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  • 硅片的尺寸大约8英寸直径。也用来指一个工具设计处理晶片的尺寸。
  • 直径约为12英寸的硅片。也用来指一个工具设计处理晶片的尺寸。
  • 另一个名称UHD数字视频格式。
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  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。例子包括去除铜粒子化学机械抛光泥浆或将液体或气体有毒废水转化为安全的形式处理。
  • 半导体中的杂质,接受电子。硅硼的主要受体用于涂料离子注入的过程。
  • 一种存储单元,用于将正在进行的工作暂时存储在生产线上。
  • 离子注入,将原子引入晶体管的一部分以改变其材料性能的过程;在最常见的应用程序中,,掺杂剂原子变得具有电活性,即。一个电荷航空公司产生并增加注入区域的电导率。
  • 当原子掺杂剂植入,硅晶体晶格中断,或非晶化的。晶格随后修复使用实时传输协议,在这过程中掺杂物离子占据晶格置换网站和电荷航空公司被创建。
  • 一个类型的显示,使用电致发光的数组有机发光二极管像素所控制薄膜晶体管
  • 每个像素的AMOLED显示屏直接产生光,与液晶显示器其中,整个显示器由背光从背后照明,并且由控制液晶在每个像素处的偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • 与TFT-LCD相比,AMOLED显示器的主要优点在于”像素使用任何力量,整体能耗大大降低。
  • 一种类型的二元光掩模使用一个不透明的莫西人层的吸光层。极薄的铬层被放置在顶部,用作硬掩模的腐蚀过程。也被称为一个不透明的玻璃上莫西人(OMOG)光掩模。
  • 一层薄膜沉积一次沉积一小部分材料的技术。
  • 一种类型的PSM其具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,从而在透射光中引入180度相移,以提高对比度,从而提高晶片上投影图像的分辨率。
  • 在微芯片内形成晶体管和其他电路元件之间的连接的铝通道。
  • 一种没有晶体结构而沉积的硅。
  • 光伏,非晶硅是一个重要的薄膜技术。
  • 液晶显示器制造、a-Si是最广泛使用的。底板类型。
  • 离子注入,用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁体。
  • 长度单位;一个一米的10000000000。
  • 高温处理步骤,设计用于修复晶片晶体结构中的缺陷或诱导相变。
  • 离子注入,的开口的离子束直接定义了光束的形状和大小。
  • 光吸收层(通常是氮化钛),沉积在金属或多晶硅,改善光刻技术的性能。
  • 一种类型的PSM允许少量的光传输通过某些地区干扰光透明部分的面具,的目标再次改善晶片上的对比。
  • 在光伏模块制造、使用一个高压蒸汽气泡将被去除,提高粘附层压膜和玻璃基板之间通过对模块的温度和压力升高。
  • 任何有载波传输设备,机器人,磁带,豆荚,或foup往返于固定设备。
  • 一种技术采用晶片检验系统由此,缺陷根据其物理和光学性质被归入若干类别。
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B

  • 一个金属层覆盖整个表面的太阳能光伏细胞作为一个导体。
  • 也指先进细胞技术设计等细胞的终端都位于晶片的背面,从而增加电池的集光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能模块的底层,它提供刚性和电绝缘。通过接线盒通过一个洞连接到电路的玻璃。
  • 技术加速表面真空脱气系统或组件通过加热抽真空过程中。用来减少花费的时间达到特高压压力。
  • 除了太阳能组件之外,还具有制造具有功能的太阳能光伏发电系统所必需的组件,包括安装结构,布线,逆变器土地和维护。
  • 一种物理层,其设计用于防止阻挡层上方和下方的层相互混合。
  • 一个过程序列,同时对多个晶片,相对于单晶片(串行)处理。
  • 离子注入,离子束中的任何不希望的物种或离子电荷。
  • 扫描电流离子离子注入机的端站,定义为产品的数量,速度和物种的梁。
  • 该系列工艺步骤在晶体管制造完成后通过晶片完成,之前电测试。也被称为半导体制造的后端。后端一词也用来指那些部分的芯片制造晶片完成后,即。切丁,包装和测试。
  • 光掩模用由吸光膜限定的图案覆盖,通常的铬。光学上,这是最简单的光掩模类型,缺乏的移相特性PSMAPSM类型。另请参阅先进的二元掩模
  • 衡量密集记忆细胞是如何在给定的区域基质的记忆装置。
  • 一般来说,更高的位密度是可取的,因为它会增加性能和降低cost-per-bit。
  • 通常以每平方英寸。
  • 行信息是通过写/读/从记忆细胞。
  • 用于沉积描述一个过程的能力在底部沉积材料的电路特性与晶片的上表面相比,或。它被定义为膜厚度的比值在球场上除以底部的膜厚度给定的特性。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO2硼和磷提高防潮性和回流特征。
  • 缺陷检查收集缺陷反射的光的技术,创建一个图像的缺陷出现黑白色背景。一般来说,明场系统更灵敏,但低于暗视野检查。Brightfield检查通常是用于查找在晶体管制造模式所带来的缺陷。
  • 全身衣服穿的人员洁净室减少颗粒和污染物的释放到空气中。
  • 在薄膜光伏模块,相对较大的导电带,收集从单个太阳能电池。
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C

  • 一种材料能储存电荷的程度。
  • 电子组件用于临时存储电荷。它包括两个导电表面由一个不导电的分开介质
  • 电子或,携带电荷通过导电或半导体材料。
  • 一项措施,通常以cm表示2/ V·s,如何迅速电荷载体(电子或)可以通过半导体在回应一个外加电场。材料的导电性与迁移率乘以载流子浓度成正比。在半导体器件高迁移率是非常可取的,因为它会导致更高的设备性能通过更快的晶体管开关。
  • 打开一个金属或塑料容器用于运送晶片(通常是25)与一个工具。磁带保护晶片免受损伤可能导致的直接处理。
  • 一种使用镉碲化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池。
  • 用于描述蚀刻精度的参数腐蚀的过程。基督教民主联盟定义为重复的大小的变化特性与其标称值(CD)测量几个点的基底

计算流体动力学,流体力学的一个分支,利用数值方法和算法解决和分析问题涉及到流体流动,,

  • 离子注入,当光束中的一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶片并穿透比其他离子更深时,就会发生沟道。由于不能精确地计算或控制植入物的深度,所以沟道化是不可取的。可以通过倾斜或旋转晶片来减少沟道,覆盖其表面氧化的屏幕,或者对硅进行预非晶化。
  • 失去电子的原子粒子电离原子。
  • 二硒化铜-铟化铜:一种使用铜化合物的薄膜太阳能电池材料,铟,硒。第四个要素,镓,也可以添加到化合物(CIGS)中以实现更高效率
  • 面积在工厂,空气条件去除空气中的粒子可以预防半导体器件的正确功能。
  • 金属氧化物半导体设备组成的p -配对通道和n沟道晶体管。
  • 也指家族制造过程用于构造CMOS晶体管集成电路功能。
  • 这一过程使用一个研磨,化学活性浆料,物理研磨部分加工的晶片上的微观形貌特征,以便后续工艺可以从平坦表面开始。也称为化学机械抛光。
  • 一个离子注入技术植入两个物种的同一地区材料以提高掺杂区域的电气性能,通常用于改善晶体管性能。
  • 例如,非掺杂原子,如氟、氮可能co-implanted掺杂物如生产超浅硼管理办公室晶体管渠道用改进的掺杂剂激活和一个非常尖锐的过渡从掺杂到无掺杂区域。
  • 封装的底面平行于印刷电路板的着陆面。
  • 一层液晶平板显示器分为透明区域的红色,绿色和蓝色,每个覆盖一个晶体管开启一个全系列的颜色。
  • 使用计算机系统和软件来帮助创建、修改,或2 d或3 d设计的分析。
  • 一种利用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许步骤来交换信息和个人发起的行动。
  • 包含移动电荷载体的材料,如电子或离子。
  • 芯片上的一种特征,在第一条电路之间形成电通路互连层和晶体管。这个区域通常是充满了钨。
  • 射频等离子体一代,指一个波形,频率和振幅保持不变,而不是“脉冲的交付供应调制,通常在两个不同的振幅,在100-1000Hz范围内的频率。
  • 一个互连采用铜作为导电材料的结构,与铝互连相比,提供更高的器件速度和更低的功耗。
  • 兴奋剂过程,沉积一层保形包含所需的材料掺杂剂物种,然后使用一个热过程驱动掺质控制深度在底层电路结构。CPD提供了一种掺杂复合物的方法,三维结构。传统上,兴奋剂是通过离子注入,用高速运动的掺杂离子轰击晶片。然而,这种视线轰击工艺不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子能破坏超薄半导体层尖端芯片。CPD旨在解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要在晶片。在其他半导体过程中,CD是在基底用于描述给定过程的准确性或其他特性。
  • 电路元件中的信号由此产生的不良影响,比如一个互连线,影响附近另一个电路中的信号。在半导体中,的耦合通常的结果寄生电容两者之间的电路。
  • 一种通过低温冷冻和吸收气体分子来捕获气体分子的二次真空泵。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即。允许返回环境温度使解除吸附和泵的捕获气体种类。
  • 原子排列成有序周期阵列的材料。
  • 太阳能电池技术的通用术语,它使用结晶结构中的纯化硅衬底。
  • 一种通过使基底到一种或多种挥发性前体,它们在衬底表面反应和/或分解。
  • 晶圆处理所需的时间通过一个特定的制造过程的一部分。
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D

  • 非反射,不吸收能量,无机介质多晶硅层上沉积金属或改善光刻技术的性能。
  • 缺陷检查利用探测器收集散射光使缺陷在暗背景下显得明亮的技术。通常用于寻找粒子在晶圆上互连制造。与brightfield检查。
  • 波长低于300nm的紫外光谱部分。
  • 流程缺陷在哪里位于有图案的晶片。创建缺陷位置列表并将其传递给DR-SEM为审查和分类。
  • 一种类型的扫描电子显微镜用于在晶片制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 在衬底上沉积绝缘或导电材料的薄层的方法。
  • 规则几何轮廓和连接集成电路的设计和布局的限制。
  • 在半导体制造,硅片的面积功能电路所编造的。在每个晶片上制造数百个相同的模具(备选的复数是模具和骰子)。
  • 一个绝缘体
  • 也更具体地用于指可被外加电场极化的绝缘体。两种电介质中常用半导体加工是二氧化硅(SiO2和氮化硅3.N4
  • 大锥形轮在一个批处理离子离子注入机用于晶圆中离子注入。晶圆片安装在每一个“说“的磁盘。随着磁盘旋转,每个晶片依次经过扫描的离子束径向提供一个统一的剂量在每个晶片。
  • 一个杂质控制增加材料为了修改一些固有的特点,例如电阻率或熔点。添加一个半导体掺杂剂创建一个材料主要是消极的(n型或阳性(P型(根据掺杂剂种类而定)载流子。
  • 一种粘性液体或悬浮液,含有掺杂剂材料。
  • 杂质的引入,或掺杂物。的晶格修改材料的电气性能。要创建n型区域,砷,胂(灰3.)磷化氢3.通常使用锑。对p型区域,典型的掺杂物硼(B),二氟化硼2)和三氟化硼(男朋友3.
  • 总金额掺杂物以离子/厘米2需要给植入晶片所需的电气性能。
  • 一种精密电流测量装置,用于计算注入晶片的离子总数。该功能有时与均匀性监控相结合。
  • 一种图案化技术,设计用来增加晶片上可产生的电路特征的密度,超过特定光刻法的正常极限。步进器。见音高减半SADP
  • 太阳能技术光伏其中接触线或其他结构以多个形式构建的制造,精确追踪丝网印刷业务。
  • 双印的示例应用包括制造更窄的,高接触线和选择性射极细胞类型。
  • 使用电感耦合的方法来生成氮等离子体和氮合并到超薄栅氧化层的顶面层增加栅极电介质的介电常数。
  • 一种类型的ICP等离子体源主要用于蚀刻应用程序分离管理的等离子体密度和离子能量,导致高腐蚀率和最小的等离子体损坏衬底。
  • 一种挥发性的计算机内存,每个存储在一个单独的电容器。因为电容自放电随着时间的推移,每一位的状态必须刷新每秒大约15次,因此,术语“动态“。比较静态””闪存
  • DRAM提供任何类型的存储器中最快的编程,非常适宜制作直接连接到一个微处理器使用的内存。
  • 大马士革过程设计形式和两个特性填充铜,例如,一沟槽上覆通过愿都充满一个铜沉积步骤。
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E

  • 在太阳能光伏技术、入射太阳能转换成电能的部分。
  • 由于导电电子和扩散金属原子之间的动量转移而引起的导体中离子运动引起的材料运动。
  • 从化学溶液中除去金属并沉积在带电表面上的沉积过程。也称为电化学镀,电镀、或电沉积。
  • 通过电解进行,的过程是分离液体进入不同的化学部分通过电流通过。
  • 亚原子粒子稳定的负的电荷作为电力载波。
  • 离子注入,电子的来源最后站附近的晶片,用来消除不受欢迎的电荷累积带正电荷的离子植入可能损害敏感电路特性。
  • 由一个电子获得的能量(或质子,(相同大小的电荷)通过1伏的电压差。在离子注入,电动汽车作为测量一个粒子的动量。粒子与半导体晶格动量将进一步渗透到高于一个减少的势头。
  • 没有电流流动的静态电压场。在离子注入,它指的是使用电压来弯曲或聚焦离子束。
  • 一个带负电荷的电极——反映电子梁过滤器
  • 一种高级的回来联系光伏电池。发射器将通过细胞结构,连续发射极扩散通过成千上万的激光钻通过少于100µm直径(千分尺)采取目前的细胞。通过消除前面的联系人,易提高光吸收和提高电池效率。
  • 同时,被称为end-of-range位错环,EOR缺陷是硅晶体晶格中的缺陷,它直接存在于非晶化的和结晶区域的晶体管通道离子注入
  • EOR缺陷可以通过以下方法最小化低温植入
  • beamline元素用于特定的瓦里安离子注入机同时减慢离子束的最终能源和过滤删除不必要的高能离子束组件,可以“诽谤”晶体管通道,导致漏电流增加和性能降低。
  • 用于比较门性能的数字。介质通过指示氧化硅膜需要多厚以产生与所使用的介电材料相同的效果的材料。
  • 大量用于比较high-k介电性能的金属氧化物半导体盖茨与盖茨SiO2-based金属氧化物半导体的性能。它显示了二氧化硅的厚度栅氧化层需要获得相同的栅极电容作为一个厚二氧化硅介质介电常数较高的k(例如,使用具有k=39(SiO2的k为3.9)的10nm厚的电介质将导致1nm的EOT]。
  • 一种存款方法,或增长,一种单晶薄膜,其中沉积的薄膜具有与基底相同的晶格结构和取向。这使得一个高纯起点构建一个半导体器件。
  • 一个空气污染指数技术监控处理工具提供了视觉和统计报表工具来识别瓶颈和提高工厂的性能。
  • 去除材料的过程在指定区域通过化学反应或物理撞击。流程可以执行使用液相(湿)腐蚀剂或真空(干)通常使用等离子体产生气相反应物。
  • 的材料是在删除腐蚀处理,通常表达/ s或纳米/ s。
  • 一层膜用来限制腐蚀深度和保护基础材料。ESL选择是使用耐腐蚀化学。
  • 光刻技术采用13.5nmEUV照射的技术。它代表了一个重大的偏离。杜夫光刻技术,因为所有的光元素必须在反射模式和整个光学系统必须保持真空。
  • 离子注入,提取电极用于从源极提取带正电的离子。离开源的离子在下游结合形成用于注入的光束。掺杂物硅晶片。
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f

  • 常见的半导体制造工厂的名字,工厂用于生产集成电路。
  • 也被称为嵌入式Wafer-Level球阵列。芯片封装方案未创建包的硅片,但在一个人工晶片的成型材料(例如,环氧树脂)。芯片之间的距离通常比在硅片上。创建互联在芯片和电气连接是由芯片互联垫。可以在任意距离的封装上创建任意数量的附加互连(扇出设计),从而使该方案适合space-sensitive应用的芯片面积也不足以所需数量的连接在一个合适的距离。
  • 一个空气污染指数技术,使用流程状态模型,推导出故障的发生和位置条件和诊断故障的原因。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。FEOL通常覆盖直到(但不包括)沉积联系人和金属互连层。前端一词有时用来表示整个过程完成的晶片。
  • 一种依靠电场来控制晶体管载流子在半导体材料的流动。
  • 一个超净的外壳安装在半导体前处理系统,将晶片转移到和从洁净室环境的内部系统。
  • 中使用的一个术语沉积用于描述晶片的顶表面不同于电路特征表面的应用,例如低于顶表面的沟槽和通孔。
  • finFET是一个类型的场效应晶体管在进行通道三面环绕着薄硅”鳍”形成晶体管的城门。虽然从技术上讲,这个术语仅指具有两个门的设计,该术语通常用于描述任何多栅晶体管结构,不管有多少门。
  • finFET的主要设计目标是减少漏电流晶体管是在“”状态。
  • 一种非易失性存储技术,不需要保留数据,不像动态随机存取记忆体。这个名字flash”来自这样一个事实:大量的记忆擦除和编程,一次成百上千位。这不能解决个体位使它太慢直接连接到一个微处理器,但是闪存的机械健壮性和低成本使其非常适合于移动设备的大容量存储。
  • 任何消费者显示设备,比如一个液晶显示器AMOLED,用一个平面的表面,与阴极射线管显示器的弯曲前部形成对比。
  • 是一个连接半导体器件的方法,如集成电路芯片和微机电系统(MEMS),外部电路与焊料沉积到芯片垫。
  • 一个物理性质在空间的流动,经常也随时间变化。
  • 在LED技术中,产生指定光输出所需的LED端子上的电压。这也是导致的电压低于不会产生任何光。
  • 容器与静止的盒式对襟接口使用自动物料搬运系统阿姆斯)FOUP减少粒子的使用数量在晶片因为FOUP孤立于环境的内部工厂环境。
  • 一种无形的绝缘材料(k = 3.5)由掺杂SiO2与氟经常用于铜互连层之间。也称为氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 一个术语,一代的简称,中使用的火焰光度制造业来描述玻璃的大小基底
  • 每一代大约80%比其前任。
一代 典型尺寸(mm) 面积(m) 介绍了

创2

400×500

0.2

1993

创3

620 x 750

0.5

1995

第4代

730 x 920

零点七

2000

创5

1,000×1,200
1,200 * 1,300

1.2
1.6

2002

创5.5

1,300×1,五百

2.0

2004

创6

1,500 * 1,850

二点八

二千零三

创7

1,870 x 2,200

四点一

2004

创7.5

1,950 x 2,二百五十

4.4

2005

第8代

2,160 x 2,四百六十

5.3

二千零六

创8.5

2,200 x 2,五百

5.7

二千零七

第10代

2,880×3,130

2008

  • 一种包括洗手和戴手套的手术,头罩,面具,鞋套,和其他专业服装工人进入洁净室之前。
  • 清洁室外部的支持区域或服务区域,允许服务人员在不进入清洁室本身的情况下执行日常维护。
  • 缺陷检查使用探测器收集中角度和高角度散射光的技术,使缺陷在黑暗的背景下显得明亮。通常用于找到小模式缺陷超出光学分辨率。与brightfield检查。
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H

  • 面具比光刻胶更耐蚀刻,时使用高腐蚀选择性比使用光致抗蚀剂所能达到的要求还要高。
  • 等离子体中高浓度的自由电子,因此,高浓度的离子。
  • 一种plasma-enhanced化学气相沉积表现在高真空和高血浆励磁电压以提高能力来填补小高纵横比的结构。
  • 一个班的离子注入器产生束电流最高,通常超过3 ma。越大束流,所需的越快剂量达到,导致更高的晶片吞吐量。1 k之间的离子能量电动汽车和100 kev典型。
  • 一个班的领导产生足够的光用于照明应用。应用包括背光液晶显示器,房间的照明和汽车外部灯。确切地说,一个LED必须有多亮才能符合高亮度”没有定义良好。最简单的定义是过于明亮而不能直接看到的定义。
  • 在半导体中,一个洞就是缺乏一个电子可以存在于一个晶格。它可以被认为是相反的一个电子,带正电荷,正电荷大小和电子完全相同。如果,在一个电场,一个电子移动到这个空位,这个洞已经有效地向相反的方向移动。
  • 与设备通信的智能工厂系统用于半导体制造。在半导体中,的SECS/GEM使用协议。
  • 一个区域容易失败
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  • 一种等离子体源的能量是由电流产生的电磁感应,也就是说,通过时变磁场以外的一般应用真空附件。
  • 半导体材料用于形式通道高性能薄膜晶体管活性层液晶显示器年代。相比非晶硅,传统的沟道材料,IGZO允许的高电子迁移率晶体管切换更加迅速,以更快的刷新速率启用高分辨率显示。
  • 光刻技术分辨率增强技术,取代了通常的气隙之间的最后一个镜头,晶片表面与水等液体介质。
  • 离子注入,离子束与晶片表面之间的入射角。

晶圆检测缺陷的检查各种类型(例如,划痕,粒子,损坏的特性)半导体制造工艺流程中的每个步骤。

  • 用于将器件或芯片的电活性区域彼此隔离的非导电材料。一些常用的绝缘材料是二氧化硅,氮化硅,,BPSG,和聚乙二醇
  • 电子设备,由许多元素组合在一个硅衬底。
  • 集成电路中将晶体管彼此连接以及外部连接的线路。
  • 用于集成电路金属层之间的绝缘膜。
  • 绝缘薄膜之间使用相邻的金属线。
  • 一层硅或一些其他合适的材料,用作一个插座或连接到另一个插座之间的电气接口路由,以将连接扩展到更宽的间距或将连接重新路由到不同的连接。
  • 从太阳能电池板,将直流电源设备例如,交流电源兼容电网电能。
  • 一个带电原子或一组原子由一个或多个电子的损失或粮食
  • 离子掺杂剂化学品(硼,砷,等)在强电场加速渗透晶片的表面,从而改变材料的电特性。
  • 一种工具,设计用于将选定的掺杂剂原子均匀地穿过衬底注入到所需浓度下的规定深度。这种技术称为离子注入
  • 的过程中添加或删除一个更多的电子从一个电中性的原子或分子。一旦一个粒子电离,它可以加速,将使用磁或静电字段以及进行其他操作,像在beamline
  • 一个共同点TCO材料。
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J

  • 两种不同的半导体区域之间的接口掺杂剂类型。通常指pn结,电导率的变化类型P型n型
  • 在太阳能模块,设计成为模块的输出提供连接点的环境外壳。
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K

  • 也称为介电常数,通常用希腊字母k(κ)。一种表示材料将电通量集中程度的表达式。
  • 在电子技术中,它指的是相对于二氧化硅材料的电容。
  • 高增殖系数粘度值允许晶体管在不增加不希望的泄漏的情况下使体积更小。
  • 低增殖系数粘度值是可取的一个绝缘材料,如用于分离互连因为它减少了电荷积聚,而电荷积聚浪费能量作为热量,降低设备的总功耗。此外,低增殖系数粘度值允许更快的信号传播,从而更快的开关速度。
  • 切削过程中材料损失的量。在硅片生产中,切口损耗是指作为晶片工艺的一部分而消耗的硅的数量,在确定成本方面起着至关重要的作用,边质量,,晶片的表面光洁度。
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l

  • 在化学、一个术语应用于不断地接受或可能接受改变的东西。例如,如果一个分子存在于一个特定的构象短暂的一生,在采用较低能量构象之前,前者的分子结构据说具有高不稳定性。它可以指“肾上腺脑白质退化症”前体的化学物质反应容易与材料表面的晶片。
  • 技术,利用激光烧蚀表面的薄膜光伏电池以定义互连模式。
  • 原子在结晶固体中的有序排列。
  • 半导体器件,发光,当电流流经它。LED由p-n组成构建在这样一个光子的光发射时电荷载体重组。
  • 主要用于一个参数光掩模刻蚀腐蚀过程的测量精度。线性定义为偏离目标的范围。CD跨越指定的特征大小范围。
  • 一个金属的宽度互连线。
  • 一个使用一个数组类型的平板显示器的背光薄膜晶体管被称为底板控制每个像素。
  • 液晶显示器通过单独控制每个晶体管允许或阻止光背光。然后,白光通过滤色器阵列以组装最终的滤色器,全彩色图像。
  • 当一个像素晶体管是关闭的,液晶材料通过90°旋转偏振光,允许它通过第二偏振器。
  • 当晶体管是亢奋时,液晶分子以这样的方式排列,使得光不再旋转,所以光被第二偏振器阻挡。
  • 任何技术,提高分辨率,富达或其他方面的光刻技术的过程。
  • 模式的转移或图像从一个中等到另一个,比如光掩模晶片使用步进器
  • 室用来传输晶片或晶片之间的大气压力FI用于处理和真空环境。
  • 一批晶圆处理相同的特征,在同一时间。很多东西通常放在一起foup
  • 芯片与3之间,000和100,单个管芯上有000个晶体管。第一个大规模集成电路芯片生产的1970年代中期。
  • 一个用于创建过程多晶硅电影用一个两步的过程。存款的前体的第一步电影400 - 450°使用PECVD过程,低于600 - 1000°低压化学气相淀积半导体制造中常用的工艺。第二步使用一个退火将前驱体转化成多晶硅的过程。
  • ltp电影中常用的AMOLED和超高分辨率液晶显示器显示器。
  • 在LED技术中,的高效LED将能量转换成电磁辐射。通常表示在每瓦流明(lm / W)。
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  • 一层花纹的材料用于防止腐蚀的材料直接埋起来。的缩写光掩模
  • 瓦里安离子注入机的质量分析磁铁之间的定位以及用于偏转和过滤离子的处理室,因此只有选定的离子进入处理室。这可以确保只有必需的掺杂物到达晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在制造环境中正在进行中的材料的运输和存储。
  • 一个班的离子注入器最大限度的设计剂量一致性。束电流范围从1µa 5 ma,在从5 - 600 kev能量。中电流离子注入机通常有植入物的能力掺杂物植入角度从晶片表面下降到30°,使掺质植入部分在现有结构在晶片表面。
  • 非常小的机械或机电设备如传感器和致动器使用修改后的半导体器件制造技术制作的。
  • 一种用于管理和监视制造环境中的在制品材料的软件控制系统。
  • 确定尺寸的测量科学,数量,或能力;使用传感器和测量设备确定晶片加工中的物理和电气特性的技术和过程。
  • 一种薄膜硅与非常小(0.5 2µm)硅晶体与非晶硅混杂在一起。通常是存入一薄层(通常1-3µm)串联(堆)薄膜太阳能电池。
  • 蚀刻的现象相同的特性(如以不同的速率取决于他们的密度。密集的,semi-dense)对开放的区域特性。
  • (m或微米)长度单位;一米的1000000。
  • 一个集成电路,其中包含算术,逻辑控制电路在一个包中。
  • 一个围栏或创造的环境保持晶片自由等污染FOUP
  • 金属是一种外延生长过程用于存款化合物半导体薄膜,特别是那些用于制造高亮度发光二极管以及电力电子。在一个金属过程中,在含有所需金属的有机化合物和其他元素之间的衬底表面发生化学反应。
  • 太阳能模块是最终封装光伏发电机。在c-Si技术中,模块通常包含几十个太阳能电池连接在一起。
  • 一个结构得到一层二氧化硅(SiO增长2)在硅衬底上然后沉积一层金属或多晶硅(后者是常用)。通常用来描述一个晶体管以这种方式制作的。
  • 在太阳能光伏中,硅晶片的一种,是扔在单晶硅锭使用谷物。锭然后切成薄片,用在微芯片的生产和光伏电池。
  • 中发现的一种缺陷平板显示器显示区域的亮度不均匀。也称为““蒙上了阴影。
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N

  • 半导体材料,带负电荷的电导率(过多的电子)。
  • 用于闪存产生一个输出信号只有在至少一个输入没有信号,因此被“不“(和经营者的倒数)。
  • 半导体解决方案,聚焦于尺寸小于100nm的太阳能和显示产业。
  • 长度单位;一米的1000000000。
  • 设备所使用的一些措施的瓦里安离子注入机离子电流在设置和充当中立者的陷阱中生成beamline
  • 在具有相同能量但不再带电荷的离子束中运动的粒子。中立者不能被外部字段,并将继续以固定速度,直到与真空室的墙壁或其他粒子发生碰撞。
  • 转换成一个氮化
  • 用于闪存产生与OR相反的输出结果。
  • 一层薄薄的膜,促进一个随后沉积膜的生长。
  • 一个疑似缺陷报告缺陷检查可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。压制公害,或“假警报”缺陷是先进缺陷检测系统的关键能力。
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O

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体闸极介电层。
  • 一种发光器件,其中由于薄膜有机半导体中的电子-空穴相互作用而发射光子。
  • 离子注入,晶片的方位角度的晶格结构的梁。在不同的东方角度,不同的掺杂剂渗透深度和通灵将获得的。
  • 离子注入,将离子束扫过晶片边缘以达到均匀性的实践剂量在晶圆边缘。
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  • 具有正电导率的半导体材料(电子的缺陷)。
  • 所有电路的固有电容等元素互连晶体管使他们的行为偏离理想”电路元素。
  • 在半导体中,特别指紧密间隔的导体之间的不希望有的电容,这会导致诸如串音
  • 通过降低介电常数可以降低寄生电容,或增殖系数粘度值的绝缘子之间相邻的电路元素。
  • 垂直条形图中值绘制相对频率递减的顺序从左到右。用于分析首先需要注意什么问题。
  • 一层的半导体器件在电路元素,形成一个密封作为制造过程中的最后一步,或者当晶片在加工工具之间转移时,保护化学活性材料免受反应。等离子氮化硅和二氧化硅材料主要用于钝化。
  • 在半导体制造,创建所需的电路晶片几何。通常指的结合光刻技术和图案薄膜沉积和等相关流程腐蚀
  • 一张清晰的聚合物,骑在一个框架来保护的光掩模图案地区的空气污染。在曝光期间,任何污染都保持在焦平面之外,因此不会”打印”在晶圆上。
  • 光掩模利用相位差产生的干涉来提高光刻中的图像分辨率。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO2具有提高磷耐湿性和回流性的特点。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 熔融石英(石英)板,通常152毫米平方,覆盖着透明的模式,透明和阶段——转移将投射到晶片的区域光刻技术过程定义的布局一层的集成电路。
  • 光敏有机聚合物公开的光刻技术过程,然后开发生产的模式识别领域的底层电影蚀刻。
  • 相邻特征的中心之间的距离,例如互连线或接触洞。
  • 任何模式技术,创建了配对,功能从单一光刻技术图像与一个球场原始图像的一半,因此创建更小的模式比光刻过程本身的能力。有时被误称为音高加倍。
  • 火焰光度技术,测量的分辨率来描述每个像素之间的距离显示。通常用每英寸像素表示,或ppi。
  • 用低选择性蚀刻或穿透的方法使不平整的晶片表面相对平坦化学机械抛光
  • 第四种物质状态——不是固体,液体或气体。在等离子体,电子挣脱了原子,可以独立地移动。单个原子的指控,尽管正电和负电的总数是平等的,保持整体的电中性。
  • 隔热层沉积在晶体管年底完成FEOL第一金属处理互连层形成。
  • P-通道MOS晶体管的活动载体孔流动p型源和排水地区之间形成一个静电p沟道在n型硅衬底。
  • 电影堆栈常用的DRAM栅电极的制作,由硅化钨组成的多晶硅
  • 多晶硅(或半晶质硅,多晶硅,poly Si或者简单地说聚”)是一种硅材料组成的多个小晶体。广泛用作高掺杂状态的导体/栅极材料。保利电影通常是由pyrolyzing硅烷沉积的使用低压化学气相淀积的过程。
  • 一种技术用于离子注入用来减少通灵故意地非晶化以前地区掺杂剂植入,从而使获得更均匀的掺杂剂的配置文件。在一个amorphized地区没有引导,通过定义。预非晶化注入通常用惰性元素(如氩)来完成。
  • 过去做过沉积的金属植入物。
  • 执行一个操作或一组连续操作的制造集成电路或其他设备。
  • 一个封闭的区域,一个进程执行的制造集成电路或其他设备。
  • 优化每个流程步骤正常工作之前和后续步骤顺序流程。
  • 一种类型的触控面板,由一个网格的电极检测静电场引起的扭曲的存在导电物体如手指或导电笔。
  • PCT面板通常用于应用程序需要同时的精确跟踪多个接触点,比如智能手机和平板电脑。
  • 光转换为电能的过程。太阳能光伏发电的太阳能辐射。
  • 用于制造薄膜PV组件的树脂。光伏电路,上形成一片玻璃,用一张PVB覆盖,然后后面的玻璃。然后将该组件层压以封装电路,从环境保护它。
  • 一种工艺技术,其中导电材料(铝,氮化钛,等)气急败坏的说从一个目标纯粹的材料,然后沉积在衬底的创建进行在一个集成电路或电路火焰光度
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Q

  • 磁或四波兰人交流信号所产生的静电场排成一个圈;用来聚焦一束带电粒子。
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R

  • 一个空气污染指数技术,允许修改机器”之间的工艺参数运行”以减少可变性。
  • 一个原子或一组至少有一个不成对电子的原子,因此不稳定、高活性。
  • 频率从大约3千赫到300千赫兹的电磁辐射。
  • 基于单色光的非弹性(拉曼)散射的一种化学分析方法。可以实时监测和反应特性的化合物以非接触的方式。
  • 一个退火过程中,晶圆是加热到指定温度短时间内。
  • RTP在半导体器件制造期间被重复使用,用于以下目的:激活植入掺杂物或改变状态(或阶段)的材料来提高所需的属性(例如,导电性)。退火可以使用三个技术进行浸泡,尖峰,和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括所述装置在制造序列中的特定点经受一定温度/时间暴露的公差。一般来说,设备能承受长时间的暴露(30 - 90秒),也被称为浸泡退火,在高温下在制造周期的早期。随着循环的进行,如果需要高温,则必须降低温度或显著缩短暴露时间。高峰退火后者和用于-排水植入物激活和扩散以及high-k /金属制造。
  • 向内倾斜的人指其侧壁是凹形的特征。
  • 用于特定工艺步骤的存储参数,如气流的温度和压力。一般来说,相同的配方用于所有晶片很多
  • 芯片上的额外金属层,用于制作集成电路在其他地方,简化到成键。
  • 一项规定,要求增加的能源来自可再生能源的生产,如风,太阳能、生物量,和地热能。另一个常见的名称相同的可再生能源标准(RES)的概念。
  • 导电材料的程度反对一个电流通过它。
  • 离子注入,小孔,通常发现后直接分析仪,它仅将光束分解为具有特定电荷的一种分子或原子。
  • 一个平面,透明板,用于步进器包含薄片的形象图案复制在晶圆上。常与光掩模
  • 苹果公司的商标用于描述任何显示的像素密度足够高,肉眼无法分辨单个像素。
  • 注意,这个词并不直接相关像素密度,因为它包括观看距离。对于符合视网膜显示器条件的移动电话屏幕,其像素密度应该超过300ppi,但是电视机只需要大约50ppi。
  • 一种类型的周围性血管疾病过程,使用电感耦合等离子体允许较低的离子能量比传统PVD反应堆,从而形成非常薄的更温和的沉积机制,亚纳米薄膜和几乎消除损害的潜在电路特征。
  • 在里面离子注入,一种电子束,它被限制在一个矩形的横截面内,允许晶片的整个表面被沿着单轴方向操纵而覆盖。与必须前后扫描以覆盖晶片的点光束相反。
  • 一个蚀刻技术,使用化学活性等离子体去除材料沉积在晶圆。来自等离子体的高能离子与晶片表面的材料反应。
  • 真空泵用于真空系统的初始抽真空的机械泵这个过程被称为“粗。””
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年代

  • 双模式利用牺牲侧壁间隔膜实现的技术音高减半。也称为侧壁间隔双模式(SSDP)或间隔定义双模式(SDDP)。
  • 自我调整的收缩硅化物。Salicide处理技术旨在利用原则,难熔金属图案的硅衬底上沉积会选择性地与暴露在特定的处理条件下,硅反应也不会与相邻的反应材料、如氧化硅材料。因此,不需要模式的步骤。
  • 离子注入,离子束相对于晶片的运动,以便覆盖整个晶片表面。
  • A component of an离子注入器或者移动离子束穿过晶片,通过离子束或移动的晶片。这可以通过磁场来实现,静电场或与机械运动。
  • 显微镜采用电子束而不是光来照射样品。来回光束扫描样品表面。
  • 结晶硅太阳的光伏制造、一张编织材料支持模板开放区域通过银膏或其他材料由辊强制或刮刀晶片形成一个模式。它是类似于光掩模在半导体制造中。
  • 离子注入,薄的,牺牲层SiO2它阻止了离子束中携带的杂散离子,随后将被移除。此外,氧化屏幕略散射主要离子束从而阻止通灵
  • 用于标准化半导体制造设备和主机控制系统之间的通信的软件协议。它被设计用来简化工厂自动化通过建立一套共同的指令,会理解所有的设备工厂
  • 成核层成核的材料是一样的随后沉积膜。
  • 一种技术用于提高晶体硅的转换效率光伏太阳能电池。选择性发射器重掺杂区域精确放置在前面的金属接触线为了减少电接触电阻,并允许电力更自由地流动。掺杂区域通常通过沉积来制造。掺杂膏表面的晶片,然后印刷接触线之上。
  • 蚀刻率的比例在两种材料在腐蚀处理。通常指相对腐蚀率的材料用于去除和面具,以及蚀刻图案保真度的重要度量。
  • 材料的导电性介于金属(导体)和绝缘体(非导体)和可以修改物理或化学增加或减少其电导率的增加掺杂物
  • 气体很容易分解成氢气和硅,硅烷常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或与氧形成二氧化硅。
  • 退火(烧结)过程导致的形成金属硅合金(硅化)作为接触。例如,钛沉积在硅形式TiSi2 silicidation的结果。
  • 与更阳性元素硅的化合物。镍、钽、钛合金和钴硅化物薄膜用于创建晶体管连接电阻(低)联系。硅化钼通常被用作吸光层光掩模。硅化钨矽化物)用于DRAM栅电极。
  • 最常见的介质材料用于半导体制造、由于它的多功能性和稳定性。也简称为“氧化”,它可以在硅片上通过热氧化法生长或者通过热氧化法沉积。PECVDHDP-CVD过程。
  • 利用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时松散称为罪恶。
  • 光伏电池由一个单一的pn结。这包括非晶硅薄膜和大多数结晶硅细胞类型。
  • 大功率磁控管来源周围性血管疾病向等离子体提供足够能量的过程,使得气急败坏的说金属原子被电离。金属离子可以使用电场加速向晶圆,创建一个更定向沉积模式,从而更高一步覆盖率小几何结构。
  • Source-mask优化(SMO)是一种分辨率增强技术中使用光刻技术为了弥补由于畸变图像错误,衍射或过程的影响。
  • 采用硅+绝缘层+硅的硅基体使用分层在半导体制造业。SOI基板提供了寄生电容与内置于块状晶片中的装置相比,在集成电路中的相邻装置之间,使减少能耗,从而提高设备性能。
  • 一种设备,将光能直接转换成电能的光伏的效果。多个单元连接在一起以形成模块
  • 可使用的光伏电站。
  • 轻,掺杂排水在晶体管通道为了分散电场在晶体管的操作设备。没有分机,非常小的晶体管的电场可能足以损害闸极介电层,导致设备故障。
  • 离子注入过程用于创建source-drain扩展的一个例子损伤工程
  • 提高质量控制方法在制造业应用统计技术的监测和控制的过程。
  • 固定冷却的金属板,位于磁盘上的植入,在过扫描
  • 不同的时候食谱在一个使用很多为了实验目的提高特定工艺步骤的性能,许多被称作分裂。
  • 一种在固体中喷射原子而沉积薄膜的方法。目标材料由于目标由高能粒子的轰击。
  • 光伏晶圆制造、硅锭切割成矩形块使用专业线锯。方块,或砖,然后切成单个晶圆的吗压扁的过程。
  • 一种计算机内存,每个位通常存储在一个网络6或8晶体管也有两个稳定状态。
  • SRAM单元是复杂的,而且在芯片上消耗的面积大于动态随机存取记忆体细胞,但更迅速、更省电。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常用芯片上的SRAM单元来制造,用作高速缓存存储器,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 厚度之比电影的一大特色电影底部的厚度(例如,通过)或在一个特性(例如,分别FinFET的鳍)。
  • 设备用于转移十字线(光掩模)模式到晶圆上。同样的模式转移到每个在晶圆上。
  • 技术隔离每个晶体管或存储单元从邻国为了防止电流泄漏。该技术采用在硅中蚀刻的沟槽图案,填充有绝缘材料,如二氧化硅。
  • 流程用于半导体制造中引入应力晶体管和记忆细胞通过扭曲的晶体晶格。在逻辑学中,这使得电力移动更容易通过晶体管,提高晶体管性能。在内存中,压力也可以降低泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种用于钢丝锯这是形成,或卷曲的,为了增加切割速度而变成锯齿形或类似的轮廓。
  • 薄膜的材料是被操纵的。硅是半导体和同单晶硅光伏电池最常用。玻璃通常用于LCD和薄膜光伏应用。
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T

  • 太阳能光伏电池类型,使用多个光转换材料来提高转换效率。串联结薄膜硅电池,例如,使用非晶硅和微晶的层。
  • 周围性血管疾病,目标是要沉积的材料的来源。原子被逐出目标由于高能粒子的轰击。
  • 掺杂金属氧化物薄膜用于光电平板显示器等设备,触摸面板和光伏发电。在液晶显示器中,TCO层形成产生电场以使液晶极化的电极。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在光伏,TCO细胞上电极形式。
  • 透射电子显微镜,传送一束电子通过一个超薄的标本。它作用于相同的基本原理与光学显微镜,但更高的分辨率。
  • 液体来源氧化物沉积,原硅酸四乙酯的化合物
    公式Si(OC2H54
  • 终端效应是一个现象电化学沉积即沉积膜往往是厚的边缘晶圆的中心。它源于电压降,电压降发生在负端子接触晶片边缘朝向中心的地方,由于晶片的阻力。这种电阻的主要组成部分是种子层沉积在晶片是哪一个周围性血管疾病在电镀的过程。在每一个技术节点,种子层空气越稀薄这增加了晶片的电阻率,并加剧了端子效应。效果可以通过使用先进的补偿电流密度控制系统可以调节外加电压在整个晶片,在晶片上形成均匀的沉积。
  • 一层的材料从纳米到几个微米厚的分数。
  • 场效应晶体管采用薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶圆的数量工具可以每小时处理一次。
  • 一个术语用来指一块半导体加工设备。
  • 在半导体中,non-planarity生成的制造晶片表面的特性。这可以产生重大影响后续层的模式,因为有限的景深步进器光学系统可能会导致部分的规范模式。也用来描述由不同的材料移除率不均匀引起的化学机械抛光
  • 一个类型的计算机界面,检测笔或手指的存在典型的矩形区域。
  • 经常与显示器生产集成触摸屏
  • 工具集成了处理光致抗蚀剂(沉积)所需的几个步骤,软烘焙,曝光,发展,(硬烘焙)在半导体制造中。
  • 半导体器件用于开关和放大电子信号,作为集成电路的基本元素。
  • 在晶片上蚀刻的槽,用作器件结构的一部分。
  • 内置电容器沟槽在基板上。这种技术可以让电容可以增加不增加电容器所需的晶片上形成的区域。
  • 一种类型的二次真空泵用于创建一个高真空。高速涡轮叶片,与静止叶片交替,压缩气体分子泵的底部去除低真空泵。
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U

  • 一种分辨率为3840×2160像素的数字视频格式。
  • 也被称为2160 p和k,UHD四倍像素作为传统的高清1080 p的视频。
  • 半导体制造的一个领域,其着眼于减少连接形成排水先进的晶体管区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积过程,该封装用焊料凸点将模具连接到基板。
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V

  • 低于大气环境的压力,常指具体的压力范围:
  • 粗糙的真空,从大气到1 x 103托尔
  • 高真空,从1 x 103托尔比1×10- 9托尔
  • 超高真空(特高压)- 1 x 10以下- 9托尔
  • 离子注入,一种用于将固态离子源材料转换成气态用于离子束生产的装置。
  • 通过介质层的垂直路径,介质层之间形成电连接互连层。
  • 芯片和10之间,000年,1,000年,单个管芯上有000个晶体管。这个术语经常被扩展到描述具有任意数目大于10的晶体管的芯片,000.其他术语如超大规模集成(ULSI)被创造出来,但不再广泛使用。
  • 也称为3 d NAND数组。
  • 一个班的闪存在单个衬底上垂直分层多个二维存储单元阵列的结构(而不是使用晶片级封装
  • VNAND是增加的一个方法位密度没有必要减少每个细胞的大小。
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W

  • 薄的,圆形或近方形片mono -多晶体制造半导体和光伏电池的硅。
  • 技术相结合的几个集成电路在单独的一起形成一个单一的功能装置。
  • 分裂过程中硅锭或砖到晶片。
  • 保护班轮由金属或石墨内安装波导管。不需要的离子物种在这些衬垫上放弃它们的能量。
  • 辊对辊涂布技术的另一个名称,在薄膜材料沉积在卷的柔性材料。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学方法从衬底上去除不需要的材料或污染物的方法。
  • 能够均匀地铺展在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 一台机器使用一个移动线执行三个关键步骤在硅片的生产。
  1. 种植——消除单晶硅锭的锥形结束
  2. 正方形-把圆柱形的切边锭子变成矩形块,或砖。在多晶晶圆制造、这一步是用于大型铸锭切成砖
  3. 压扁,把砖切成单个晶圆
  • 盖茨的之间的联系晶体管在某个内存数组段的行。
WP
  • 瓦特高峰,太阳能行业单位的太阳能电池理想的照射条件下交付。
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Y

  • 产品的百分比。(晶片或模具)在符合规格的工艺中生产。
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