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  • 硅片的尺寸大约8英寸直径。也用于指工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
  • 直径约为12英寸的硅片。也用于指工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
  • 另一个名称UHD数字视频格式。
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一个

  • 过程中有毒或其他有害物质从一种液体或气体。例子包括去除铜粒子化学机械抛光淤浆或将液体或气体有毒废水转化成安全形式进行处理。
  • 半导体中的杂质,接受电子。硅硼的主要受体用于涂料离子注入过程。
  • 一个存储单元用于临时存储在制品生产线。
  • 离子注入,将原子引入晶体管的一部分以改变其材料性能的过程;在最常见的应用程序中,,掺杂剂原子变得具有电活性,即。罪名载体产生并增加注入区域的电导率。
  • 当注入掺杂剂原子时,硅晶体点阵被打乱了,或amorphized。随后,使用以下方法修复网格RTP,在此过程中,掺杂离子占据了晶格中的取代位和电荷。载体被创建。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器。OLED控制像素薄膜晶体管
  • 每个像素的AMOLED显示屏直接产生光,不像一个TFT-LCD其中,整个显示器由背光从背后照明,并且由控制液晶在每个像素处的偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • AMOLED显示屏比液晶显示器的关键好处是,因为“关闭像素使用任何力量,整体能耗大大降低。
  • 一个类型的二元光掩模使用一个不透明的莫西人层的吸光层。一个极薄的铬层之上和作为硬掩模用于蚀刻工艺。也被称为一个不透明的玻璃上莫西人(OMOG)光掩模。
  • 一层薄膜沉积技术材料的沉积单层材料的一小部分。
  • 一个类型的PSM其具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,从而在透射光中引入180度相移,以提高对比度,从而提高晶片上投影图像的分辨率。
  • 在微芯片内形成晶体管和其他电路元件之间的连接的铝通道。
  • 没有晶体结构的一种硅沉积。
  • 光伏,非晶硅是一个重要的薄膜技术。
  • 液晶显示器制造、a-Si是最广泛使用的。背板类型。
  • 离子注入,一块磁铁用于分析离子物种根据原子量并选择所需的离子。
  • 长度单位;一个一米的10000000000。
  • 高温处理步骤,设计用于修复晶片晶体结构中的缺陷或诱导相变。
  • 离子注入,的开口的离子束直接定义了光束的形状和大小。
  • 光吸收层(通常是氮化钛),沉积在金属或多晶硅上,改进光刻的性能。
  • 一个类型的PSM允许少量的光透过某些区域以干扰来自掩模的透明部分的光,为了再次提高晶片的对比度。
  • 在光伏模块制造、使用一个高压蒸汽气泡将被去除,提高粘附层压膜和玻璃基板之间通过对模块的温度和压力升高。
  • 任何具有移动盒式磁带的搬运机器人的设备,豆荚,或片盒与固定设备。
  • 一种技术采用晶片检查系统即缺陷放入几类基于他们的物理和光学性质。
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  • 覆盖整个太阳能背面的金属层光伏电池,充当导体。
  • 也指先进细胞技术设计等其中电池的两个端子位于晶片的背面,从而增加细胞的聚光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能模块的底层,它提供了刚性和电气绝缘。电流通过提取模块接线盒通过后玻璃上的孔连接到电路上的。
  • 在真空抽吸过程中,通过加热加速真空系统或部件的表面脱气的技术。用于减少达到超高压所需的时间。
  • 除了太阳能模块必要的组件功能的太阳能光伏发电系统,包括安装结构,电缆敷设,逆变器土地和维护。
  • 一个物理层旨在防止混合层上方和下方的阻挡层。
  • 一种同时处理多于一个晶片的处理序列,相对于单晶片(串行)处理。
  • 离子注入,任何不受欢迎的物种或离子电荷的离子光束。
  • 离子注入机端站中的扫描电流,定义为产品的数量,速度和物种的梁。
  • 离子注入,一种带负电荷的电极,用来反射缓慢移动,带正电荷离子。(见静电镜
  • 晶体管制造后的一系列流程步骤通过完成晶片,在电气测试之前。也被称为半导体制造的后端。术语“后端”也指晶片完成后芯片制造的那些部分,即。划片,包装和测试。
  • 在存储器件的衬底的给定区域中,对存储器单元紧密封装程度的度量。
  • 一般来说,更高的位密度是可取的,因为它会增加性能和降低cost-per-bit。
  • 通常以每平方英寸的位为单位。
  • 行信息是通过写/读/从记忆细胞。
  • 一个参数用于沉积描述一个过程的能力在底部沉积材料的电路特性与晶片的上表面相比,或领域。它被定义为场中薄膜厚度除以给定特征底部薄膜厚度的比率。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO硼和磷提高防潮性和回流特征。
  • 一个缺陷检查技术,收集光线折射一个缺陷,创建其中缺陷在白色背景上呈现为暗的图像。一般来说,明场系统更灵敏,但低于暗场检查。Brightfield检查通常是用于查找在晶体管制造模式所带来的缺陷。
  • 全身服装,人事穿的一种全身服装洁净室减少颗粒和污染物的释放到空气中。
  • 在薄膜PV模块中,相对较大的导电带,收集从单个太阳能电池。
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C

  • 材料的程度可以存储电荷。
  • 电子组件用于临时存储电荷。它由两个由非导电材料隔开的导电表面组成。介质
  • 电子或,携带电荷通过导电或半导体材料。
  • 一项措施,通常在cm中指定/v·s,关于电荷载体(电子或)可以通过半导体在回应一个外加电场。材料的电导率成正比流动性乘以运营商的浓度。高迁移率在半导体器件中是非常理想的,因为它通过更快的晶体管开关导致更高的器件性能。
  • 打开一个金属或塑料容器用于运送晶片(通常是25)与一个工具。盒式磁带保护晶片免受直接操作可能造成的损坏。
  • 一种使用镉碲化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池。
  • 用于蚀刻的参数来描述的精度蚀刻过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值的变化(光盘)测量几个点的底物

计算流体动力学,流体力学的一个分支,利用数值方法和算法解决和分析问题涉及到流体流动,,

  • 在一个FET,英吉利海峡是电子的半导体区域之间的流动排水终端,由施加到大门
  • 离子注入,将发生在一些离子光束的晶片之间的原子晶格结构的单晶硅和穿透更深的比其他离子。由于不能精确地计算或控制植入物的深度,所以沟道化是不可取的。引导可以减少倾斜或旋转晶片,用氧化网覆盖其表面,或者对硅进行预非晶化。
  • 失去电子的原子粒子电离原子。
  • 二硒化铜-铟化铜:一种使用铜化合物的薄膜太阳能电池材料,铟,硒。第四个元素,镓,也可以添加到化合物(CIGS)中以实现更高效率
  • 制造厂内的一个区域,用来调节空气,以除去可能妨碍半导体器件正确工作的空气中微粒。
  • 一个金属氧化物半导体由成对的p-组成的装置通道和n沟道晶体管。
  • 也用来指制造工艺家族,用来构造以CMOS晶体管为特征的集成电路。
  • 这一过程使用一个研磨,化学活性浆物理磨损的微观地貌部分晶片,以便后续处理流程可以从平面开始。也称为化学机械抛光。
  • 一个离子注入技术植入两个物种的同一地区材料以提高掺杂区域的电气性能,通常提高晶体管性能。
  • 例如,non-dopant原子,例如氟或氮可以与掺杂物如生产超浅硼管理办公室晶体管渠道通过改进掺杂剂激活和一个非常尖锐的过渡从掺杂到无掺杂区域。
  • 包的底部表面平行于印刷电路板表面着陆
  • 一层液晶平板显示器分为透明区域的红色,绿色和蓝色,每个覆盖一个晶体管开启一个全系列的颜色。
  • 使用计算机系统和软件来帮助创建、修改,或者分析2D或3D设计。
  • 制造方法使用计算机来控制整个生产过程,允许各个步骤交换信息和发起动作。
  • 一个材料,包含移动运营商收取,如电子或离子。
  • 功能在芯片上形成第一之间的电气通路互连层和晶体管。这个地区经常充满钨。
  • 在射频等离子体一代,指保持恒定频率和振幅的波形,与"相反"脉冲的调制供应的交付,通常在两个不同的振幅之间,在100 - 1000赫兹的频率范围。
  • 一个互连结构使用铜作为导电材料,与铝互连相比,提供更高的器件速度和更低的功耗。
  • 薄铜层,通常存入物理气相沉积,它充当湿润和成核层,用于随后成功地通过以下方法沉积铜块体膜电镀法
  • 一个掺杂沉积包含所需材料的共形层的工艺掺杂剂然后使用热过程将掺杂剂驱动到底层电路结构中受控的深度。CPD涂料提供了一个手段复杂,三维结构。兴奋剂是传统上由离子注入,狂轰乱炸的晶片与掺杂物离子移动速度高。然而,这种视线轰击工艺不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子会损伤超薄半导体芯片中的半导体层。CPD设计用来解决这两个问题。
  • 光刻,CD的最小特征尺寸的图案晶片。在其他半导体工艺中,CD是大小的特性发现在几个点底物用于描述给定过程的准确性或其他特性。
  • 一个不良的影响,让一个信号在电路元件,比如一个互连线,影响附近另一个电路中的信号。在半导体中,耦合通常是寄生电容在这两个电路之间。
  • 一种辅助真空泵捕获气体分子通过低温冷冻和吸收。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即。允许返回到环境温度以解吸和抽走捕获的气体。
  • 原子排列成有序周期阵列的材料。
  • 太阳能电池技术的通用术语使用的纯化硅衬底晶体结构。
  • 一种通过使底物到一个或多个动荡的前体,在衬底表面反应和/或分解。
  • 晶片在制造过程的特定部分中加工所需的时间量。
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D

  • 非反射,non-energy-absorbing,无机介质在金属或多晶硅上沉积的层以便改进光刻的性能。
  • 一个缺陷检查利用探测器收集散射光使缺陷在暗背景下显得明亮的技术。通常用于寻找粒子在晶圆上互连制作。与brightfield检查。
  • 紫外光谱的一部分与波长300纳米以下。
  • 流程缺陷在哪里位于有图案的晶片。创建缺陷位置列表并将其传递给DR-SEM用于回顾和分类。
  • 一个类型的扫描电子显微镜用于在晶片制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 过程用于沉积一薄层绝缘或导电材料到衬底上。
  • 概述集成电路设计和布局的几何和连通性限制的规则。
  • 在半导体制造,硅片的面积功能电路所编造的。很多相同的模具(替代复数死和骰子)在每个晶片制作的。
  • 一个绝缘体
  • 也使用更具体地说,是指一个绝缘子电场极化的应用。两种电介质中常用半导体加工是二氧化硅(SiO)和氮化硅(Si3.n)。
  • 大锥形轮在一个批处理离子离子注入机用于晶圆中离子注入。在每个晶片的末端安装一个晶片说“的磁盘。随着磁盘旋转,每个晶片依次通过离子束,该离子束被径向扫描,以提供均匀性。剂量横跨每个晶片。
  • 杂质,杂质,杂质以受控量添加到材料中以改变某些内在特性,如电阻率或熔点。向半导体中添加掺杂剂会产生主要为负(负)的材料。n型或阳性(P型(根据掺杂剂种类而定)载流子。
  • 粘性液体或悬架包含掺杂剂材料。
  • 杂质的引入,或掺杂物。进入晶格的材料来改变其电学性质。要创建n型区域,砷(),胂(灰3.),磷化氢(PH值3.通常使用锑。对p型区域,典型的掺杂物是硼(B),硼二氟化物(男朋友以及三氟化硼3.)。
  • 总金额掺杂物离子/厘米测量需要给注入的晶片提供期望的电特性。
  • 精密电流测量装置用于计算离子植入晶片的总数。函数有时是结合统一监控。
  • 一类模式技术旨在提高电路的密度特性,可以在晶片超出正常生产特定的光刻技术的局限性步进。见pitch-halving萨达普
  • 太阳能技术光伏制造业在接触线或其他结构建立在多个精确追踪丝网印刷业务。
  • 示例应用程序的双重印刷包括窄的制造,高接触线和选择性发射极细胞类型。
  • 使用电感耦合的方法来生成氮等离子体和氮合并到超薄栅氧化层的顶面层增加栅极电介质的介电常数。
  • 一个类型的ICP等离子体源主要用于蚀刻应用程序分离管理的等离子体密度和离子能量,导致高蚀刻速率和最小的等离子体对衬底的损伤。
  • 一种挥发性的计算机内存,每个存储在一个单独的电容器。因为电容自放电随着时间的推移,每个比特的状态必须每秒刷新大约15次,因此,术语“动态“。与“静态的“闪存
  • DRAM提供最快的任何类型的编程的内存,使其非常适合直接连接到微处理器作为主存储器使用。
  • 一个波纹的设计成同时用铜形成和填充两个特征的工艺,例如,一个覆盖一个通过愿都充满一个铜沉积步骤。
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e

  • 在太阳能光伏技术中,事件的一部分太阳能转换为电能。
  • 由于导电电子和扩散金属原子之间的动量转移而引起的导体中离子运动引起的材料运动。
  • 从化学溶液中除去金属并沉积在带电表面上的沉积过程。也称为电化学镀,电镀,或电沉积。
  • 通过电解进行,的过程是分离液体进入不同的化学部分通过电流通过。
  • 带负电荷的稳定亚原子粒子,用作电的载体。
  • 离子注入,在晶片附近的终端站中的电子源,用于中和正电荷注入离子中不希望产生的电荷,这些电荷会损坏敏感电路特性。
  • 由一个电子获得的能量(或质子,(相同大小的电荷)通过1伏的电压差。在离子注入,电动汽车作为测量一个粒子的动量。动量大的粒子比动量小的粒子穿透半导体晶格更深。
  • 静态电压领域中没有电流流动。在离子注入,它指的是使用电压来弯曲或聚焦离子束。
  • 一种高级的背面接触PV电池。发射器将通过细胞结构,连续发射器通过直径小于100微米(微米)的数千个激光钻孔孔扩散,将电流带到电池背面。通过消除前触点,易提高光吸收和提高电池效率。
  • 同时,被称为end-of-range位错环,三次采油硅晶格的缺陷缺陷发现立即低于之间的接口amorphized和结晶区域的晶体管通道离子注入
  • EOR缺陷可以通过以下方法最小化低温植入
  • 一个beamline在某些瓦里安语中使用的元素离子注入机同时减慢离子束的最终能源和过滤删除不必要的高能离子束组件,可以“诽谤”晶体管通道,导致泄漏电流增加和降低性能。
  • 大量用于比较门的性能介质材料表明多厚硅氧化膜需要产生同样的效果作为电介质材料被使用。
  • 大量用于比较high-k介电性能的金属氧化物半导体盖茨与盖茨SiO2-based金属氧化物半导体的性能。它显示了二氧化硅的厚度栅氧化层需要获得相同的栅极电容作为一个厚二氧化硅介质介电常数较高的k(例如,使用具有k=39(SiO2的k为3.9)的10nm厚的电介质将导致1nm的EOT]。
  • 沉淀的方法,或生长,一种单晶薄膜,其中沉积的薄膜具有与基底相同的晶格结构和取向。这使得一个高纯起点构建一个半导体器件。
  • 一个APC监控处理工具的技术,提供可视化和统计报告工具,以识别瓶颈并改进工厂性能。
  • 去除材料的过程在指定区域通过化学反应或物理撞击。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或在真空(干燥)下进行,通常使用等离子体来生成气相反应物。
  • 的材料是在删除蚀刻处理,通常表达/ s或纳米/ s。
  • 一层膜用来限制蚀刻深度和保护基础材料。ESL被选择为耐蚀刻化学使用。
  • 一个光刻使用13.5 nm EUV照明技术。它代表了一个显著的背离杜夫光刻,因为所有的光学元件都必须以反射模式工作,整个光学系统必须保持在真空状态。
  • 离子注入,提取电极用于从源极提取带正电的离子。离开源的离子在下游结合形成用于注入的光束。掺杂物硅晶片。
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F

  • 常见的半导体制造工厂的名字,工厂用于生产集成电路。
  • 也被称为嵌入式Wafer-Level球阵列。芯片封装方案未创建包的硅片,但在一个人工晶片的成型材料(例如,环氧树脂)。芯片之间的距离通常大于硅片上的距离。在芯片周围建立互连,并且从芯片焊盘到互连建立电连接。任意数量的包装上可以创建额外的互联以任意距离(扇出设计),使得该方案对于空间敏感应用是理想的,其中芯片面积将不足以将所需的互连数量放置在适当的距离。
  • 一个APC技术,使用流程状态模型,推导出故障的发生和位置条件和诊断故障的原因。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。FEOL通常涵盖了起来(但不包括)的沉积联络和金属互连层。术语“前端”有时用于指整个工艺过程到完成的晶片。
  • 一种依靠电场来控制晶体管载流子在半导体材料的流动。
  • 一个超净的外壳安装在半导体前处理系统,将晶片转移到和从洁净室环境的内部系统。
  • 中使用的一个术语沉积用于描述晶片的顶表面不同于电路特征表面的应用,例如低于顶表面的沟槽和通孔。
  • finFET是一个类型的FET其中传导通道三面环绕着薄硅”鳍”形成晶体管的城门。虽然从技术上讲,仅指设计有两个大门,这个词常被用来描述任何multi-gate晶体管结构,无论盖茨的数量。
  • finFET的主要设计目标是在晶体管处于关闭状态。
  • 一种不需要功率来保存数据的非易失性存储技术,不像动态随机存取存储器。“flash”来自这样一个事实:大量的记忆擦除和编程,从几百美元到几千比特。这种无法寻址单个位的能力使得它太慢而无法直接连接到微处理器,但flash的机械鲁棒性和低成本使它适合大规模存储在移动设备上。
  • 任何消费者显示设备,比如一个液晶显示器阿莫勒,具有平面表面,与阴极射线管显示器的弯曲前部形成对比。
  • 是用于互连半导体器件的方法,如集成电路芯片和微机电系统(MEMS),到外部电路与焊料凸点已经沉积到芯片焊盘。
  • 一个物理性质在空间的流动,经常也随时间变化。
  • 在LED技术,LED的端电压是必需的,为了产生一个指定的光输出。这也是导致的电压低于不会产生任何光。
  • 容器与静止的盒式对襟接口使用自动物料搬运系统阿姆斯)。FOUP减少粒子的使用数量在晶片因为FOUP孤立于环境的内部工厂环境。
  • 一种无形的绝缘材料(k = 3.5)由掺杂SiO与氟常用于铜互连层之间。又称氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 一个终端的FET控制电流之间的流动排水终端。
  • 一个术语,一代的简称,中使用的平板显示器描述玻璃尺寸的制造底物
  • 每一代大约比其前辈大80%。
一代 典型的尺寸(毫米) 面积(m²) 介绍

第2代

400 x 500

零点二

1993

第3代

620 x 750

0.5

一千九百九十五

创4

730 x 920

0.7

二千

创5

1,000×1,200
1,200×1,300

一点二
1.6

二千零二

创5.5

1,300 * 1,500

2004

创6

1,500 * 1,850

2.8

2003

创7

1,870×2,200

4.1

2004

第7.5代

1,950×2,二百五十

四点四

二千零五

第8代

2,160×2,460

五点三

二千零六

第8.5代

2,200 x 2,500

5.7

2007

创10

2,880 x 3,一百三十

9.0

二千零八

  • 一个过程,包括洗手,戴着手套,头巾,面具,鞋覆盖物,在工人进入洁净室之前,还要穿其他专门的衣服。
  • 支持区域或服务区域外立刻洁净室,让服务人员没有进入洁净室本身执行日常维护。
  • 一个缺陷检查技术使用探测器收集收集中期和高射角散射光,使缺陷出现明亮的在一个黑暗的背景下。通常用于找到小模式缺陷超出光学分辨率。与brightfield检查。
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H

  • 一个面具这是比光刻胶更耐腐蚀,高刻蚀时使用选择性比可以通过使用光致抗蚀剂是必需的。
  • 等离子体中高浓度的自由电子,因此,高浓度的离子。
  • 一种plasma-enhanced化学汽相淀积表现在高真空和高血浆励磁电压以提高能力来填补小高纵横比的结构。
  • 一类发光二极管产生足够的光用于照明的应用程序。应用包括LCD显示器的背光,房间的照明和汽车外部灯。确切地说,一个LED必须有多亮才能符合高亮度没有定义良好。最简单的定义是太亮直接看。
  • 在半导体中,空穴是晶体晶格中可能存在的电子的缺失。它可以被认为是相反的一个电子,带正电荷,正电荷大小和电子完全相同。如果,在一个电场,一个电子移动到这个空位,这个孔有效地向相反的方向移动。
  • 与设备通信的智能工厂系统用于半导体制造。在半导体中,这个秒/宝石使用协议。
  • 已知容易发生故障的地区
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  • 一种等离子体源的能量是由电流产生的电磁感应,也就是说,通过时变磁场一般从真空外壳外部施加。
  • 一个光刻分辨率增强技术,它用液体介质(如水)代替最终透镜和晶片表面之间的通常气隙。

对晶片的检查,以检测各种类型的缺陷(例如,划痕,粒子,损坏的特性)半导体制造工艺流程中的每个步骤。

  • 绝缘的材料用于隔离装置的电活动区域或芯片。一些常用的绝缘材料是二氧化硅,氮化硅,,BPSG,和巴黎圣日尔曼
  • 一种电子器件,由许多元件组成,在单个硅衬底上共同制造。
  • 集成电路中将晶体管彼此连接以及外部连接的线路。
  • 用于集成电路金属层之间的绝缘膜。
  • 在相邻金属线之间使用的绝缘膜。
  • 一层硅或一些其他合适的材料,用作一个插座或连接到另一个插座之间的电气接口路由,以将连接扩展到更宽的间距或将连接重新路由到不同的连接。
  • 从太阳能电池板,将直流电源设备例如,与电网电力兼容的交流电力。
  • 一个带电原子或一组原子由一个或多个电子的损失或粮食
  • 一个技术,离子的过程掺杂剂化学药品(硼,砷,(等)在强电场中加速以穿透晶片表面,因此改变材料的电特性。
  • 工具设计注入均匀掺杂剂原子在衬底选择规定深度所需的浓度。这项技术被称为离子注入
  • 从电中性原子或分子中加入或除去一个以上电子的过程。一旦一个粒子电离,可以加速,将使用磁或静电字段以及进行其他操作,如在beamline
  • 一个共同的TCO材料。
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J

  • 两种不同的半导体区域之间的接口掺杂剂类型。通常指p-n结,电导率类型在P型n型
  • 在太阳能组件中,环境圈地旨在提供一个连接点的输出模块。
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K

  • 也被称为介电常数,通常用希腊字母kappa(κ)表示。材料的表达程度集中电通量。
  • 在电子技术中,它指的是相对于二氧化硅材料的电容。
  • 高增殖系数粘度值允许晶体管大门小不增加不良漏。
  • 在诸如用于分离的绝缘材料中,低k值是理想的。互联因为它可以减少电荷累积以热能的形式浪费能源,减少设备的整体功耗。此外,低k值允许更快的信号传播从而更快的开关速度。
  • 在切削过程中物质损失的数量。在硅片生产中,切口损失是指数量的消耗硅切片过程的一部分,起着至关重要的作用在决定成本,边缘质量,,晶片的表面光洁度。
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L

  • 在化学、用于不断经历或可能经历变化的事物的术语。例如,如果一个分子存在于一个特定的构象短暂的一生,采用低能构象之前,the former molecular structure is said to have 'high lability.' In semiconductors,它可以指一个“肾上腺脑白质退化症”前体的化学物质反应容易与材料表面的晶片。
  • 技术,利用激光烧蚀表面的薄膜光伏电池以定义互连模式。
  • 晶体中原子的有序排列。
  • 半导体器件,发光,当电流流经它。LED由p-n组成其构造方式是,当一对电荷载流子复合时,发射光子。
  • 主要用于光掩模刻蚀腐蚀过程的测量精度。线性是指偏离目标的范围光盘跨越指定的特征大小范围。
  • 一个使用一个数组类型的平板显示器的背光薄膜晶体管称为背板控制每个像素。
  • LCD的工作原理是单独控制每个晶体管以允许或阻挡来自背光的光。然后白光穿过过滤器组装的最后一组颜色,全彩色图像。
  • 当一个像素晶体管是关闭的,液晶材料使偏振光旋转90°,允许它通过第二偏振器。
  • 当晶体管是亢奋时,液晶分子以这样的方式排列,使得光不再旋转,所以光线被第二偏振器。
  • 任何提高分辨率的技术,富达或其他方面的光刻过程。
  • 将图案或图像从一种介质传送到另一种介质,如从一个光掩模晶片使用步进
  • 室用来传输晶片或晶片之间的大气压力FI用于处理和真空环境。
  • 同时加工的一批具有相同特性的晶片。很多通常保持在一起片盒
  • 一个介于3,000年和100年,单个管芯上有000个晶体管。第一批大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 用于创建的过程。多晶硅薄膜采用两步法。存款的前体的第一步电影400 - 450°使用PECVD法过程中,低于600—1000°LPCVD通常用于半导体制造过程。第二步使用退火的前体转化为多晶硅的过程。
  • ltp电影中常用的阿莫勒和超高分辨率TFT-LCD显示器。
  • 在LED技术,LED如何有效地将能量转换为电磁辐射的测量。通常表示在每瓦流明(lm / W)。
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  • 一种图案化的材料层,用于防止直接在其下面的材料的蚀刻。的缩写光掩模
  • 瓦里安植入机中的质量分析磁铁位于和转移的过程室和过滤室离子所以只有选择离子进入过程。这可以确保只有必需的掺杂物晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在制造环境中正在进行中的材料的运输和存储。
  • 一类离子注入机专为最大剂量均匀性。束电流范围从1µa 5 ma,在从5 - 600 kev能量。中电流离子注入机通常有植入物的能力掺杂物植入角度到30°的晶片表面,使掺杂剂能够部分植入晶片表面现有结构的下方。
  • 使用改进的半导体器件制造技术制造的非常小的机械或机电器件,如传感器和执行器。
  • 软件控制系统来管理和监控半成品材料在生产环境中。
  • 的科学测量确定维度,量,或能力;使用传感器和测量设备的技术和程序,以确定在晶片处理物理和电气性能。
  • 一种薄膜硅与非常小(0.5 2µm)硅晶体与非晶硅混杂在一起。通常是存入一薄层(通常1-3µm)串联(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 根据相同特征的密度,以不同速率蚀刻相同特征的现象(例如。密集的,半致密)关于开放区域特征。
  • (µm或千分尺)长度单位;一米的1000000。
  • 一个集成电路,其中包含算术,单个封装中的逻辑和控制电路。
  • 一个围栏或创造的环境保持晶片自由等污染福普
  • 金属是一种外延用于沉积化合物半导体薄膜的方法,尤其是那些用于制造高亮度LED和电力电子产品。在MOCVD工艺中,化学反应发生在衬底的表面之间的有机化合物,包含所需的金属和其他元素。
  • 太阳能模块是最终封装光伏发电机。在同单晶硅技术,模块通常包含几十个太阳能电池连在一起
  • 通过生长二氧化硅(SiO)层获得的结构)在硅衬底上然后沉积一层金属或多晶硅(后者是常用)。通常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏,硅晶片的一种,是扔在单晶硅锭使用谷物。锭然后切成薄片,用在微芯片的生产和光伏电池。
  • 平板显示器显示区域的亮度不均匀。又称"“蒙上了阴影。
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n

  • 半导体材料,带负电荷的电导率(过多的电子)。
  • 逻辑操作符中使用闪存产生一个输出信号只有在至少一个输入没有信号,因此被“不“(AND运算符的倒数)。
  • 半导体溶液,专注于太阳能和显示行业尺寸小于100纳米。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 瓦里安注入机使用的一种装置,在安装过程中测量离子束电流,并作为在beamline
  • 粒子在一个旅行离子束的能量相同,但不再有一个电荷。中立者不能被外部字段,并将继续以固定速度,直到与真空室的墙壁或其他粒子发生碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 逻辑操作符中使用闪存产生一个输出的逆或结果。
  • 促进随后沉积的膜的生长的薄膜层。
  • 缺陷检查可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。压制公害,或“假警报”缺陷是先进缺陷检测系统的关键能力。
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o

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体闸极介电层。
  • 光子的发光器件发射的电子空穴在有机半导体薄膜的交互。
  • 离子注入,晶片的方位角度的晶格结构的梁。在不同的东方角度,不同的掺杂剂渗透深度通灵将获得的。
  • 离子注入,席卷离子束的实践过去晶片的边缘为了实现统一剂量在晶圆边缘。
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  • 具有正电导率的半导体材料(电子的缺陷)。
  • 所有电路元件的固有电容,例如互联晶体管使他们的行为偏离理想”电路元素。
  • 在半导体中,特别是指之间的间隔太近导体的电容,从而影响等串音
  • 可以减少寄生电容降低介电常数,或K值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 垂直条形图中值绘制相对频率递减的顺序从左到右。用于分析首先需要注意什么问题。
  • 一层的半导体器件在电路元素,形成一个密封作为最后一步在制造业或保护化学活性材料反应之间的晶圆传输处理工具。等离子氮化硅和二氧化硅材料主要用于钝化。
  • 在半导体制造,在晶片上创建所需的电路几何形状。通常指的结合光刻以及相关的工艺,例如图案化薄膜沉积和蚀刻
  • 一张清晰的聚合物,骑在一个框架来保护的光掩模图案地区的空气污染。在曝光期间,任何污染都保持在焦平面之外,因此不会”“打印”在晶片上。
  • 一个光掩模,利用相位差异所产生的干扰,提高图像分辨率在光刻。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO具有提高磷耐湿性和回流性的特点。也称为磷硅酸盐玻璃。
  • 熔融石英(石英)板,通常为152mm正方形,覆盖着透明的模式,在光刻定义集成电路的一层布局的过程。
  • 光敏有机聚合物公开的光刻过程中,然后开发出用于识别待蚀刻底层膜的区域的图案。
  • 相邻特征的中心之间的距离,例如互连线或联系洞。
  • 任何模式技术,创建了配对,功能从单一光刻具有球场原始图像的一半,因此,比光刻工艺本身能够创建更小的图案。有时被误称为音高加倍。
  • 平板显示器技术,测量的分辨率来描述每个像素之间的距离显示。通常用每英寸像素表示,或ppi。
  • 一个不均匀的晶片表面的过程是由使用较少,选择性较少腐蚀或通过相对平坦化学机械抛光
  • 第四种物质状态——不是固体,液体或气体。在等离子体中,电子被从原子中拉出,可以独立运动。单个原子的指控,尽管正电和负电的总数是平等的,维护一个整体电气中立。
  • 在完成晶体管的末端沉积的绝缘层菲奥尔第一金属处理互连层形成。
  • P -通道MOS晶体管,其中有源载流子是在n型硅衬底中静电形成的p沟道中的p型源区和漏区之间流动的空穴。
  • 一个RTP用于在栅极氧化氮化后减少漏电流而不造成驱动电流损失的步骤门堆栈
  • 电影堆栈常用的DRAM栅电极的制作,由硅化钨组成的多晶硅
  • 多晶硅(或半晶硅,多晶硅,文章,或者简单地说聚)是一种硅材料组成的多个小晶体。广泛用作导体/门材料在一个高度掺杂状态。保利电影通常是由pyrolyzing硅烷沉积的使用LPCVD过程。
  • 用于离子注入用来减少通灵通过故意amorphizing前一个地区掺杂剂植入,从而使获得更均匀的掺杂剂的配置文件。在一个amorphized地区没有引导,通过定义。预非晶化注入通常用惰性元素(如氩)来完成。
  • 过去做过沉积的金属植入物。
  • 执行一个操作或一组连续操作的制造集成电路或其他设备。
  • 在集成电路或其它器件的制造中执行单个工艺的封闭区域。
  • 优化每个工艺步骤,以便与顺序工艺流程中的先前和后续步骤正确地工作。
  • 一个类型的触摸屏由电极网格组成,所述电极网格可以检测由于导电物体(例如手指或导电触针)的存在而引起的静电场的畸变。
  • PCT面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用,如智能手机和平板电脑。
  • 光转换为电能的过程。太阳能光伏是利用太阳辐射发电。
  • 用于制造薄膜PV组件的树脂。PV电路,上形成一片玻璃,覆盖着一层聚乙烯醇缩丁醛,然后呢后面的玻璃。然后将该组件层压以封装电路,保护它免受环境的影响。
  • 工艺中,原子的导电材料(铝、氮化钛,等。)溅射从一个目标纯粹的材料,然后沉积在基板上,以在集成电路内创建导电电路,或者平板显示器
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  • 由四极交替排列成圆的符号产生的磁场或静电场;用于集中一束带电粒子。
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R

  • 一个APC允许在机器之间修改加工参数的技术运行”使可变性最小化。
  • 一个原子或一组至少有一个不成对电子的原子,因此不稳定、高活性。
  • 电磁辐射频率从大约3千赫至300兆赫。
  • 光谱化学分析的方法,这依赖于单色光的非弹性(拉曼散射)。能够以非接触方式对化合物进行实时反应监测和表征。
  • 一个退火过程中,晶圆是加热到指定温度短时间内。
  • RTP是反复使用在半导体器件制造等目的激活植入掺杂物或改变状态(或阶段)的材料来提高所需的属性(例如,电导率)。退火可以使用三个技术进行浸泡,尖峰,和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备的宽容能够承受一定的温度/时间暴露在一个特定的制造点序列。广义地说,设备可以承受更长的曝光时间(30-90秒),也称为浸渍退火,在制造周期的早期,在高温下。随着周期的进行,如果需要高温,则必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖峰退火属于后一类,用于- - - - - -排水植入物激活和扩散以及high-k /金属大门制作。
  • 一个向内倾斜。是指的胎侧凹特征。
  • 记忆参数为特定的流程步骤,如气体流动温度和压力。一般来说,相同的配方用于很多
  • 额外的金属层芯片的输入/输出垫集成电路在其他地方,使芯片到芯片的键合更容易。
  • 一项规定,要求增加的能源来自可再生能源的生产,如风,太阳能、生物量、和地热能。同一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导电材料与通过它的电流相对的程度的测量。
  • 离子注入,小光圈,通常发现后直接分析仪,这解决了梁只有一种类型的分子或原子与一个特定的指控。
  • 一个平面,透明板,用于步进包含要在晶片上再现的晶片图案的图像。经常交替使用光掩模
  • 苹果公司的商标用于描述任何显示的像素密度足够高,肉眼无法分辨单个像素。
  • 注意,这个术语并不直接与像素密度,因为它包括观看距离。对于符合视网膜显示器条件的移动电话屏幕,其像素密度应该超过300ppi,但电视只需要大约50 ppi。
  • 一个类型的周围性血管疾病过程,使用电感耦合等离子体允许较低的离子能量比传统PVD反应堆,从而形成非常薄的更温和的沉积机制,事实上电影和几乎消除损害底层电路特性。
  • 离子注入,电子束被关进一个矩形截面允许整个晶片表面覆盖的转向光束沿着一个轴。与必须前后扫描以覆盖晶片的点光束相反。
  • 一个蚀刻技术,使用化学活性等离子体去除材料沉积在晶圆。高能离子从等离子体与材料在晶片表面反应。
  • 机械泵用于初始真空系统的疏散。这个过程称为“粗加工。”“
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S

  • 由应用材料创造的用于描述的术语。金莎客户端化学汽相淀积流程执行略低于大气压力张志贤/臭氧化学。
  • 一个双模式技术采用牺牲侧壁间隔电影来实现pitch-halving。也称为侧壁间隔双模式(SSDP)或间隔定义双模式(SDDP)。
  • 自我调整的收缩硅化物。Salicide处理技术旨在利用原则,难熔金属图案的硅衬底上沉积会选择性地与暴露在特定的处理条件下,硅反应并且不会与相邻的材料反应,如氧化硅材料。因此,不需要任何图案化步骤。
  • 离子注入,离子束的运动相对于薄片以覆盖整个晶片表面。
  • 一个组件的离子注入机,要么将离子束在整个晶片,通过离子束或移动的晶片。这可能是一个磁场,来完成静电场或与机械运动。
  • 用电子束而不是光来照亮样品的显微镜。来回光束扫描样品表面。
  • 晶体硅太阳能光伏制造、一张编织材料支持模板开放区域通过银膏或其他材料由辊强制或刮刀晶片形成一个模式。它是类似于光掩模在半导体制造。
  • 离子注入,薄的,氧化硅牺牲层它阻止了离子束中携带的杂散离子,随后将被移除。此外,氧化屏幕略散射主要离子束从而阻止通灵
  • 软件协议用于规范半导体制造设备和主机之间的通信控制系统。它被设计成通过建立一组通用的指令来简化工厂自动化,这些指令可以被工厂
  • 一个成核层成核的材料是一样的随后沉积膜。
  • 一种技术用于提高晶体硅的转换效率光伏太阳能电池。选择性发射极是被精确地置于前金属接触线之下的重掺杂区域,以便减少电接触电阻并允许电流更自由地流动。掺杂区域通常通过沉积来制造。掺杂剂粘贴在晶片表面上,然后在上面印刷接触线。
  • 蚀刻率的比例在两种材料在腐蚀处理。通常用于指用于去除的材料的相对蚀刻速率,以及面具,和腐蚀模式忠诚的一个重要指标。
  • 材料的导电性介于金属(导体)和绝缘体(非导体)和可以修改物理或化学增加或减少其电导率的增加掺杂物
  • 气体很容易分解成氢气和硅,硅烷常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或者用氧气形成二氧化硅。
  • 退火(烧结)过程导致的形成金属硅合金(硅化)作为接触。例如,在硅上沉积的钛由于硅化而形成TiSi2。
  • 与更阳性元素硅的化合物。镍,钽,钛和钴硅化物薄膜用于产生用于晶体管连接的欧姆(低电阻率)接触。硅化钼通常用作掩模。钨硅化物(矽化物)用于DRAM栅电极。
  • 最常见的介质材料用于半导体制造、由于它的多功能性和稳定性。也简称"氧化”,它可以在硅片上通过热氧化法生长或者通过热氧化法沉积。PECVD法HDP-CVD过程。
  • 硅/氮沉积薄膜介质使用plasma-enhanced或LPCVD。有时被松散地称为SiN。
  • 由单个p-n结构建的PV细胞。这包括非晶硅薄膜和大多数晶体硅细胞类型。
  • 大功率磁控管来源周围性血管疾病向等离子体提供足够能量的过程,使得溅射金属原子被电离。金属离子可以使用电场加速向晶圆,创建一个更定向沉积模式,从而更高一步覆盖率小几何结构。
  • 源掩码优化(SMO)是一种用于光刻为了弥补由于畸变图像错误,衍射或工艺效应。
  • 采用硅+绝缘层+硅的硅基体使用分层在半导体制造业。SOI衬底提供减少寄生电容与内置于块状晶片中的装置相比,在集成电路中的相邻装置之间,使减少能耗,从而提高设备性能。
  • 一种直接将阳光的能量转换成电能的装置。光伏的效果。多个细胞连接在一起形成模块
  • 一个公用事业规模的光伏发电站。
  • 轻轻的掺杂地区从排水进入晶体管通道为了分散电场在晶体管的操作设备。没有扩展,非常小的晶体管的电场可能足以损害闸极介电层,导致设备故障。
  • 这个离子注入用于创建源-漏扩展名的过程是损害工程
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造中的质量控制的方法。
  • 一个固定冷却金属板,位于磁盘上的植入,期间,抓住了离子束过扫描
  • 当不同的食谱在一个使用很多为了实验目的提高特定工艺步骤的性能,这批被称为分批。
  • 一种沉淀的方法一个原子被逐出固体的电影目标材料由于目标由高能粒子的轰击。
  • 光伏晶片制造,用专用工具把硅锭切割成矩形块的工艺线锯。方块,或砖,然后在晶圆化过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中,该晶体管具有两个稳定状态。
  • SRAM芯片上的细胞是复杂的和消耗更多的面积比动态随机存取存储器细胞,但更迅速、更省电。
  • 微处理器和其他逻辑芯片往往用SRAM制作细胞死亡用作缓存内存,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 厚度之比电影的一大特色电影底部的厚度(例如,通过)或在一个特性(例如,分别是FinFET)的鳍。
  • 设备用于转移十字线(光掩模)模式到晶圆上。同样的模式转移到每个在晶片上。
  • 技术隔离每个晶体管或存储单元从邻国为了防止电流泄漏。该技术采用模式的战壕蚀刻硅,装满一个二氧化硅等绝缘材料。
  • 流程用于半导体制造中引入应力晶体管和记忆细胞通过扭曲的晶体点阵。在逻辑,这使得电力移动更容易通过晶体管,提高晶体管性能。在记忆中,应变还可以减少泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种切割线中使用线锯这是形成,或卷曲的,为了增加切割速度而变成锯齿形或类似的轮廓。
  • 操纵薄膜所用的材料。硅是半导体和同单晶硅光伏电池最常用。玻璃通常用于LCD和薄膜光伏应用。
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T

  • 一种太阳能光伏电池类型,使用多种光转换材料以提高转换效率。串联结薄膜硅电池,例如,使用非晶态硅和微晶的层。
  • 周围性血管疾病,目标是沉积材料的来源。原子被逐出目标由于高能粒子的轰击。
  • 掺杂金属氧化物薄膜用于光电子器件,如平板显示器,触摸面板和光伏发电。在液晶显示器,TCO层形成产生的电场极化的电极液晶。在触摸板,TCO层用于传感电极。在光伏,TCO形成电池的顶部电极。
  • 透射电子显微镜,传送一束电子通过一个超薄的标本。它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率更高。
  • 液体来源氧化物沉积,正硅酸四乙酯是具有
    公式Si(OCH5
  • 终端效应是一个现象电化学沉积由此,在晶片边缘处沉积的薄膜趋向于比中心处厚。它源于电压降,电压降发生在负端子接触晶片边缘朝向中心的地方,由于晶片的阻力。这种阻力的主要组成部分种子层通过以下方法沉积在晶片上周围性血管疾病在电镀的过程。在每一个技术节点,种子层空气越稀薄晶片的电阻率增加,并加剧了终端的效果。这种影响可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿,该电流密度控制系统可以调节施加在晶片上的电压,在晶片上形成均匀的沉积。
  • 一个类型的液晶显示器显示使用薄膜晶体管位于每个像素处以直接驱动液晶的偏振,从而控制该像素是否打开和关闭。
  • 一层的材料从纳米到几个微米厚的分数。
  • 一个场效应晶体管与薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶片的数量工具每小时可以处理。
  • 一个术语用来指一块半导体加工设备。
  • 在半导体中,通过在晶片表面制造特征而产生的非平面性。由于步进光学系统可能导致图案的部分超出规格。也用来描述由不同的材料移除率不均匀引起的化学机械抛光
  • 一个类型的计算机界面,检测笔或手指的存在典型的矩形区域。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏
  • 一种显示器,比如一个TFT-LCD阿莫勒包含一个触摸屏让用户直接交互显示的图像,而不是间接的通过鼠标或轨迹球。
  • 一个工具几个步骤需要集成过程光致抗蚀剂(沉积,软烤,曝光,发展,硬烤)在半导体制造业。
  • 半导体器件,用于开关和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 在晶片上蚀刻的槽,用作器件结构的一部分。
  • 电容器内置一个在衬底上。这种技术允许在不增加形成电容器所需的晶片面积的情况下增加电容。
  • 一个类型的二次真空泵用来产生高真空。高速涡轮叶片,与静止叶片交替,将气体分子压缩到泵底部,以便通过粗泵去除。
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U

  • 一种分辨率为3840×2160像素的数字视频格式。
  • 也被称为2160p和4K,UHD的像素数量是传统HD 1080p视频的四倍。
  • 半导体制造的一个领域,其着眼于减少交汇点这种形式的排水地区先进的晶体管为了提高性能,同时保持可接受的泄漏电流和击穿电压。
  • 沉积过程在倒装芯片包连接死焊料的衬底。
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V

  • 低于大气环境的压力,通常指特定的压力范围:
  • 粗真空,从大气到1 x 10- 3
  • 高真空,1×10- 3托尔比1×109
  • 超高真空(特高压)- 1 x 10以下9
  • 离子注入,设备用于固态离子源材料转化为气态的离子束生产。
  • 垂直路径通过介电层之间的电气连接互连层。
  • 一个介于10之间的芯片,000和1,000年,单个管芯上有000个晶体管。这个术语经常被扩展到描述具有任意数目大于10的晶体管的芯片,000.其他术语如超大规模集成(ULSI)被创造出来,但已不再广泛使用。
  • 也称为3 d NAND数组。
  • 一类闪存架构在多个二维数组的内存细胞垂直分层在单一基质(相对于叠加使用wafer-level包装)。
  • VNAND是增加的一个方法钻头密度没有必要减少每个细胞的大小。
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W

  • 薄的,圆形或近方形片mono -multicrystalline硅半导体和光伏电池。
  • 技术相结合的几个集成电路分开的在一起形成一个单一的功能器件。
  • 分裂过程中硅锭或砖到晶片。
  • 保护班轮由金属或石墨内安装波导。不需要的离子物种在这些衬垫上放弃它们的能量。
  • 精密卷绕对位涂层技术的另一个名称,在薄膜材料沉积在卷的柔性材料。
  • 去除多余的材料或污染物的过程基质之间使用液体化学过程的步骤。
  • 能够均匀地铺展在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 一台机器使用一个移动线执行三个关键步骤在硅片的生产。
  1. 种植——消除单晶硅锭的锥形结束
  2. 平方——把圆柱锭修剪成矩形块,或砖头。在多晶晶圆制造、这个步骤用于将大铸锭切成砖。
  3. 晶圆-将砖切割成单个晶圆
  • 所有门之间的连接晶体管在存储器阵列段的特定行中。
WP
  • 瓦特峰用于在理想辐照条件下输送的太阳能电池的电力的太阳能工业单元。
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Y

  • 产品(如的百分比。晶片或死亡)生产过程符合规范。
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