扇出设计),使得该方案对于空间敏感应用是理想的,其中芯片面积将不足以将所需的互连数量放置在适当的距离。
  • 一个APC使用过程状态模型推断故障状态的发生和位置并诊断故障原因的技术。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。FEOL通常涵盖了起来(但不包括)的沉积联络和金属互连层。术语“前端”有时用于指整个工艺过程到完成的晶片。
  • 一种依靠电场来控制半导体材料中载流子流动的晶体管。
  • 一种安装在半导体处理系统前部的超清洁外壳,用于将晶片传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于沉积应用程序描述的顶面晶片表面不同的电路特性,比如战壕和通过低于表面。
  • finFET是一个类型的场效应晶体管在进行通道三面被薄硅包围鳍形成晶体管的城门。虽然从技术上讲,仅指设计有两个大门,这个词常被用来描述任何multi-gate晶体管结构,无论盖茨的数量。
  • finFET的主要设计目标是减少漏电流晶体管是在“”状态。
  • 一种非易失性存储技术,不需要保留数据,不像动态随机存取存储器。“闪光灯”来自这样一个事实:大量的记忆擦除和编程,一次成百上千位。这不能解决个体位使它太慢直接连接到一个微处理器,但flash的机械鲁棒性和低成本使它适合大规模存储在移动设备上。
  • 任何消费者显示设备,比如一个液晶显示器AMOLED,具有平面表面,与弯曲的阴极射线管显示器的前面。
  • 是用于互连半导体器件的方法,如集成电路芯片和微机电系统(MEMS),外部电路与焊料沉积到芯片垫。
  • 一个物理性质在空间的流动,经常也随时间变化。
  • 在LED技术,产生指定光输出所需的LED端子上的电压。它也是LED不会产生任何光的电压。
  • 容器与静止的盒式对襟接口使用自动物料搬运系统阿姆斯)。使用FOUP可以减少晶片上的粒子数,因为FOUP的内部与环境工厂环境隔离。
  • 掺杂SiO制成的非晶绝缘材料(k=约3.5)与氟常用于铜互连层之间。又称氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 一个术语,代名词,中使用的平板显示器描述玻璃尺寸的制造基底
  • 每一代大约比其前辈大80%。
世代 典型尺寸(mm) 面积(m) 介绍

第2代

400×500

零点二

1993

创3

620×750

零点五

1995

创4

730 x 920

0.7

二千

第5代

1,000×1,200
1,200 * 1,三百

一点二
一点六

2002

创5.5

1,300 * 1,500

2004

创6

1,500×1,850

2.8

2003

第7代

1,870×2,200

4.1

2004

第7.5代

1,950×2,二百五十

四点四

二千零五

创8

2,160×2,四百六十

五点三

二千零六

第8.5代

2,200 x 2,500

5.7

2007

创10

2,880 x 3,130

9.0

二千零八

  • 一个过程,包括洗手,戴着手套,头巾,面具,鞋覆盖物,在工人进入洁净室之前,还要穿其他专门的衣服。
  • 支持区域或服务区域外立刻洁净室,让服务人员没有进入洁净室本身执行日常维护。
  • 一个缺陷检验技术使用探测器收集收集中期和高射角散射光,使缺陷出现明亮的在一个黑暗的背景下。通常用于发现超出光学分辨率的小图案缺陷。与brightfield检查。
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H

  • 一个面具这是比光刻胶更耐腐蚀,高刻蚀时使用选择性比使用光致抗蚀剂所能达到的要求还要高。
  • 高浓度自由电子的等离子体,因此,高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强型化学汽相淀积表现在高真空和高血浆励磁电压以提高能力来填补小高纵横比的结构。
  • 一个班的发光二极管产生足够的光用于照明应用。应用包括LCD显示器的背光,室内照明和汽车外灯。确切地说,一个LED必须有多亮才能符合高亮度没有很好的定义。最简单的定义是太亮直接看。
  • 在半导体中,空穴是晶体晶格中可能存在的电子的缺失。它可以被认为是电子的对立面,带正电荷,正电荷大小和电子完全相同。如果,在一个电场,一个电子移动到这个空位,这个孔有效地向相反的方向移动。
  • 与设备通信的智能工厂系统用于半导体制造。在半导体中,这个秒/宝石使用协议。
  • 一个区域容易失败
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  • 一种等离子体源的能量是由电流产生的电磁感应,也就是说,通过时变磁场以外的一般应用真空附件。
  • 一个光刻分辨率增强技术,取代了通常的气隙之间的最后一个镜头,晶片表面与水等液体介质。

对晶片的检查,以检测各种类型的缺陷(例如,划痕,粒子,受损特征)遵循半导体制造工艺流程中的每个步骤。

  • 绝缘的材料用于隔离装置的电活动区域或芯片。一些常用的绝缘材料是二氧化硅,氮化硅,,BPSG,和巴黎圣日尔曼
  • 电子设备,由许多元素组合在一个硅衬底。
  • 集成电路中将晶体管彼此连接以及外部连接的线路。
  • 用于集成电路金属层之间的绝缘膜。
  • 绝缘薄膜之间使用相邻的金属线。
  • 一层硅或其他合适的材料,作为电气接口之间的路由一个套接字连接或连接到另一个传播到更广泛的沥青或重新路由连接到一个不同的连接。
  • 从太阳能电池板,将直流电源设备例如,与电网电力兼容的交流电力。
  • 由一个或多个电子的损耗或颗粒形成的带电原子或原子群
  • 一个技术,离子的过程掺杂剂化学品(硼,砷,(等)在强电场中加速以穿透晶片表面,从而改变材料的电特性。
  • 一种工具,设计用于将选定的掺杂剂原子均匀地穿过衬底注入到所需浓度下的规定深度。这项技术被称为离子注入
  • 的过程中添加或删除一个更多的电子从一个电中性的原子或分子。一旦粒子被电离,可以加速,将使用磁或静电字段以及进行其他操作,像在beamline
  • 一个共同点TCO材料。
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J

  • 不同半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常指p-n结,电导率类型在p型n型
  • 在太阳能模块,环境圈地旨在提供一个连接点的输出模块。
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K

  • 也被称为介电常数,通常用希腊字母kappa(κ)表示。一种表示材料将电通量集中程度的表达式。
  • 在电子技术中,它指的是材料相对于二氧化硅的电容。
  • 高增殖系数粘度值允许晶体管大门小不增加不良漏。
  • 低增殖系数粘度值是可取的一个绝缘材料,如用于分离互联因为它减少了电荷积聚,而电荷积聚浪费能量作为热量,减少设备的整体功耗。此外,低k值允许更快的信号传播从而更快的开关速度。
  • 在切削过程中物质损失的数量。硅晶片生产的,切口损失是指数量的消耗硅切片过程的一部分,起着至关重要的作用在决定成本,边缘质量,,晶片的表面光洁度。
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L

  • 在化学方面,用于不断经历或可能经历变化的事物的术语。例如,如果分子以特定的构象存在较短的寿命,在采用较低能量构象之前,前者的分子结构据说具有高不稳定性。它可以指“肾上腺脑白质退化症”前体的化学物质反应容易与材料表面的晶片。
  • 一种使用激光烧蚀薄膜光伏电池表面以定义互连图案的技术。
  • 晶体中原子的有序排列。
  • 一种半导体器件,当电流流过时发光。LED由p-n组成接合其构造方式是,当一对电荷载流子复合时,发射光子。
  • 主要用于光掩模刻蚀它测量蚀刻过程的精度。线性是指偏离目标的范围CD跨越指定的特征大小范围。
  • 一个使用一个数组类型的平板显示器的背光薄膜晶体管称为背板控制每个像素。
  • 液晶显示器通过单独控制每个晶体管允许或阻止光背光。然后白光穿过过滤器组装的最后一组颜色,全彩色图像。
  • 当像素晶体管被关断时,液晶材料通过90°旋转偏振光,允许它通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子排列的光不再是旋转,所以光线被第二偏振器。
  • 任何技术,提高分辨率,忠实或其他方面光刻的过程。
  • 模式的转移或图像从一个中等到另一个,比如光掩模使用步进
  • 用于在FI用于处理和真空环境。
  • 同时加工的一批具有相同特性的晶片。很多通常保持在一起片盒
  • 芯片与3之间,000和100,单个管芯上有000个晶体管。第一个大规模集成电路芯片生产的1970年代中期。
  • 用于创建的过程。多晶硅电影用一个两步的过程。存款的前体的第一步电影400 - 450°使用PECVD过程中,低于600 - 1000°LPCVD半导体制造中常用的工艺。第二步使用退火的前体转化为多晶硅的过程。
  • LTPS薄膜通常用于AMOLED超高分辨率液晶显示器显示器。
  • 在LED技术,的高效LED将能量转换成电磁辐射。通常以每瓦流明(lm/W)表示。
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  • 一种图案化的材料层,用于防止直接在其下面的材料的蚀刻。也是光掩模
  • 瓦里安离子注入机的质量分析磁铁之间的定位和转移的过程室和过滤室离子所以只有选择离子进入过程。这确保了只有必需的掺杂剂晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在制造环境中正在进行中的材料的运输和存储。
  • 一个班的离子注入机专为最大剂量均匀性。束流范围从1A到5mA,在5-600keV的能量下。中电流离子注入机通常有植入物的能力掺杂剂植入角度到30°的晶片表面,使掺杂剂能够部分植入晶片表面现有结构的下方。
  • 非常小的机械或机电设备如传感器和致动器使用修改后的半导体器件制造技术制作的。
  • 一种用于管理和监视制造环境中的在制品材料的软件控制系统。
  • 确定尺寸的测量科学,量,或者容量;使用传感器和测量设备的技术和程序,以确定在晶片处理物理和电气性能。
  • 一种薄膜硅,具有非常小(0.5-2m)的硅晶体,与非晶硅混合。它通常沉积在薄层(通常为1-3m)中,用于串列(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 根据相同特征的密度,以不同速率蚀刻相同特征的现象(例如。密集的,半致密)关于开放区域特征。
  • (m或微米)长度单位;百万分之一米。
  • 一种包含算术运算的集成电路,单个封装中的逻辑和控制电路。
  • 一种外壳或由外壳创造的环境,使晶片不受污染,如福普
  • MOCVD是一种外延过程用于存款化合物半导体薄膜,尤其是那些用于制造高亮度LED和电力电子产品。在MOCVD工艺中,在含有所需金属的有机化合物和其他元素之间的衬底表面发生化学反应。
  • 太阳能模块是最终封装光伏发电机。在同单晶硅技术,模块通常包含几十个太阳能电池连接在一起。
  • 一个结构得到一层二氧化硅(SiO增长)在硅衬底上然后沉积一层金属或多晶硅(后者是常用)。通常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏中,一种硅晶片,用单晶硅的晶粒铸造成锭。锭然后切成薄片,用在微芯片的生产和光伏电池。
  • 中发现的一种缺陷平板显示器显示区域的亮度不均匀。也称为““混浊”。
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n

  • 具有负电导率的半导体材料(多余的电子)。
  • 逻辑操作符中使用闪存产生一个输出信号只有在至少一个输入没有信号,因此不是和“(AND运算符的倒数)。
  • 半导体溶液,聚焦于尺寸小于100nm的太阳能和显示产业。
  • 长度单位;一米的1000000000。
  • 瓦里安注入机使用的一种装置,在安装过程中测量离子束电流,并作为在beamline
  • 粒子在一个旅行离子束的能量相同,但不再有一个电荷。中性粒子不能被外场操纵,并且会以固定的速度继续运动,直到与真空室壁或其他粒子碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 逻辑操作符中使用闪存产生一个输出的逆或结果。
  • 一层薄薄的膜,促进一个随后沉积膜的生长。
  • 一个疑似缺陷报告缺陷检验可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。抑制骚扰,或“虚警缺陷是一种先进的缺陷检测系统的关键功能。
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O

  • 氧化物-氮化物-氧氮化物;多层金属氧化物半导体闸极介电层。
  • 光子的发光器件发射的电子空穴在有机半导体薄膜的交互。
  • 离子注入,晶片晶格结构相对于光束的方位角。在不同的方位,不同的掺杂剂渗透深度沟道将获得的。
  • 离子注入,将离子束扫过晶片边缘以达到均匀性的实践剂量在晶圆周边。
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P

  • 半导体材料,带正电的电导率(电子)的不足。
  • 所有电路元件的固有电容,例如互联晶体管使他们的行为偏离理想的电路元素。
  • 在半导体中,特别是指之间的间隔太近导体的电容,从而影响等串音
  • 可以减少寄生电容降低介电常数,或K值的绝缘子之间相邻的电路元素。
  • 从左到右按相对频率递减顺序绘制值的垂直条形图。用于分析首先需要注意什么问题。
  • 一层的半导体器件在电路元素,形成一个密封作为最后一步在制造业或保护化学活性材料反应之间的晶圆传输处理工具。等离子体氮化物和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造,创建所需的电路晶片几何。通常指的结合光刻和图案薄膜沉积和等相关流程腐蚀
  • 一片透明的聚合物,搭在框架上以保护光掩模的图案化区域免受空气污染。在暴露期间,任何污染举行的焦平面,因此没有“打印”在晶片上。
  • 一个光掩模,利用相位差异所产生的干扰,提高图像分辨率在光刻。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO与磷提高防潮性和回流特征。也称为磷硅酸盐玻璃。
  • 熔融石英(石英)板,通常为152mm正方形,覆盖着不透明的图案,在光刻定义集成电路的一层布局的过程。
  • 光敏有机聚合物公开的光刻过程中,然后开发出用于识别待蚀刻底层膜的区域的图案。
  • 相邻特征的中心之间的距离,例如互连线或联系洞。
  • 任何创建配对的模式化技术,来自单个的特性光刻具有原始图像的一半,因此,比光刻工艺本身能够创建更小的图案。有时被误称为音高加倍。
  • 平板显示器技术,描述显示器上各个像素之间的距离的分辨率测量。通常用每英寸像素表示,或ppi。
  • 一个不均匀的晶片表面的过程是由使用较少,选择性较少腐蚀或通过相对平坦化学机械抛光
  • 第四个物质状态——不是固体,液体或气体。在等离子体中,电子挣脱了原子,可以独立地移动。单个原子带电,尽管正电和负电的总数是平等的,维护一个整体电气中立。
  • 在完成晶体管的末端沉积的绝缘层菲奥尔第一金属的加工互连形成层。
  • P -通道MOS晶体管的活动载体孔流动p型源和排水地区之间形成一个静电p沟道在n型硅衬底。
  • 一个RTP用来减少泄漏电流步没有驱动电流损失后栅氧化层氮化的创建门堆栈
  • 一种在DRAM制造中通常用于栅极电极的膜堆,由硅化钨组成的多晶硅
  • 多晶硅(或半晶硅,多晶硅,poly Si或简单的“聚)是一种硅材料组成的多个小晶体。广泛用作导体/门材料在一个高度掺杂状态。聚膜通常通过使用LPCVD的过程。
  • 用于离子注入用于减少沟道通过故意amorphizing前一个地区掺杂剂植入,从而使获得更均匀的掺杂剂的配置文件。在一个amorphized地区没有引导,通过定义。pre-amorphization植入物通常是用氩气等惰性元素。
  • 最后一次植入是在金属沉积之前完成的。
  • 在集成电路或其它器件的制造中执行的一种操作或一组顺序操作。
  • 一个封闭的区域,一个进程执行的制造集成电路或其他设备。
  • 优化每个流程步骤正常工作之前和后续步骤顺序流程。
  • 一个类型的触摸屏,由一个网格的电极检测静电场引起的扭曲的存在导电物体如手指或导电笔。
  • PCT面板通常用于应用程序需要同时的精确跟踪多个接触点,比如智能手机和平板电脑。
  • 把光转换成电的过程。太阳能光伏是利用太阳辐射发电。
  • 一种树脂用于制造薄膜光伏模块。光伏电路,在一片玻璃上形成的,覆盖着一层聚乙烯醇缩丁醛,然后呢后面的玻璃。然后将该组件层压以封装电路,保护它免受环境的影响。
  • 工艺中,原子的导电材料(铝、氮化钛,等。)气急败坏的说从一个目标纯材料,然后沉积在基板上,以在集成电路内创建导电电路,或者平板显示器
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  • 由四极交替排列成圆的符号产生的磁场或静电场;用于集中一束带电粒子。
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R

  • 一个APC允许在机器之间修改加工参数的技术跑使可变性最小化。
  • 原子或原子群,具有至少一个未配对电子,因此不稳定,反应性强。
  • 电磁辐射频率从大约3千赫至300兆赫。
  • 光谱化学分析的方法,这依赖于单色光的非弹性(拉曼散射)。可以实时监测和反应特性的化合物以非接触的方式。
  • 一个退火将晶片加热到指定温度一段短时间的过程。
  • RTP是反复使用在半导体器件制造等目的激活植入的掺杂剂或改变材料的状态(或阶段)以增强期望的属性(例如,电导率)。退火可以使用三种技术进行——浸泡,尖峰,和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备的宽容能够承受一定的温度/时间暴露在一个特定的制造点序列。一般来说,设备能承受长时间的暴露(30 - 90秒),也称为浸渍退火,在制造周期的早期,在高温下。随着循环的进行,如果需要高温,则必须降低温度或显著缩短暴露时间。高峰退火后者和用于- - - - - -排水植入物的激活和扩散以及高k/金属大门制作。
  • 一个向内倾斜。是指的胎侧凹特征。
  • 记忆参数为特定的流程步骤,如气体流动温度和压力。一般来说,相同的配方用于所有晶片许多
  • 额外的金属层芯片的输入/输出垫集成电路在其他地方,简化到成键。
  • 要求增加可再生能源生产的规定,如风能,太阳能,生物量、和地热能。另一个常见的名称相同的可再生能源标准(RES)的概念。
  • 导电材料与通过它的电流相对的程度的测量。
  • 离子注入,小光圈,通常在分析仪之后直接发现,这解决了梁只有一种类型的分子或原子与一个特定的指控。
  • 公寓透明板,用于步进包含薄片的形象图案复制在晶圆上。经常交替使用光掩模
  • 苹果公司的商标,用于描述像素密度足够高以至于人眼无法区分单个像素的任何显示器。
  • 注意,这个术语并不直接与像素密度,因为它包括观看距离。手机屏幕资格作为视网膜显示它应该有一个像素密度超过300 ppi,但电视只需要大约50 ppi。
  • 一个类型的物理气相沉积过程,使用电感耦合等离子体允许较低的离子能量比传统PVD反应堆,因此更温和的沉积机制,可以创建非常薄,事实上电影和几乎消除损害底层电路特性。
  • 离子注入,电子束被关进一个矩形截面允许整个晶片表面覆盖的转向光束沿着一个轴。与必须前后扫描以覆盖晶片的点光束相反。
  • 一种蚀刻技术,使用化学反应等离子体来去除沉积在晶片上的材料。高能离子从等离子体与材料在晶片表面反应。
  • 真空泵用于真空系统的初始抽真空的机械泵这个过程被称为“粗加工。”“
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S

  • 应用材料的术语来描述金莎客户端化学汽相淀积流程执行略低于大气压力TEOS/臭氧化学。
  • 一个双重曝光技术采用牺牲侧壁间隔电影来实现音高减半。也称为侧壁间隔物双图案(SSDP)或间隔物定义的双图案(SDDP)。
  • 自我调整的收缩硅化物。Salicide处理技术旨在利用原则,难熔金属图案的硅衬底上沉积会选择性地与暴露在特定的处理条件下,硅反应并且不会与相邻的材料反应,如氧化硅材料。因此,不需要任何图案化步骤。
  • 离子注入,离子束的运动相对于薄片以覆盖整个晶片表面。
  • 一个组件的离子注入机或者移动离子束穿过晶片,或者通过离子束移动晶片。这可以通过磁场来实现,静电场或机械运动。
  • 显微镜采用电子束而不是光来照射样品。光束在样品表面来回扫描。
  • 晶体硅太阳能光伏制造、用开阔的区域支撑模版的编织材料片,通过该开阔的区域银浆或其它材料被辊子或刮刀迫使在晶片上形成图案。它是类似于光掩模在半导体制造。
  • 离子注入,薄的,氧化硅牺牲层停止流浪离子混合离子束和将随后删除。此外,氧化屏幕略散射主要离子束从而阻止沟道
  • 软件协议用于规范半导体制造设备和主机之间的通信控制系统。它被设计成通过建立一组通用的指令来简化工厂自动化,这些指令可以被工厂
  • 一个成核层成核的材料是一样的随后沉积膜。
  • 一种提高晶体硅转换效率的技术。光伏太阳能电池。选择性发射器重掺杂区域精确放置在前面的金属接触线为了减少电接触电阻,并允许电力更自由地流动。掺杂区域通常通过沉积来制造。掺杂剂粘贴在晶片表面上,然后在上面印刷接触线。
  • 两种材料在蚀刻过程中观察到的蚀刻速率的比率。通常用于指用于去除的材料的相对蚀刻速率,以及面具,和腐蚀模式忠诚的一个重要指标。
  • 电导率介于金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的一种材料,可通过添加掺杂剂
  • 易分解成硅和氢的气体,硅烷常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或与氧形成二氧化硅。
  • 一种退火(烧结)工艺,导致形成金属-硅合金(硅化物)作为接触。例如,钛沉积在硅形式TiSi2 silicidation的结果。
  • 与更阳性元素硅的化合物。镍,钽、钛合金和钴硅化物薄膜用于创建晶体管连接电阻(低)联系。硅化钼通常被用作吸光层掩模。硅化钨矽化物用于DRAM栅电极。
  • 最常见的介质用于半导体制造的材料,由于其通用性和稳定性。也简称为“氧化物“,它可以在硅片上通过热氧化法生长或者通过热氧化法沉积。PECVD高密度等离子体化学气相沉积过程。
  • 利用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时松散称为罪恶。
  • 光伏电池由一个单一的pn结。这包括非晶硅薄膜和大多数晶体硅细胞类型。
  • 大功率磁控管来源物理气相沉积流程给予足够的能量的等离子体等气急败坏的说金属原子被电离。然后可以使用电场使金属离子向晶片加速,创建一个更定向沉积模式,从而更高一步覆盖率小几何结构。
  • 源掩码优化(SMO)是一种用于光刻为了弥补由于畸变图像错误,衍射或工艺效应。
  • 采用硅+绝缘层+硅的硅基体使用分层在半导体制造业。SOI衬底提供减少寄生电容与内置于块状晶片中的装置相比,在集成电路中的相邻装置之间,使减少能耗,从而提高设备性能。
  • 一种直接将阳光的能量转换成电能的装置。光伏的效果。多个细胞连接在一起形成模块
  • 可使用的光伏电站。
  • 轻,掺杂地区从排水在晶体管通道为了分散电场在晶体管的操作设备。没有扩展,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极电介质并导致器件失效。
  • 这个离子注入过程用于创建source-drain扩展的一个例子损害工程
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造中的质量控制的方法。
  • 固定冷却的金属板,位于植入盘顶部,期间,抓住了离子束过扫描
  • 不同的时候食谱在一个使用许多实验目的来提高性能的一个特定的过程步骤,这批被称为分批。
  • 一种沉淀的方法一个原子被逐出固体的电影目标由于高能粒子轰击目标而产生的材料。
  • 光伏晶圆制造、硅锭切割成矩形块使用专业线锯。方块,或砖块,然后在晶圆化的过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中,该晶体管具有两个稳定状态。
  • SRAM单元是复杂的,而且在芯片上消耗的面积大于动态随机存取存储器细胞,但更迅速、更省电。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常用芯片上的SRAM单元来制造,用作高速缓存存储器,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 特征两侧的膜厚与底部膜厚的比率(例如,通过)或在一个特性(例如,分别FinFET的鳍)。
  • 用于传送刻度盘的设备(光掩模)模式到晶圆上。同样的模式转移到每个死亡在晶片上。
  • 一种将每个晶体管或存储单元与其邻居隔离以防止电流泄漏的技术。该技术采用在硅中蚀刻的沟槽图案,填充有绝缘材料,如二氧化硅。
  • 流程用于半导体制造中引入应力晶体管和记忆细胞通过扭曲的晶体点阵。在逻辑,这使得电力移动更容易通过晶体管,提高晶体管性能。在记忆中,压力也可以降低泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种切割线中使用线锯这是形成,或卷曲,锯齿波或类似的概要文件以增加切削速度。
  • 操纵薄膜所用的材料。硅是半导体和同单晶硅光伏电池最常用。玻璃是常用的液晶和薄膜光伏应用。
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T

  • 太阳能光伏电池类型,使用多个光转换材料来提高转换效率。串联结薄膜硅电池,例如,使用非晶态硅和微晶的层。
  • 物理气相沉积,目标是沉积材料的来源。由于高能粒子的轰击,原子从靶中射出。
  • 掺杂金属氧化物薄膜用于光电子器件,如平板显示器,触摸面板和光伏发电。在液晶显示器,TCO层形成产生的电场极化的电极液晶。在触摸板,TCO层用于传感电极。在光伏,TCO形成电池的顶部电极。
  • 一种透射电子显微镜,通过超薄样品传输电子束。它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率更高。
  • 用于氧化物沉积的液体源,正硅酸四乙酯是具有
    式Si(OC)H)
  • 终端效应是电化学沉积由此,在晶片边缘处沉积的薄膜趋向于比中心处厚。它源于电压降,电压降发生在负端子接触晶片边缘朝向中心的地方,由于晶片的电阻。这种电阻的主要组成部分是种子层通过以下方法沉积在晶片上物理气相沉积在电镀工艺之前。在每一个技术节点,种子层空气越稀薄晶片的电阻率增加,并加剧了终端的效果。这种影响可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿,该电流密度控制系统可以调节施加在晶片上的电压,在晶片上形成均匀的沉积。
  • 一个类型的液晶显示器显示使用薄膜晶体管位于每个像素直接驱动液晶的极化,从而控制该像素是否打开和关闭。
  • 从纳米到几微米厚的材料层。
  • 一个MOSFET与薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶片的数量工具可以每小时处理一次。
  • 用于指半导体加工设备的术语。
  • 在半导体中,non-planarity生成的制造晶片表面的特性。由于步进光学系统可能会导致部分的规范模式。还用于描述由不同材料去除率引起的不均匀性。化学机械抛光
  • 一个类型的计算机界面,检测笔或手指的存在典型的矩形区域。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏
  • 一种显示器,比如一个液晶显示器AMOLED包含一个触摸屏让用户直接交互显示的图像,而不是间接的通过鼠标或轨迹球。
  • 一个工具几个步骤需要集成过程光致抗蚀剂(沉积,软烤,曝光,发展,硬烤)在半导体制造业。
  • 半导体器件,用于开关和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 在晶片上蚀刻的槽,用作器件结构的一部分。
  • 电容器内置一个在基板上。这种技术允许在不增加形成电容器所需的晶片面积的情况下增加电容。
  • 一个类型的二次真空泵用于创建一个高真空。高速涡轮叶片,与固定叶片交替,将气体分子压缩到泵底部,以便通过粗泵去除。
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U

  • 一种分辨率为3840×2160像素的数字视频格式。
  • 也被称为2160p和4K,UHD的像素数量是传统HD 1080p视频的四倍。
  • 一个地区的半导体制造集中在减少的厚度交汇点这种形式的排水地区先进的晶体管为了提高性能,同时保持可接受的泄漏电流和击穿电压。
  • 沉积过程在倒装芯片包连接死焊料的衬底。
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V

  • 一个压力低于大气环境,常指具体的压力范围:
  • 粗真空,从大气到1x 103托尔
  • 高真空,1×103托尔比1×109托尔
  • 超高真空(特高压)- 1 x 10以下9托尔
  • 离子注入,设备用于固态离子源材料转化为气态的离子束生产。
  • 垂直路径通过介电层之间的电气连接互连层。
  • 芯片和10之间,000和1,000,单个管芯上有000个晶体管。这个术语经常被扩展到描述具有任意数目大于10的晶体管的芯片,000。其他方面,如超大规模集成电路(ULSI)创造的,但已不再广泛使用。
  • 也称为3 d NAND数组。
  • 一个班的闪存架构在多个二维数组的内存细胞垂直分层在单一基质(相对于叠加使用wafer-level包装)。
  • VNAND是增加的一个方法钻头密度没有必要减少每个细胞的大小。
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W

  • 薄的,单或的圆形或近方形切片多晶体硅半导体和光伏电池。
  • 几种组合技术集成电路分开的死亡在一起形成一个单一的功能器件。
  • 把硅锭或砖块分成晶片的过程。
  • 内衬由金属或石墨制成的保护性内衬,安装在波导。不需要的离子物种在这些衬垫上放弃它们的能量。
  • 精密卷绕对位涂层技术的另一个名称,在柔性材料卷上沉积材料薄膜。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学方法从衬底上去除不需要的材料或污染物的方法。
  • 能够均匀地铺展在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 在硅晶片的制造中,使用移动的线执行三个关键步骤的机器。
  1. 修剪-去除单晶硅锭的锥形端
  2. 正方形-把圆柱形的切边锭子变成矩形块,或砖头。在多晶晶圆制造、这个步骤用于将大铸锭切成砖。
  3. 压扁,把砖切成单个晶圆
  • 盖茨的之间的联系晶体管在某个内存数组段的行。
  • 瓦特峰用于在理想辐照条件下输送的太阳能电池的电力的太阳能工业单元。
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Y

  • 产品的百分比。晶片或死亡)生产过程符合规范。
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