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  • 直径约8英寸的硅片大小。也用来指a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
  • 直径约12英寸的硅片大小。也用来指a工具用于加工这种尺寸的晶圆片。
  • 的另一种说法UHD数字视频格式。
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一个

  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。例如去除铜颗粒CMP浆料或转换液态或气态流出物的毒性进入安全形式处置。
  • 在接受电子的半导体中的杂质。硼是在用于掺杂硅的初级受体离子注入处理。
  • 用来存储单元暂时地存储在一个生产线中的工作进度。
  • 离子注入的过程,通过该原子被引入到一个晶体管来修改其材料性能的一部分;在最常见的应用,掺杂剂原子具有电活性,即电荷支架被创建并植入区域的导电率增加。
  • 当掺杂剂原子注入,硅晶体格子中断,或非晶化。格随后被修复使用RTP,在此过程中,掺杂剂离子占据晶格和电荷取代位置支架被创建。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器OLED像素通过受控薄膜晶体管
  • AMOLED显示器的每个像素都能直接发光,这与a不同液晶显示器其中整个显示器被从后面由背光照亮并选择性通过薄膜晶体管控制液晶的每个像素处的偏振允许的。
  • 相比于TFT-LCD的AMOLED显示器的主要优点是,由于“关”像素不消耗功率,总功率消耗是显著更低。
  • 一个类型的二元光掩模它使用不透明的MoSi层作为吸光层。一个极薄的Cr层被放置在顶部,用作a硬掩模对于蚀刻工艺。也被称为不透明的MoSi玻璃(OMOG)光掩模。
  • 一种薄膜沉积技术,其中材料在时间沉积的材料的单层的一小部分。
  • 一个PVD在低压和大的工艺进行目标到晶圆片的距离,以创建沉积物种的定向通量。
  • 一个类型的PSM它将石英基片的某些区域蚀刻到不同的深度,从而在透射光中引入180度相位偏移,以提高对比度,从而提高投影图像在晶圆片上的分辨率。
  • 微芯片内的铝途径,使晶体管和其他电路元件之间的连接。
  • 一种没有晶体结构的硅。
  • 光伏非晶硅是一种重要的薄膜技术。
  • 液晶显示制造中,a-Si是应用最广泛的背板类型。
  • 离子注入,磁体用于分析离子物质,并选择基于原子量所需的离子。
  • 长度单位;一米的十十亿分之一。
  • 或设计来修复缺陷在晶片的晶体结构的高温处理步骤中诱发相变。
  • 离子注入,一个离子束定向通过的开口,它定义了向前运动的离子束的形状和大小。
  • 的光吸收层(通常氮化钛),沉积在金属或多晶硅的顶部,以改进光刻技术性能。
  • 深度的长宽比的电路特征的诸如通过要么联系
  • 一个类型的PSM这允许少量的光通过某些区域来干扰来自掩膜透明部分的光,目的是再次提高晶圆片的对比度。
  • 在PV模块制造,高压釜被用于去除截留的空气,并通过使模块升高的温度和压力提高层叠膜与玻璃基板之间的粘附性。
  • 任何有搬运机器人移动磁带、吊舱或foup并从固定设备。
  • 通过使用这样一种技术晶片检查系统根据缺陷的物理和光学特性将其分为几个类别。
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  • 覆盖整个太阳背面的金属层光伏小区和充当导体。
  • 也用于指高级单元设计,如EWT其中电池的两个端子都位于晶片的背面,从而增加了电池的集光面积,从而提高了转换效率。
  • 薄膜太阳能组件的底层,它提供刚性和电绝缘。电流是从模块中提取出来的接线盒其通过在背面玻璃中的孔连接到电路。
  • 真空抽真空过程中通过加热加速真空系统或部件表面脱气的技术。用于减少达到特高压压力所需的时间。
  • 太阳能光伏发电系统的组件,包括安装结构、电缆、逆变器、土地和维护。
  • 一种物理层,用于防止屏障层上下的层相互混合。
  • 的方法,序列治疗同时多于一个的晶片,相对于单晶片(串行)处理。
  • 离子注入离子束中的任何有害物质或离子电荷。
  • 离子注入器端站的扫描电流,定义为离子注入器中粒子的数量、速度和电荷的乘积。
  • 晶体管制作完成后的一系列工艺步骤,在晶圆片之前进行电气测试。也被称为半导体制造的后端。后端也指晶圆制作完成后的芯片制造部分,即切割、封装和测试。
  • 一个光掩模用吸光膜定义的图案覆盖,通常是铬。在光学上,这是最简单的类型的光掩模,缺乏相移的特点PSMAPSM类型。也可以看看高级二进制面膜
  • 一种测量内存单元在存储设备的基板的给定区域内的紧密程度的方法。
  • 一般来说,较高的位密度是可取的,因为它往往以提高性能和降低成本每比特。
  • 通常以每平方英寸的比特数来衡量。
  • 将信息写入/读取到/从存储单元的行。
  • 一个参数用于沉积描述的处理的在电路的底部,以沉积材料的能力的特征相比,晶片的顶表面上,或领域。它被定义为磁场上的薄膜厚度除以给定特征底部的薄膜厚度的比值。
  • 一种掺杂二氧化硅的非晶绝缘材料2用硼,磷,以提高耐湿性和回流特性。
  • 一个缺陷检查技术,该技术收集光从一个缺陷反射,产生其中的缺陷出现暗的白色背景的图像。一般来说,明系统都比较敏感,但慢暗视野检查。明场检测通常用于晶体管的制造过程中发现图案化缺陷。
  • 全体人员穿着的全身服装整理房间减少颗粒和污染物的释放到空气中。
  • 在薄膜光伏组件中,相对较大的导电带从单个太阳能电池中收集能量。
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C

  • 材料能储存电荷的程度。
  • 的电组件用于暂时储存的电荷。它包括两个导电表面分开的由非导电介质
  • 电子或通过导电或半导体材料携带电荷的。
  • 一种度量,通常用厘米表示2/V·s,表示电荷载体(电子或电子)的速度)能响应外加电场穿过半导体。材料的电导率与载流子浓度的乘积成正比。高迁移率在半导体器件中是非常理想的,因为它通过更快的晶体管开关实现更高的器件性能。
  • 一种金属或塑料的开式容器,用于将晶圆片(通常为25片)从工具中取出或取出。磁带保护晶圆片不受直接操作可能造成的损坏。
  • 一种薄膜太阳能电池,使用镉-碲化合物作为光转换活性层。
  • 蚀刻中用来描述刻蚀精度的参数腐蚀处理。CDU被定义为重复特征的尺寸的从它的标称值的变化(光盘)在跨越几个点处测量基质
CFD

计算流体动力学,流体力学的一个分支,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题,

  • 在一个FET中,信道是电子之间的,通过该流动半导体区域排水终端,通过电压控制施加到
  • 离子注入中,当在光束一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶片和比其他离子更深地穿透发生窜。窜是不可取的,因为植入物的深度不能精确地计算或控制。可以通过倾斜或旋转晶片,覆盖其表面与屏蔽氧化物,或预非晶化的硅可减少窜。
  • 一个原子粒子把一个电子丢失给一个电离的原子。
  • 硒化铟铜:一种类型的薄膜太阳能电池材料的使用铜,铟,硒的化合物。第四个元素,镓,也可以被加入到化合物(CIGS)以实现更高的效率
  • 在晶圆厂其中空气被调节,以除去空气中的颗粒,可以防止半导体装置的正确功能的区域。
  • 一个金属氧化物半导体装置由成对对 -通道和n沟道晶体管。
  • 也用来指制造以CMOS晶体管为特征的集成电路的一系列工艺。
  • 使用研磨剂,化学活性料浆以物理抛丸一个部分处理的晶片上的微观地形特征,使得随后的处理可以从平坦的表面开始的方法。也被称为化学机械抛光。
  • 一个离子注入技术,该技术的植入物两个物种到材料的同一区域,以提高掺杂区域的电性能,典型地,以提高晶体管的性能。
  • 例如,非掺杂原子,如氟或氮可以与之共注入掺杂物如硼产生极浅管理办公室晶体管渠道通过改进掺杂剂激活并从一个非常尖锐的过渡掺杂以在未掺杂的区域。
  • 该包装的底面平行于所述印刷电路板的表面降落
  • 该包装的底面平行于所述印刷电路板的表面降落
  • 液晶平板显示器的一层,被划分为红色、绿色和蓝色的透明区域,每个区域覆盖一个晶体管,晶体管被开关到全范围的颜色。
  • 利用计算机系统和软件来辅助二维或三维设计的创作、修改或分析。
  • 利用计算机系统和软件来辅助二维或三维设计的创作、修改或分析。
  • 一种使用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息和开始行动。
  • 一种使用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息和开始行动。
  • 一种含有移动电荷载体的物质,如电子或离子。
  • 芯片上的一种特征,在第一个之间形成电通路互连层和所述晶体管。这个区域通常填充钨。
  • 在射频等离子体“产生”指的是保持恒定频率和振幅的波形,与“脉冲”传输相反,“脉冲”传输通常在两个不同的振幅之间进行,频率在100-1000Hz范围内。
  • 一个互连结构采用铜作为传导材料,提供了改进的设备速度和较低的功耗相比,铝互连。
  • 一个兴奋剂沉积一层含有所需材料的保形层的工艺掺杂剂然后使用热过程将掺杂剂驱动到底层电路结构中控制的深度。CPD提供了一种方法来操作复杂的3D结构。兴奋剂传统上是由离子注入,轰击用掺杂剂离子以高速移动晶片。然而,线的视距此轰击过程不能提供三维结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子可以破坏在尖端芯片的超薄半导体层。CPD的目的是解决这两个问题。
  • 光刻,光盘是最小的特征尺寸,是要图案的晶圆。在其它的半导体工艺,CD是一个特征中的横跨若干点中发现的尺寸基质用于描述给定的过程的准确度或其他特性。
  • 不期望的效果,即在电路元件的信号,诸如互连线,影响附近另一个电路中的信号。在半导体中,耦合通常是由于寄生电容两个电路之间。
  • 将材料的温度降低到-100℃或更低。
  • 将材料的温度降低到-100℃或更低。
  • A型二次真空的由低温冷冻并吸收它们泵捕获气体分子。低温泵是能够产生一个非常高的真空,但必须定期进行再生,即允许返回到环境温度以解吸和抽走所捕获的气体种类。
  • 原子排列成有序的周期排列的物质。
  • 一种太阳能电池技术的通用术语,使用晶体结构中的纯化硅基板。
  • 一种用于通过暴露沉积薄膜工艺基质到一种或多种挥发性前体,其反应在衬底表面上和/或分解。
  • 晶圆片在制造过程的某一特定部分所需要的加工时间。
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d

  • 使用的一类技术离子注入用于通过有意破坏硅晶体结构来控制的半导体器件的电特性。
  • 特别地,损伤工程学被用来通过调节离子来控制掺杂剂扩散的深度剂量率,采用低温植入和/或使用共植入种类。
  • 在用非常小的几何图形制作晶体管时,使用了损伤工程学来实现性能增强技术source-drain扩展pre-silicide应变工程
  • 非反射的,非能量吸收,无机介质在金属或多晶硅表面沉积一层以改善光刻技术性能。
  • 一个缺陷检查利用探测器收集散射光使缺陷在黑暗背景下显得明亮的技术。通常用于发现晶圆片上的颗粒互连制造。与之比较brightfield检查。
  • 紫外光谱用300nm以下波长的部分。
  • 在有图案的晶圆片上发现缺陷的过程。缺陷位置的列表被创建并传递给ADR-SEM审查和分类。
  • 一个类型的扫描电子显微镜在晶片制造过程中用于分类缺陷类型,并确定这些缺陷是否会影响芯片的产量。
  • 的方法,用于沉积绝缘的薄层或导电材料到基底上。
  • 为集成电路的设计和布局勾勒出几何形状和连接性限制的规则。
  • 在半导体制造中,在硅晶片的面积在其上的功能电路被制造。数百相同裸片(替代复数是管芯和管芯)各自晶片上制造。
  • 一个绝缘子
  • 也用于更具体地指的是可通过施加电场进行极化的绝缘体。在半导体处理中通常使用的两个电介质是二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3ñ4)。
  • 在批处理离子注入机的大锥形轮用于在保持晶片离子注入。的晶片被安装在每个盘的“辐条”结尾。当磁盘旋转时,依次将各晶片穿过其径向扫描,以提供一个均匀的离子束剂量在每个晶片。
  • 以控制的量加入到材料中以杂质修改某些固有特性,例如电阻率或熔点。添加掺杂剂的半导体的产生主要具有负的材料(n型)或正(p型根据掺杂物质)电荷载体。
  • 的粘性液体或悬浮液含掺杂剂材料。
  • 引入杂质,或掺杂物。进入材料的晶格来改变其电学性质。创造n型区域,砷(As),砷(AsH)3)、磷化氢(PH3)和锑(Sb)是常用的。为p型区,典型掺杂物硼(B)和二氟化硼(BF2)和三氟化硼(BF3)。
  • 总金额掺杂物在离子测量/厘米2需要给植入的晶片所期望的电性能。
  • 精密电流测量装置用于计算注入到晶片的离子的总数。该功能有时与均匀性的监测相结合。
  • 一类的图形化技术,旨在增加可以在晶片上产生超出电路特征的密度是什么特定的光刻的正常范围步进。看到pitch-halvingSADP
  • 在太阳能使用的一种技术光伏制造其中接触线或其他结构中的多个,精确地对准丝网印刷操作建立。
  • 双打印的例子应用包括制造更窄,更高的接触线和选择性发射极细胞类型。
  • 一种方法,其使用电感耦合,以产生氮等离子体和将氮成超薄栅极氧化物来提高栅极电介质的介电常数的顶部表面层。
  • 一个类型的ICP等离子光源主要用于分离等离子体密度和离子能量的刻蚀应用,导致高刻蚀率和最小的等离子体对基板的损伤。
  • a的输出端FET
  • A型的非易失性计算机存储器,其中每个位被存储在一个单独的电容器。因为电容器的自放电随着时间的推移,每一个位的状态必须刷新大约每秒15次,因此术语“动态”。与“静态”比较闪存
  • DRAM提供最快的编程速度的任何类型的内存,使它非常适合直接连接到微处理器用作主存。
  • 一个大马士革用铜同时形成和填充两个特征的工艺,例如,a一个覆盖通过可以用单一的铜沉积步骤来填充两者。
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Ë

  • 在太阳能光伏技术中,入射太阳能转化为电能的部分。
  • 由导体中离子运动引起的物质运动,这种运动产生于传导电子和扩散的金属原子之间的动量转移。
  • 金属从化学溶液中除去并沉积在带电表面上的一种沉积过程。也被称为电化学电镀,电镀,或电沉积。
  • 通过电解,其是通过使电流经过它分离液体成其不同的化学部分的处理来进行。
  • 一种带负电荷的稳定亚原子粒子,用作电的载体。
  • 离子注入时,电子的在晶片附近的端站的源极,用于从带正电荷的离子植入到可能会损坏敏感的电路特征中和不希望的电荷积累。
  • 能量通过1伏的电压差移动的电子(或质子,电荷的大小相同)获得的。在离子注入,电子伏特被用作粒子的动量的量度。具有较高动量粒子将进一步渗透到多于一个的半导体晶格用更少的动力。
  • 无电流流动的静态电压场。在离子注入,它指的是使用电压弯曲或聚焦的离子束。
  • 一个带负电荷的电极,用来反射电子- A梁过滤器
  • 一种先进的回来联系光伏电池。发射器将通过细胞结构,连续发射极扩散通过成千上万的激光器通过钻不到100µm直径(千分尺)采取目前的细胞。通过消除前触点,EWT增强了光吸收,提高了电池效率。
  • 另外,被称为结束范围的位错环,EOR缺陷在硅晶格缺陷发现紧接在之间的界面下方非晶化晶体管和结晶区通道离子注入
  • 利用该方法可以最大限度地降低采收率缺陷低温植入
  • 一个beamline元件在某些使用瓦里安离子注入机其同时减速离子束到最终能量并过滤离子束移除不想要的高能量分量,可以“拖影”的晶体管通道,导致泄漏电流增加,性能下降。
  • 用来比较栅极性能的数字介质通过指示一个氧化硅膜将如何厚需要像所使用的介电材料以产生同样的效果的材料。
  • 使用许多与SiO 2系MOS栅极的性能进行比较的高k介电栅MOS性能。一世t shows thickness of SiO2 gate oxide needed to obtain the same gate capacitance as one with thicker SiO2 dielectric with higher dielectric constant k [e.g., EOT of 1 nm would result from using a 10 nm thick dielectric featuring k=39 (k of SiO2 is 3.9)].
  • 沉积,或生长,单晶膜,其中沉积膜呈现出一种晶格结构和取向的那些相同的基片的制造方法。这使得能够构建的半导体器件的高纯度的起点。
  • 一个APC监视处理工具以提供可视化和统计报告工具的技术,以识别瓶颈并改进工厂性能。
  • 通过化学反应或物理轰击除去指定区域内物质的过程。该工艺可以使用液相(湿)腐蚀剂或真空(干)条件下,通常使用等离子体来生成气相反应物。
  • 过程中物质被移出的速度腐蚀处理,通常以埃/秒或表达纳米/秒。
  • 薄膜层用于限制腐蚀深度和保护底层材料。ESL的选择是耐腐蚀化学正在使用。
  • 一个光刻技术采用13.5nm EUV照明技术。它代表了一个重大的背离DUV光刻,因为所有的光学元件必须在反射模式和整个光学系统作用,必须在真空下保持。
  • 离子注入,引出电极用于从源提取带正电的离子。离子离开源结合下游,以形成用于植入的射束掺杂物成的硅晶片。
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F

FAB
  • 半导体制造厂的通称,用来制造集成电路的工厂。
  • 也称为嵌入式晶圆级球栅阵列。一种芯片封装方案,不是在硅片上封装,而是在由成型材料(如环氧树脂)制成的人造硅片上封装。芯片之间的距离通常比硅片上的距离大。在芯片周围建立互连线,从芯片垫片到互连线建立电气连接。可以在包上以任意距离(扇出设计)创建任意数量的额外互连,使此方案成为空间敏感应用程序的理想方案,在这种应用程序中,芯片区域不足以将所需的互连数量放置在适当的距离。
  • 也称为嵌入式晶圆级球栅阵列。一种芯片封装方案,不是在硅片上封装,而是在由成型材料(如环氧树脂)制成的人造硅片上封装。芯片之间的距离通常比硅片上的距离大。在芯片周围建立互连线,从芯片垫片到互连线建立电气连接。可以在包上以任意距离(扇出设计)创建任意数量的额外互连,使此方案成为空间敏感应用程序的理想方案,在这种应用程序中,芯片区域不足以将所需的互连数量放置在适当的距离。
  • 一个APC使用过程状态模型来推断故障条件的发生和位置以及诊断故障原因的技术。
  • 集成电路制造的第一部分,包括晶体管制造。FEOL一般包括一切直至(但不包括)的沉积往来和金属互连层。术语前端有时用于整个过程是指完成晶片。
  • 依赖于电场A型晶体管来控制电荷载流子在半导体材料中的流动。
  • 安装在半导体处理系统前端的超净外壳,可将晶圆片从洁净室环境和系统内部来回传送。
  • 用于沉积描述晶圆片表面与低于晶圆表面的沟槽和通径等电路表面的区别的应用。
  • FinFET是一种类型的FET在这种情况下通道由薄硅“鳍”构成晶体管的栅极三面环。虽然技术上的术语仅是指具有两个栅极的设计,该术语经常用来描述任何多栅极晶体管架构,而不管门数的。
  • FinFET的主要设计目的是为了减少电流泄漏,而晶体管是在“关”状态。
  • A型的非易失性存储技术,不需要电源来保持数据,不象DRAM。命名为“闪光”来自一个事实,即内存在时间擦除和大块编程,从几百到几千位。这种无法地址个别位使得它速度太慢,可直接连接到一个微处理器,但闪光的机械坚固性和低成本使得它非常适合大容量存储在移动设备中。
  • 任何消费者显示装置,如一个液晶显示要么AMOLED,具有一个平面,相对于阴极射线管的曲面显示。
  • 是一种将半导体设备(如IC芯片和微机电系统(MEMS))与外部电路互连的方法,外部电路带有已沉积在芯片垫片上的焊点。
  • 是一种将半导体设备(如IC芯片和微机电系统(MEMS))与外部电路互连的方法,外部电路带有已沉积在芯片垫片上的焊点。
  • 一种物理性质在空间中的流动,通常也随时间变化。
  • 在LED技术,跨越了在为了使生产出所需要的LED的端子处的电压指定的光输出。这也是下面将LED不会产生任何的光的电压。
  • 设有前开口处固定盒式磁带的货柜,并设有自动物料处理系统(AMHS)。FOUP的使用可以减少晶圆片上的颗粒数量,因为FOUP的内部与fab环境隔离。
  • 一种由掺杂SiO制成的非晶绝缘材料(k=约3.5)2与氟常用于铜之间的互连层。又称氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 集体术语,是指包括所述导电层和绝缘层结构的MOSFET
  • 代的缩写,用于火焰光度制造来描述玻璃的大小基质
  • 每一代是比它的前身大大约80%。
一代 典型尺寸(mm) 面积(m²) 介绍

创2

400 x 500

0.2

1993

创3

620 x 750

0.5

1995

创4

730 x 920

0.7

2000

创5

1000×1200
1200 x 1300

1.2
1.6

2002年

创5.5

1300 X 1500

2.0

2004年

创6

1500 x 1850

2.8

2003

创7

1870 x 2200

4.1

2004年

创7.5

1950 x 2250

4.4

2005年

创8

2160 x 2460

5.3

2006年

8.5代

2200 x 2500

5.7

2007年

第10代

2,880 X 3130

9.0

2008年

  • 在工人进入洁净室之前,包括洗手和穿戴手套、头巾、面罩、鞋套和其他特殊衣物的程序。
  • 马上外部的支撑区域或服务区洁净室,让服务人员不进入该净化本身进行日常维护。
  • 一个缺陷检查技术,该技术利用探测器采集收集中高角散射光使一个缺陷出现明亮的相对于暗背景。通常用于找到超过光学分辨率小的图案缺陷。与之比较brightfield检查。
  • 一个缺陷检查技术,该技术利用探测器采集收集中高角散射光使一个缺陷出现明亮的相对于暗背景。通常用于找到超过光学分辨率小的图案缺陷。与之比较brightfield检查。
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H

  • 一个面具比光致抗蚀剂更耐蚀刻,当使用时更高的蚀刻选择性比使用光刻胶所能达到的还要多。
  • 一种等离子体设有的自由电子浓度高,因此,离子浓度较高。
  • 等离子体增强的一种CVD在高真空和高等离子体激发电压下进行,以提高填充小的高纵横比结构的能力。
  • 一个班的离子注入机产生最高的波束电流,通常超过3mA。越大束流,越快越好剂量达到,导致更高的晶圆产量。1k之间的离子能量电子伏特100keV是典型的。
  • 一个班的发光二极管产生要被用于照明应用足够的光。应用包括背光灯的LCD显示器,室内照明和汽车外部灯。完全是一个LED必须是多么的光明有资格作为“高亮度”没有明确界定。最简单的定义是一个太亮看直接。
  • 在半导体,空穴是不存在,其中一个可以在一个晶格存在的电子的。它可以被认为是作为电子的相反,带有正电荷的完全相同的大小作为电子的。如果,在电场中,电子移动到这个空位,空穴有效地在相反的方向上移动。
  • 智能工厂系统,该系统在半导体制造中使用的设备进行通信。在半导体领域中,秒/宝石使用协议。
  • 称的区域是容易出故障
  • 称的区域是容易出故障
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一世

  • 一种等离子体源,其能量由电磁感应产生的电流提供,即由通常施加于真空外壳外部的时变磁场提供。
  • 一种半导体材料,用来形成通道高性能薄膜晶体管的活动层液晶显示秒。相比非晶硅在传统的沟道材料中,IGZO具有更高的电子迁移率,允许晶体管更快地切换,从而实现了更高分辨率的显示器和更快的刷新率。
  • 一个光刻技术分辨率增强技术,用液体介质(如水)代替通常在最终透镜和晶圆片表面之间的气隙。
  • 离子注入,离子束与晶圆片表面的入射角。

晶片的检查,以检测出多种类型(例如,划痕,颗粒,损坏功能)以下半导体制造工艺流程的每个步骤的缺陷。

晶片的检查,以检测出多种类型(例如,划痕,颗粒,损坏功能)以下半导体制造工艺流程的每个步骤的缺陷。

  • 非导电材料用于将装置或芯片的电有源区彼此隔离。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,BPSGPSG
  • 一个由许多元件的电子设备的单个硅衬底上一起制造。
  • 集成电路中的线路,将晶体管彼此连接起来并与外部连接起来。
  • 在集成电路的金属层之间用于绝缘的薄膜。
  • 用于相邻金属线之间的绝缘薄膜。
  • 硅或充当电接口一个插座或连接之间路由到另一个扩散到更宽的间距的连接或重新路由到不同的连接的连接一些其它合适的材料制成的层。
  • 硅或充当电接口一个插座或连接之间路由到另一个扩散到更宽的间距的连接或重新路由到不同的连接的连接一些其它合适的材料制成的层。
  • 的装置,其转换DC电力从太阳能电池板,例如,与电网电力兼容AC电力。
  • 由一个或多个电子的损失或晶粒形成的带电原子或基团的原子
  • 的方法技术,其中离子掺杂剂化学品(硼,砷等)被加速在强电场穿透晶片的表面,从而改变了材料的电特性。
  • 的工具设计成在所期望的浓度注入选择的掺杂剂原子均匀地在基板至规定的深度。该技术被称为离子注入
  • 添加到或从电中性原子或分子去除多个电子中的一个的过程。一旦粒子被电离,它可以被加速,转向和以其它方式操纵使用磁或静电场,如在beamline
  • 一个共同的TCO材料。
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Ĵ

  • 上不同的两个半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常是指一个p-n结,在该导电型从改变p型n型
  • 在太阳能电池组件,环境外壳设计成提供用于模块的输出的连接点。
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ķ

  • 也称为介电常数,通常用希腊字母k(κ)。一种物质使电通量集中的程度的表达式。
  • 在电子,它指的是相对于二氧化硅材料的电容。
  • 高k值允许晶体管在不增加不希望的泄漏的情况下使其变小。
  • 在用于分离的绝缘材料中,低k值是可取的互联因为它减少电荷聚集这浪费能量作为热量,减少装置的总功率消耗。此外,低k值允许更快的信号传播,从而更快的开关速度。
  • 在切割过程中材料损失的量。在硅片生产中,切缝损耗是指晶圆加工过程中消耗的硅量,它对晶圆片的成本、边缘质量和表面光洁度起着至关重要的作用。
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大号

  • 在化学术语适用于一些不断发生或可能进行变化。例如,如果在一个短寿命时间的特定的构象存在的分子,采用较低的能量构象之前,前者分子结构被认为具有“高不稳定性”。在半导体领域,它可以指ALD前体化学品易于与所述晶片的所述表面上的材料反应。
  • 一种利用激光烧蚀薄膜PV电池表面以确定互连模式的技术。
  • 原子在晶体中的有序排列。
  • 一种半导体器件,当电流通过时发出光。LED由一个pn组成连接点其被以这样一种方式构成,即光的光子被发射时,对载流子复合。
  • 主要用于。的参数光掩模刻蚀用来测量蚀刻过程的精度。线性定义为偏离目标的范围光盘跨越指定的特性大小范围。
  • 一种使用背光阵列的平板显示器薄膜晶体管被称为背板控制每个像素。
  • 的LCD的工作原理是单独地控制每一个晶体管,以允许或来自背光的阻挡光。的白色光然后穿过滤色器阵列来组装最终,全彩色图像。
  • 当像素晶体管关闭时,液晶材料将偏振光旋转90°,使其通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子排列的方式使光不再旋转,因此光被第二个偏振器阻挡。
  • 任何技术,提高分辨率,保真度或其他方面光刻技术处理。
  • 把图案或图像从一种媒介转移到另一种媒介上,如从a光掩模在晶圆片上使用a步进
  • 晶圆室一种用于在晶圆片的大气压之间传送晶圆片或晶圆片的腔室FI以及用于加工的真空环境。
  • 同时加工的具有相同特性的一批晶圆片。很多东西通常都放在一起foup
  • 一个CVD过程在低于大气压的环境下进行。
  • 一个芯片上有3000到10万个晶体管。第一个大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 一种方法用于创建多晶硅使用两个步骤过程的膜。在400-450第一步沉积物的前体膜°使用PECVD工艺,低于600-1000°LPCVD工艺通常在半导体制造中使用。第二步使用的退火处理的前体转化成多晶硅。
  • LTPS薄膜通常用于AMOLED和超高分辨率液晶显示器显示器。
  • 在发光二极管技术中,用来测量发光二极管将能量转换成电磁辐射的效率的一种方法。通常以流明每瓦特(lm/W)表示。
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中号

  • 的材料(通常是铁磁的)的属性来改变值其电阻在外部施加的磁场。这种效应被用作磁性随机存取存储器的结构的数据存储机制。
  • 的材料(通常是铁磁的)的属性来改变值其电阻在外部施加的磁场。这种效应被用作磁性随机存取存储器的结构的数据存储机制。
  • 材料的图案化层中使用,以防止材料的直接在其下方的蚀刻。另外的缩写光掩模
  • 瓦里安植入体的质量分析磁体位于与处理室偏转和过滤器的离子,以便仅选择的离子进入处理室。这将确保只有所需掺杂物晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理生产环境中进行中的物料的运输和储存。
  • 一个班的离子注入机专为最大剂量一致性。束电流范围从1µa 5 ma,从5 - 600 kev能量。中等电流的植入器通常具有植入的能力掺杂物植入物的角度下降到30°从晶片表面,从而使掺杂剂被植入在晶片表面上部分的下方的现有结构。
  • 非常小的机械或机电设备,如传感器和致动器制造的使用改性半导体器件的制造技术。
  • 一种软件控制系统,用于在制造环境中管理和监视在制品。
  • CVD要么PVD一层高导电性金属的沉积,用于在芯片上互连器件。通常使用的金属包括铝、钨和铜等。
  • 测量学确定尺寸、数量或容量的测量科学;在晶圆加工中使用传感器和测量设备来确定物理和电气特性的技术和程序。
  • 具有非常小的(0.5-2μm)硅晶体薄膜硅的形式混合使用非晶硅。它通常被沉积在薄的层(典型1-3μm),用于串联(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 的现象,通过该相同的特征以取决于它们的密度不同的速率相对于开放区域特征蚀刻(例如致密的,半密实)。
  • (微米或微米)的长度单位;一米的百万分之一。
  • 包含算术,在单个包装中的逻辑和控制电路的集成电路。
  • 由保持晶圆片不受污染(如aFOUP
  • MOCVD是外延沉积复合半导体薄膜的工艺,尤指用于制造高亮度发光二极管和电力电子。在MOCVD工艺,化学反应发生在包含所需金属和其他元素的有机化合物之间的衬底的表面上。
  • 的太阳能电池组件是最终封装光伏发电机。在晶体硅技术,该模块通常包含若干打太阳能电池有线在一起。
  • 通过生长一层二氧化硅(SiO)而获得的一种结构2)在硅衬底上,然后沉积一层金属或多晶硅(后者是常用的)。常用于描述用这种方法制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏技术中,一种用单晶硅颗粒铸造成钢锭的硅片。然后,这些钢锭被切成晶片,用于制造微芯片和光伏电池。
  • A型缺陷的发现,在平板显示器其中显示器的区域显示出亮度不均。也被称为“混浊”。
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ñ

  • 带负电荷导电的半导体材料(电子过剩)。
  • 一种逻辑运算符应用于闪存它只有在至少一个输入没有信号的情况下才产生输出信号,因此是“Not AND”(与运算符的倒数)。
  • 对于集中在尺寸小于100nm的半导体,太阳能及显示器工业解决方案。
  • 长度单位;一米的十亿分之一。
  • 通过一些瓦里安注入机中使用的装置,其在安装过程中测量离子束电流和充当陷阱用于在所生成的中性beamline
  • 粒子在具有相同能量但不再带电荷的离子束中运动。中性粒子不受外界场的控制,以固定的速度继续运动,直到与真空室壁或其他粒子发生碰撞。
  • 转化成氮化物
  • 一个金属氧化物半导体在晶体管中,有源载流子是在静电形成的n-中在n型源和漏区之间流动的电子通道在p型硅衬底。
  • 一种逻辑运算符应用于闪存产生的输出结果是OR的倒数。
  • 促进随后沉积的薄膜的生长的一层薄膜。
  • 疑似缺陷报告通过缺陷检查系统可以忽略不计,因为它会对完成设备的功能没有影响。抑制滋扰或“假警报”的缺陷是先进缺陷检查系统的关键能力。
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Ø

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体栅介质。
  • 一种发光器件,其中光子发射如在薄膜有机半导体的电子 - 空穴的相互作用的结果。
  • 离子注入中,晶片的晶格结构的相对于所述光束的方位角。在不同的东方的角度,不同的掺杂剂穿透深度和通灵将获得。
  • 离子注入为了达到均匀的效果,将离子束扫过晶圆片边缘的做法剂量在晶圆外围。
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P

  • 带正电的半导体材料(电子缺陷)。
  • 所有电路的固有电容元件如互联晶体管这导致他们的行为偏离“理想”电路元件。
  • 在半导体领域,特别是指紧密间隔的导体之间不希望的电容,可导致的效果,如相声
  • 可以通过降低介电常数减小寄生电容,或k值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 一种垂直条形图,其值按相对频率从左到右递减的顺序绘制。有助于分析哪些问题需要首先注意。
  • 半导体器件中的一层,在电路元件上形成密封层,作为制造的最后一步或在晶圆在加工工具之间传送时保护化学活性材料不发生反应。等离子体氮化和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造中,创建一个晶片上所需的电路的几何形状。通常用于指的组合光刻技术和相关的过程,如图案薄膜沉积和腐蚀
  • 一个CVD过程中使用等离子体驱动沉积的能量。这种技术允许较低的沉积温度,增加薄膜密度和纯度。
  • 一种透明的聚合物,它附着在框架上以保护掩模的图案区域不受空气污染。在曝光过程中,任何污染都在焦平面之外,因此不会在晶圆片上“打印”。
  • 一个光掩模由相位差产生的干扰的那些利用来改善在光刻图像分辨率。
  • 一种掺杂二氧化硅的非晶绝缘材料2用磷改善耐湿性和回流特性。也叫磷硅玻璃。
  • 熔融石英(石英)板,典型地152毫米正方形,覆盖着不透明的,透明和相移区域的图案,其将被投射到晶片光刻技术处理以限定集成电路的一个层的布局。
  • 由暴露的光敏有机聚合物光刻技术,然后开发出一种图案,这种图案可识别底层胶片要蚀刻的区域。
  • 的相邻特征的中心之间的距离,例如互连线或联系孔。
  • 任何图案技术,创造成对,从一个单一的特征光刻技术图像与一个沥青一半的原始图像的,这样就产生更小的图案比光刻工艺单独是通的。有时误导称为音调加倍。
  • 火焰光度技术,分辨率的测量描述该显示器上的各个像素之间的距离。通常在每英寸,或PPI像素为单位。
  • 利用低选择性蚀刻或穿透使不均匀的晶圆片表面相对平坦的过程CMP
  • 物质的第四状态 - 不是一个固体,液体或气体。在等离子体中,电子被拉选自原子免费的,可以独立地移动。单个原子被充电,即使正,负电荷总数是相等的,保持整体电中性。
  • 在年底绝缘沉积在完成晶体管层FEOL处理在其上的第一金属互连层形成。
  • P -通道MOS晶体管,其中活性载体是在n型硅衬底的静电形成p沟道的p型源和漏区之间流动的孔。
  • 一个RTP步骤中使用,以减少漏电流没有驱动电流损耗栅极氧化物氮化之后在创建的门堆栈
  • 通常用于DRAM制造中的栅电极的薄膜堆栈,在由硅化钨多晶硅
  • 多晶硅(或半结晶硅,多晶硅,多晶Si,或简称为“聚”)是由多个小的硅晶体的材料。在高掺杂的状态广泛地用作导体/门的材料。聚膜通常通过使用热解硅烷沉积LPCVD处理。
  • 一种用于离子注入用于减少通灵通过故意非晶前一个地区掺杂剂注入,从而能够获得更均匀的掺杂剂剖面。根据定义,在非晶化区域内没有通道。预分解植入物通常是用惰性元素如氩气来完成的。
  • 最后一次植入是在金属沉积之前。
  • 在集成电路或其它装置的制造中进行的顺序操作的动作或组。
  • 在集成电路或其他设备的制造过程中,进行单个过程的封闭区域。
  • 优化每个流程步骤,以正确地使用顺序流程流中的前一步和后续步骤。
  • 一个类型的触控面板它由一个电极网格组成,可以检测由导电物体(如手指或导电笔)引起的静电场畸变。
  • PCT板通常用于该同时所需的多个接触点的精确跟踪应用,如智能手机和平板电脑。
  • 的方法,其中,光被转换成电。太阳能光伏电力是从太阳辐射产生。
  • 用于制造薄膜光伏组件的树脂。PV电路,形成在一片玻璃上,覆盖在一片PVB上,然后后面的玻璃。然后,此组件被层压至包封电路,保护其免受环境中。
  • 由导电材料(铝、氮化钛等)的原子组成的工艺技术气急败坏的说目标纯物质,然后沉积在基底上的集成电路中创建的导电电路或火焰光度
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Q

  • 由排列成圆形的四极交替符号所产生的磁场或静电场;用来聚焦一束带电粒子。
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[R

  • 一个APC允许在机器“运行”之间修改处理参数以最小化可变性的技术。
  • 一个原子或一组原子,至少有一个未配对电子,因此不稳定且反应性强。
  • 频率约为3千赫至300千兆赫的电磁辐射。
  • 化学分析的分光方法,其依赖于单色光的非弹性(拉曼)散射。实现实时反应监测和化合物的表征在以非接触的方式。
  • 一个退火过程,其中晶片被加热到规定温度的时间短的时间。
  • RTP被重复地半导体器件制造过程中用于这样的目的所使用的激活植入掺杂物或改变材料的状态(或相)以增强所需的属性(如导电性)。退火可以使用三种技术-浸泡,穗,和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备在生产过程中某一特定点承受特定温度/时间的能力。一般来说,设备可以承受更长时间的暴露(30-90秒),也被称为浸泡退火,在制造周期早期的高温下。随着循环的进行,如果需要高温,必须降低温度或显著缩短暴露时间。道钉退火属于后一类,用于-排水种植体的活化和扩散以及高钾/金属制造。
  • 向内成角度的。指侧壁为凹形的特征。
  • 向内成角度的。指侧壁为凹形的特征。
  • 特定工艺步骤的记忆参数,如气体流动、温度和压力。在一般情况下,相同的配方是用于所有晶圆在a很多
  • 芯片上的一层额外的金属层,用来制作芯片的输入/输出焊盘集成电路在其他地方提供,使得芯片到芯片键合容易。
  • 芯片上的一层额外的金属层,用来制作芯片的输入/输出焊盘集成电路在其他地方提供,使得芯片到芯片键合容易。
  • 需要来自可再生能源,例如风能,太阳能,生物质能,地热和增加的生产能量的调节。对于同一概念的另一种常见的名字是可再生电力标准(RES)。
  • 导体与通过它的电流的相对程度的度量。
  • 导体与通过它的电流的相对程度的度量。
  • 离子注入中,小孔径,通常是分析仪,其中所述光束解析为只有一个具有特定计费类型的分子或原子的后直接找到。
  • 一种平的、透明的盘子步进包含的晶片图案图像以在晶片上再现。经常互换使用光掩模
  • 苹果公司的注册商标,用于描述任何显示其中像素密度足够高,使得人眼无法分辨单个像素。
  • 请注意,这个术语没有直接关联与像素密度的,因为它包括观看距离。对于手机屏幕有资格作为一个视网膜显示它应该有超过300PPI的像素密度,但电视只需要大约50ppi。
  • 一个类型的PVD使用电感耦合等离子体,以允许更低的离子能量相比于传统的PVD反应器中,并因此更温和的沉积机构,其能够创建非常薄,亚纳米薄膜和实际上消除对底层的电路特征的损害过程。
  • 离子注入,已经被限制为矩形的横截面允许在晶片的整个表面上的电子束通过沿着单个轴操纵波束覆盖。而不是必须来回扫描,以覆盖晶片点束。
  • 一种蚀刻技术,使用化学反应性等离子体去除沉积在晶圆片上的物质。等离子体中的高能离子与晶圆表面的物质发生反应。
  • 用于真空系统的初始抽空的机械泵。该过程被称为“粗加工”。
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小号

  • 由应用材料创造了一个词来形容金莎客户端CVD过程执行稍微低于大气压使用张志贤/臭氧化学。
  • 一个双模式采用牺牲侧壁间隔片技术实现pitch-halving。也称为侧壁间隔双模式(SSDP)或间隔定义双模式(SDDP)。
  • 自我对齐的收缩硅化物。自对准硅化物的加工技术旨在利用该难熔金属淀积图案化的硅衬底将选择性地与特定的处理条件下暴露硅反应的原理,并且将不与邻近的材料,例如氧化硅材料反应。因此,不需要图案化步骤。
  • 离子注入离子束相对于晶圆片的运动,以覆盖整个晶圆片表面。
  • 组成部分离子注入机要么通过离子束移动所述离子束穿过晶片,或者移动晶片。这可以利用磁场,静电场或者用机械运动来实现。
  • 用电子束而不是光照射样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 晶体硅太阳能光伏制造技术,一种由机织材料制成的薄片,支撑有开孔的钢网,银浆或其他材料通过开孔被滚子或刮刀压在晶圆片上形成图案。它类似于光掩模在半导体制造。
  • 离子注入,这是一层很薄的硅氧牺牲层2它可以阻止杂散的离子进入离子束,并在随后被移除。此外,屏幕氧化物稍微分散了主离子束,从而防止通灵
  • 软件协议用于标准化半导体制造设备和主机的控制系统之间的通信。它的目的是通过建立指令的公共组将通过所有的设备在一个被理解为简化工厂自动化工厂
  • 一个核层其中成核材料是相同的随后沉积的膜。
  • 一种技术用于增加结晶硅的转换效率光伏太阳能电池。选择性发射极重度掺杂的精确放置在前金属接触线下方的区域,以减少电接触电阻和允许电流更自由地流动。掺杂区通常通过沉积制成杂质糊然后在晶圆片的表面印刷接触线。
  • 刻蚀速率在两种材料的刻蚀过程中观察到的刻蚀速率之比。通常用于指用于去除的材料的相对腐蚀速率面具,是刻蚀图形保真度的重要指标。
  • 导电性介于金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的一种材料,可以通过物理或化学的方法加以改性,以增加或减少其导电性掺杂物
  • 其易于分解成硅和氢的气体,硅烷往往用于沉积含硅化合物。它还起反应与氨氮化物形式的硅,或与氧成二氧化硅形式的硅。
  • 一种退火(烧结)过程,其结果是形成金属硅合金(硅化物)作为触点。例如,Ti沉积在Si上形成了TiSi2,这是硅化作用的结果。
  • 硅的带正电荷的元素的化合物。镍,钽,钛和钴的硅化物膜被用于创建晶体管连接的欧姆(低电阻)的触点。硅化钼是通常用作光吸收层光掩模。硅化钨(多硅化物)被用于DRAM的栅电极。
  • 最常见的介质用于半导体制造的材料,因其多功能性和稳定性。也被称为“氧化物”,它可以通过热氧化或沉积在硅片上生长方向PECVD要么HDP-CVD流程。
  • 使用等离子体增强或LPCVD硅/氮薄膜介质沉积。有时笼统地称为氮化硅。
  • 一种大功率磁控管电源PVD赋予足够的能量给等离子体,使得处理气急败坏的说金属原子被电离。然后,金属离子可以通过电场加速向晶圆片方向移动,从而在小几何结构中形成更有方向性的沉积模式,从而获得更高的阶跃覆盖率。
  • 在半导体领域,用于在液体中的悬浮液研磨固体的CMP流程。在PV,用作在研磨介质线锯对于硅片切割
  • 源 - 掩模优化(SMO)是使用的分辨率增强技术光刻技术以补偿由于像差,衍射或处理效果图像误差。
  • 层状硅-绝缘体-硅衬底在半导体制造中的应用。SOI衬底提供还原寄生电容集成电路中相邻设备之间的功耗比集成到块晶片中的设备要低,因此具有更高的设备性能。
  • 一种将太阳光直接转换成电能的装置光伏的效果。多个细胞被连接在一起形成模块
  • 公用事业规模光伏电站。
  • 轻,掺杂区域从要么排水在晶体管通道设计了一个晶体管器件的操作期间展开的电场。不包括扩展名,在非常小的晶体管的电场可能足以损坏栅极电介质和事业设备故障。
  • 离子注入处理中使用来创建源极 - 漏极扩展的一个例子损害工程
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造过程中的质量控制的方法。
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造过程中的质量控制的方法。
  • 静止冷却的金属板中,位于植入物盘的顶部,即在捕获的离子束过扫描
  • 当不同的食谱在一个很多为了进行实验以提高特定工艺步骤的性能,该批被称为分割批。
  • 一种把原子从固体中喷射出来的薄膜沉积下来的方法目标材料,因为通过高能粒子轰击目标的。
  • 光伏晶片制造,使用切割硅锭成矩形块的处理的专用线锯。平方块或砖,然后切成在各个晶片硅片切割处理。
  • 一种计算机存储器,每个比特存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中,网络有两种稳定状态。
  • SRAM单元结构复杂,占用的芯片面积也比其他单元大DRAM电池,但更快,更节能。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常在模上与SRAM单元一起制作,用作高速缓存,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 用于硅片切割CMP流程使用泥浆为了回收材料如研磨剂和冷却用于随后的回收。
  • 特征的侧面的薄膜厚度与特征的底部(例如,通过)的薄膜厚度或特征的顶部(例如,FinFET的鳍)的薄膜厚度的比值。
  • 特征的侧面的薄膜厚度与特征的底部(例如,通过)的薄膜厚度或特征的顶部(例如,FinFET的鳍)的薄膜厚度的比值。
  • 设备用来传输光罩(光掩模)图案到晶片上。相同的图案被转印到每个在晶圆上。
  • 一种将每个晶体管或存储单元与其相邻单元隔离以防止电流泄漏的技术。该技术采用了一种在硅上蚀刻出的沟槽图案,沟槽内填满了二氧化硅等绝缘材料。
  • 在半导体制造中使用的方法会引入应力到晶体管和存储单元由扭曲晶体格子。在逻辑上,这使得电更容易通过晶体管,提高晶体管的性能。在内存中,应变还可以减少泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种用于切割的金属线绳锯所形成,或卷曲,成锯齿或类似的轮廓,以增加切割速度。
  • 在其薄膜被操纵的材料。硅是最常用的用于半导体和晶体硅PV电池。玻璃通常用于LCD和薄膜光伏应用。
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Ť

  • 使用多个光转换材料的太阳能PV电池类型,以增加转换效率。串联结薄膜硅电池,例如,使用非晶硅和微晶层。
  • PVD,目标是要沉积的物质的来源。由于高能粒子的轰击,原子被逐出目标。
  • 在光电器件中使用掺杂的金属氧化物膜,如平板显示器,触摸面板和光电。在LCD中,TCO层形成产生电场,以极化所述液晶的电极。在触摸面板,TCO层被用于感测电极。在光伏中,TCO形成电池的顶部电极。
  • 透射电子显微镜一种透射电子显微镜,它能将电子束穿过超薄的样品。它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率更高。
  • 正硅酸四乙酯是一种用于氧化物沉积的液体源
    式Si(OC2H4
  • 该终端效应是一种现象电化学沉积由此沉积膜趋向于在晶片比中心的边缘厚。它从该从哪里负极端子接触发生晶片边缘朝向中心,由于晶片的电阻的电压降造成的。这种阻力的一个主要部件是种子层这是由沉积在晶片上PVD在电镀之前。种子层在每个工艺节点处变薄,增加了晶片的电阻率,加剧了终端效应。这种效应可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿,该系统可以调节施加在晶圆片上的电压,从而在晶圆片上形成均匀的沉积。
  • 一个类型的液晶显示显示使用一个薄膜晶体管位于每个像素直接驱动液晶的偏振,从而控制该像素是否是打开和关闭。
  • 一层材料,从几纳米到几微米厚。
  • 一个MOSFET采用薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶圆数a工具可以每小时处理。
  • 用于指半导体加工设备的一个术语。
  • 在半导体技术中,由于在晶圆片表面制造特性而产生的非平面性。由于景深的限制,这可能会对后续图层的模式产生重大影响步进光学系统可以使图案的部位要规范的进行。也用于描述通过在不同的材料去除速率诱导的非均匀性CMP
  • 一种计算机接口,用于检测在典型的矩形区域上是否有手写笔或手指。
  • 常与显示以产生集成触摸屏
  • 甲类型的显示器,诸如一个液晶显示器要么AMOLED包含一个触控面板以使用户直接与所显示的图像,而不是间接地通过鼠标或轨迹球来进行交互。
  • 一个工具集成需要在半导体制造工艺中光致抗蚀剂(沉积,软烘烤,曝光,显影,硬烘烤)几个步骤。
  • 一种半导体器件,用作集成电路的基本元件,用来开关和放大电子信号。
  • 在晶片蚀刻的槽被用作器件结构的一部分。
  • 内置于A中的电容器在基板上。这种技术允许电容可以在不形成电容器所需的晶片上增加的面积而增加。
  • 一个类型的次级真空泵用来制造高真空。高速涡轮叶片,与固定叶片交替,将气体分子压缩到泵的底部,由一个粗加工泵去除。
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ü

  • 一种分辨率为3840 x 2160像素的数字视频格式。
  • 超高清也被称为2160p和4K,它的像素是传统高清1080p视频的四倍。
  • 被集中在减少的厚度的半导体制造的面积连接这种形式的排水为了提高性能,同时保持可接受的泄漏电流和击穿电压,采用了先进的晶体管。
  • 用焊点将模具与基板连接的倒装芯片封装中的沉积过程。
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V

  • 大气环境下的压力,通常指特定的压力范围:
  • 粗真空,从气氛到1×10-3
  • 高真空,从1×10-3托尔到1 x 10-9
  • 超高真空(UHV) -小于1 x 10-9
  • 离子注入,一种用于将固态离子源材料转换为气态以产生离子束的装置。
  • 垂直路径通过介电层,使电连接之间互连层。
  • 用在一个芯片上的晶体管10,000-1,000,000之间的芯片。该术语通常扩展为描述具有任意数量的晶体管大于10,000的芯片。如超大规模集成电路(ULSI)其他条款杜撰,但在广泛使用不再。
  • 也被称为3D NAND阵列。
  • 一个班的闪存架构,其中存储器单元的多个二维阵列在单个衬底上垂直分层(相对于使用堆叠晶圆级封装)。
  • VNAND是一种递增的方法位密度而不必减少每个细胞的大小。
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w ^

  • 单核细胞单核细胞的薄的、圆形的或近似方形的薄片多晶硅硅在其上的半导体和PV电池构建的。
  • 结合几个的技术集成电路S ON分开在一起,以形成一个单一的功能性装置。
  • 将硅锭或硅砖分割成晶圆片的过程。
  • 由金属或石墨的保护性衬里内部的安装波导。不需要的离子种类在这些衬层上失去它们的能量。
  • 卷筒对卷筒涂覆技术的另一个名称,即在柔性材料的卷筒上沉积材料薄膜。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学从基板上去除不需要的材料或污染物的工艺。
  • 能够均匀地分散在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 在硅晶圆制造过程中,使用移动导线执行三个关键步骤的机器。
  1. 剪切-去除单晶硅锭的锥形末端
  2. 平方 - 转动所述圆柱形裁剪锭切割成矩形块,或砖块。在多晶晶片的制造,该步骤用于切断大铸锭成砖块
  3. 晶圆片-将砖块切成单个晶圆片
  • 所有的门之间的连接晶体管在内存数组段的某一行中。
WP
  • 瓦特峰值,对于理想的照射条件下输送的太阳能电池的电力的太阳能产业单元。
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ÿ

  • 产物的百分比(例如晶片或模具)中的方法生产符合规格。
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