跳到主要内容

γ

  • 硅片的尺寸大约8英寸直径。也用来指一个工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
  • 硅片的尺寸大约12英寸直径。也用来指一个工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
从头到尾

  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。例子包括去除铜粒子化学机械抛光淤浆或将液体或气体有毒废水转化成安全形式进行处理。
  • 半导体中接受电子的杂质。硅硼的主要受体用于涂料离子注入过程。
  • 一个存储单元用于临时存储在制品生产线。
  • 离子注入,原子的过程引入的一部分晶体管来修改它的材料特性;在最常见的应用中,,掺杂剂原子成为电活动,即罪名载体产生并增加注入区域的电导率。
  • 当原子掺杂剂植入,硅晶体点阵被打乱了,或非晶化的.随后,使用以下方法修复网格RTP,在此过程中,掺杂离子占据了晶格中的取代位和电荷。载体被创建。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器。有机发光二极管控制像素薄膜晶体管.
  • AMOLED显示器的每个像素直接产生光,不像一个TFT-LCD其中,整个显示器由背光从背后照明,并且由控制液晶在每个像素处的偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • 与TFT-LCD相比,AMOLED显示器的主要优点在于关闭像素不消耗功率,整体功耗显著降低。
  • 一种类型的二元光掩模使用一个不透明的莫西人层的吸光层。极薄的铬层被放置在顶部,用作硬掩模用于蚀刻工艺。也被称为不透明的MoSi在玻璃(OMOG)光掩模。
  • 一层薄膜沉积技术材料的沉积单层材料的一小部分。
  • 一种类型的PSM其具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,从而在透射光中引入180度相移,以提高对比度,从而提高晶片上投影图像的分辨率。
  • 铝通路内的芯片,使晶体管和其他电路元素之间的连接。
  • 离子注入,用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁体。
  • 长度单位;一百亿分之一米。
  • 温度高,处理步骤旨在修复缺陷的晶体结构晶片或诱导阶段转换。
  • 离子注入,一个开口,离子束通过该开口被引导,该开口限定了向前射束的形状和大小。
  • 吸光层(通常是氮化钛),沉积在金属或多晶硅上,改进光刻性能。
  • 一种类型的PSM允许少量的光透过某些区域以干扰来自掩模的透明部分的光,为了再次提高晶片的对比度。
  • 在光伏组件制造中,使用高压釜,通过使模块经受高温高压,来去除残留的空气并改善层压膜与玻璃基板之间的粘合。
  • 任何具有移动盒式磁带的搬运机器人的设备,豆荚,或片盒往返于固定设备。
  • 用于晶片检验系统由此,缺陷根据其物理和光学性质被归入若干类别。
从头到尾

  • 覆盖整个太阳能背面的金属层光伏发电电池,充当导体。
  • 也用于指高级单元设计,例如超声心动图其中电池的两个端子位于晶片的背面,从而增加电池的集光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能模块的底层,它提供刚性和电绝缘。通过接线盒通过后玻璃上的孔连接到电路上的。
  • 在真空抽吸过程中,通过加热加速真空系统或部件的表面脱气的技术。用于减少达到超高压所需的时间。
  • 除了太阳能组件之外,还具有制造具有功能的太阳能光伏发电系统所必需的组件,包括安装结构,电缆敷设,逆变器土地和维护。
  • 一种物理层,其设计用于防止阻挡层上方和下方的层相互混合。
  • 一种同时处理多于一个晶片的处理序列,与单晶片(串行)处理相反。
  • 离子注入,任何不受欢迎的物种或离子电荷的离子光束。
  • 扫描电流离子离子注入机的端站,定义为数字的乘积,速度和物种的梁。
  • 晶体管制造后的一系列流程步骤通过完成晶片,在电气测试之前。也被称为半导体制造的后端。后端一词也用来指那些部分的芯片制造晶片完成后,即划片,包装和测试。
  • 衡量密集记忆细胞是如何在给定的区域基质的记忆装置。
  • 一般来说,更高的位密度是可取的,因为它会增加性能和降低cost-per-bit。
  • 通常以每平方英寸的位为单位。
  • 行信息是通过写/读/从记忆细胞。
  • 用于沉积描述一个过程的能力在底部沉积材料的电路特性与晶片的上表面相比,或领域.它被定义为场中薄膜厚度除以给定特征底部薄膜厚度的比率。
  • 掺杂SiO制备非晶态绝缘材料硼和磷提高防潮性和回流特征。
  • 缺陷检验收集缺陷反射的光的技术,创建一个图像的缺陷出现黑白色背景。一般来说,明场系统更灵敏,但低于暗场检查。在晶体管制造过程中,亮场检查通常用于发现图案化缺陷。
  • 全身服装,人事穿的一种全身服装洁净室减少颗粒和污染物释放到空气中。
  • 在薄膜光伏模块,从单个太阳能电池收集电力的相对大的导电带。
从头到尾

C

  • 一种材料能储存电荷的程度。
  • 暂时储存电荷的电气元件。它包括两个导电表面由一个不导电的分开电介质.
  • 电子或通过导电或半导体材料带电的。
  • 的措施,通常以cm表示/v·s,关于电荷载体(电子或)可以通过半导体在回应一个外加电场。材料的电导率成正比流动性乘以运营商的浓度。高迁移率在半导体器件中是非常理想的,因为它通过更快的晶体管开关导致更高的器件性能。
  • 打开一个金属或塑料容器用于运送晶片(通常是25)与一个工具。磁带保护晶片免受损伤可能导致的直接处理。
  • 一个类别的薄膜太阳能电池使用cadmium-tellurium化合物作为电光变换活性层。
  • 用于描述蚀刻精度的参数蚀刻过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值的变化(光盘(在基底.

计算流体动力学,流体力学的一个分支,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题,,

  • 在一个FET,通道是半导体区域,电子通过该半导体区域在来源排水终端,由施加到大门.
  • 离子注入,当光束中的一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶片并穿透比其他离子更深时,就会发生沟道。由于不能精确地计算或控制植入物的深度,所以沟道化是不可取的。可以通过倾斜或旋转晶片来减少沟道,覆盖其表面氧化的屏幕,或者对硅进行预非晶化。
  • 失去电子的原子粒子电离原子。
  • 铜铟联硒化物:一种薄膜太阳能电池材料,使用铜的化合物,铟,硒。第四个要素,镓,也可以添加到化合物(CIGS)中以实现更高效率.
  • 制造厂内的一个区域,用来调节空气,以除去可能妨碍半导体器件正确工作的空气中微粒。
  • 金属氧化物半导体由成对的p-组成的装置通道以及n沟道晶体管。
  • 也用来指制造工艺家族,用来构造以CMOS晶体管为特征的集成电路。
  • 这一过程使用一个研磨,化学活性浆料,物理研磨部分加工的晶片上的微观形貌特征,以便后续工艺可以从平坦表面开始。也称为化学机械抛光。
  • 离子注入技术植入两个物种的同一地区材料以提高掺杂区域的电气性能,通常用于改善晶体管性能。
  • 例如,非掺杂原子,例如氟或氮可以与掺杂物如硼制超浅PMOS晶体管渠道用改进的掺杂剂激活从掺杂区到非掺杂区的急剧转变。
  • 封装的底面平行于印刷电路板的着陆面。
  • 一层LCD平板显示器,分成红色的透明区域,绿色和蓝色,每个覆盖一个晶体管开启一个全系列的颜色。
  • 使用计算机系统和软件辅助创作,修改,或2 d或3 d设计的分析。
  • 制造方法使用计算机来控制整个生产过程,允许各个步骤交换信息和发起动作。
  • 一个材料,包含移动运营商收取,例如电子或离子。
  • 芯片上的一种特征,在第一条电路之间形成电通路互连层和晶体管。这个地区经常充满钨。
  • 射频等离子体世代,指一个波形,频率和振幅保持不变,与"相反"脉冲的调制供应的交付,通常在两个不同的振幅之间,在100 - 1000赫兹的频率范围。
  • 互连结构使用铜作为导电材料,与铝互连相比,提供更高的器件速度和更低的功耗。
  • 一个薄的铜层,通常存入物理气相沉积,它充当湿润和成核层,用于随后成功地通过以下方法沉积铜块体膜电化学镀.
  • 掺杂沉积包含所需材料的共形层的工艺掺杂剂然后使用热过程将掺杂剂驱动到底层电路结构中受控的深度。CPD提供了一种掺杂复合物的方法,3 d结构。兴奋剂是传统上由离子注入,狂轰乱炸的晶片与掺杂物离子移动速度高。然而,这种视线轰击工艺不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子会损伤超薄半导体芯片中的半导体层。CPD设计用来解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要在晶圆.在其他半导体工艺中,CD是在基底用于描述给定过程的精度或其他特性。
  • 电路元件中的信号由此产生的不良影响,比如一个互连线,影响附近另一个电路中的信号。在半导体中,耦合通常是寄生电容两者之间的电路。
  • 一种通过低温冷冻和吸收气体分子来捕获气体分子的二次真空泵。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即允许返回到环境温度以解吸和抽走捕获的气体。
  • 物质,原子排列有序周期阵列。
  • 太阳能电池技术的通用术语,它使用结晶结构中的纯化硅衬底。
  • 一种通过使基底到一种或多种挥发性前体,它们在衬底表面反应和/或分解。
  • 晶圆处理所需的时间通过一个特定的制造过程的一部分。
从头到尾

D

  • 不反射的,不吸收能量,无机电介质在金属或多晶硅上沉积的层以便改进光刻性能。
  • 缺陷检验利用探测器收集散射光使缺陷在暗背景下显得明亮的技术。通常用于在互连制作。与明场检查。
  • 波长低于300nm的紫外光谱部分。
  • 缺陷位于图案化晶片上的一种工艺。创建缺陷位置列表并将其传递给DR-SEM用于回顾和分类。
  • 一种类型的扫描电子显微镜用于在晶片制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 在衬底上沉积绝缘或导电材料的薄层的方法。
  • 概述集成电路设计和布局的几何和连通性限制的规则。
  • 在半导体制造中,硅片的面积功能电路所编造的。在每个晶片上制造数百个相同的模具(备选的复数是模具和骰子)。
  • 绝缘体
  • 也更具体地用于指可被外加电场极化的绝缘体。两种电介质中常用半导体加工是二氧化硅(SiO和氮化硅3.N4)。
  • 间歇式离子注入机上的大锥轮,用于在离子注入.在每个晶片的末端安装一个晶片“说话”磁盘的。当磁盘旋转时,每个晶片依次通过离子束,该离子束被径向扫描,以提供均匀性。剂量横跨每个晶片。
  • 杂质,杂质,杂质以受控量添加到材料中以改变某些内在特性,例如电阻率或熔点。添加一个半导体掺杂剂创建一个材料主要是消极的(n型或阳性(p型负责运营商根据掺杂剂种类。
  • 一种粘性液体或悬浮液,含有掺杂剂材料。
  • 引入杂质,或掺杂物.进入晶格的材料来改变其电学性质。创建n型区域,砷,砷化氢3.),磷化氢(PH值3.通常使用锑。对于p型区域,典型的掺杂物是硼(B),二氟化硼以及三氟化硼3.)。
  • 总金额掺杂物离子/厘米测量需要给注入的晶片提供期望的电特性。
  • 一种精密电流测量装置,用于计算注入晶片的离子总数。函数有时是结合统一监控。
  • 一种图案化技术,设计用来增加晶片上可产生的电路特征的密度,超过特定光刻法的正常极限。步进.看到音高减半SADP.
  • 太阳能技术光伏发电其中接触线或其他结构以多个形式构建的制造,精确对准的丝网印刷操作。
  • 双印的示例应用包括制造更窄的,高接触线选择性发射极细胞类型。
  • 一种利用电感耦合产生氮等离子体并将氮引入超薄栅氧化层的顶表面层以增加栅电介质的介电常数的方法。
  • 一种类型的等离子体等离子体源主要用于蚀刻应用程序分离管理的等离子体密度和离子能量,导致高蚀刻速率和最小的等离子体对衬底的损伤。
  • 一种挥发性的计算机内存,每个存储在一个单独的电容器。因为电容器随时间自放电,每个比特的状态必须每秒刷新大约15次,因此,术语“动态”.比较静态的“闪存.
  • DRAM提供最快的任何类型的编程的内存,非常适宜制作直接连接到一个微处理器使用的内存。
  • 波纹的设计成同时用铜形成和填充两个特征的工艺,例如,一个上覆通过两者都可以用单个铜沉积步骤填充。
从头到尾

e

  • 在太阳能光伏技术中,事件的一部分太阳能转换为电能。
  • 运动引起的材料离子运动的导体之间的动量转移源自进行电子和金属原子扩散。
  • 沉积过程中,金属是删除从化学溶液和带电表面上沉积。也称为电化学镀层,电镀,或电沉积。
  • 通过电解,执行它是通过电流将液体分离成不同化学部分的过程。
  • 亚原子粒子稳定的负的电荷作为电力载波。
  • 离子注入,在晶片附近的终端站中的电子源,用来消除不受欢迎的电荷累积带正电荷的离子植入可能损害敏感电路特性。
  • 由电子(或质子)获得的能量,大小相同的电荷)穿过一伏特的电压差。在离子注入,eV是用来测量粒子动量的。动量大的粒子比动量小的粒子穿透半导体晶格更深。
  • 没有电流流动的静态电压场。在离子注入,它指的是使用电压或聚焦离子束弯曲。
  • 一种先进的背面接触光伏电池。在通过单元结构的发射极封装中,连续发射器通过直径小于100微米(微米)的数千个激光钻孔孔扩散,将电流带到电池背面。通过消除前面的联系人,EWT增强光吸收,提高细胞效率。
  • 也,称为范围末端位错环,EOR缺陷是硅晶体晶格中的缺陷,它直接存在于非晶化的以及晶体管的结晶区通道之后离子注入.
  • 三次采油的缺陷可以最小化低温注入.
  • 光束线元素用于特定的瓦里安离子注入器同时将离子束减速到最终能量,并对离子束进行滤波,以去除不需要的、能够”涂抹“晶体管通道,导致漏电流增加和性能降低。
  • 用于比较门性能的数字。电介质通过指示氧化硅膜需要多厚以产生与所使用的介电材料相同的效果的材料。
  • 用于比较高k介电MOS栅的性能和基于SiO2的MOS栅的性能的数目。它显示了获得与具有较厚SiO2介电常数k[例如,介电常数k]的栅电容相同的栅电容所需的SiO2栅氧化物的厚度。测试结束1会从使用10 nm厚介质以k = 39(3.9 k的二氧化硅)]。
  • 一种存款方法,或生长,一种单晶薄膜,其中沉积的薄膜具有与基底相同的晶格结构和取向。这使得能够建立半导体器件的高纯度起点。
  • 空气污染指数监控处理工具的技术,提供可视化和统计报告工具,以识别瓶颈并改进工厂性能。
  • 通过化学反应或物理轰击去除特定区域内物质的过程。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或在真空(干燥)下进行,通常使用等离子体来生成气相反应物。
  • 蚀刻处理,典型地表达在_/s或nm/s中。
  • 用来限制的薄膜层蚀刻深度和保护底层材料。ESL被选择为耐蚀刻化学使用。
  • 光刻使用13.5 nm EUV照明技术。它代表了一个显著的背离杜夫光刻,因为所有的光学元件都必须以反射模式工作,整个光学系统必须保持在真空状态。
  • 离子注入,提取电极用于提取的带正电荷的离子源。离子源退出结合下游形成一束用于植入掺杂物变成硅片。
从头到尾

f

  • 常见的半导体制造工厂的名字,用来制造集成电路的工厂。
  • 也被称为嵌入式晶圆级球栅阵列。芯片封装方案未创建包的硅片,但在一个人工晶片的成型材料(例如,环氧树脂)。芯片之间的距离通常大于硅片上的距离。在芯片周围建立互连,并且从芯片焊盘到互连建立电连接。任意数量的包装上可以创建额外的互联以任意距离(扇出设计),使得该方案对于空间敏感应用是理想的,其中芯片面积将不足以将所需的互连数量放置在适当的距离。
  • 空气污染指数技术,使用流程状态模型,推导出故障的发生和位置条件和诊断故障的原因。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。FEOL通常覆盖直到(但不包括)沉积联络和金属互连层。前端一词有时用来表示整个过程完成的晶片。
  • 一种依靠电场来控制晶体管载流子在半导体材料的流动。
  • 一个超净的外壳安装在半导体前处理系统,将晶片转移到和从洁净室环境的内部系统。
  • 用于沉积应用程序描述的顶面晶片表面不同的电路特性,比如战壕和通过低于表面。
  • finFET是一种FET其中传导通道三面环绕着薄硅”鳍它构成了晶体管的栅极。虽然从技术上讲,这个术语仅指具有两个门的设计,该术语通常用于描述任何多栅晶体管结构,不管有多少门。
  • finFET的主要设计目标是在晶体管处于关闭状态。
  • 一种不需要功率来保存数据的非易失性存储技术,不像动态随机存取存储器.这个名字flash”来自于内存被擦除并以大块进行编程,一次成百上千位。这种无法寻址单个位的能力使得它太慢而无法直接连接到微处理器,但是闪存的机械健壮性和低成本使其非常适合于移动设备的大容量存储。
  • 任何消费者显示设备,比如一个液晶显示器阿莫勒,具有平面表面,与弯曲的阴极射线管显示器的前面。
  • 是一个连接半导体器件的方法,例如IC芯片和微机电系统(MEMS),到外部电路与焊料凸点已经沉积到芯片焊盘。
  • 物理性质在空间中的流动,经常也随时间变化。
  • 在LED技术,产生指定光输出所需的LED端子上的电压。这也是导致的电压低于不会产生任何光。
  • 具有固定盒的容器,所述固定盒具有与自动化材料处理系统一起使用的前开口接口(阿姆斯)。FOUP减少粒子的使用数量在晶片因为FOUP孤立于环境的内部工厂环境。
  • 一种无形的绝缘材料(k = 3.5)由掺杂SiO与氟常用于铜互连层之间。又称氟硅酸盐玻璃。
从头到尾

G

  • 一个术语,代名词,用于火焰光度描述玻璃尺寸的制造基底.
  • 每一代大约比其前辈大80%。
世代 典型尺寸(mm) 面积(m) 介绍了

第2代

400×500

零点二

1993

第3代

620 x 750

0.5

一千九百九十五

第4代

730×920

0.7

2000

创5

1,000×1,二百
1,200×1,300

一点二
1.6

二千零二

第5.5代

1,300×1,五百

2.0

二千零四

第6代

1,500 * 1,八百五十

二点八

二千零三

第7代

1,870×2,二百

四点一

二千零四

第7.5代

1,950 x 2,二百五十

4.4

2005

创8

2,160 x 2,四百六十

五点三

二千零六

第8.5代

2,200×2,五百

五点七

二千零七

第10代

2,880×3,一百三十

2008

  • 一种包括洗手和戴手套的手术,头巾,面具,鞋套,和其他专业服装工人进入洁净室之前。
  • 清洁室外部的支持区域或服务区域,允许服务人员在不进入清洁室本身的情况下执行日常维护。
  • 缺陷检验技术使用探测器收集收集中期和高射角散射光,使缺陷出现明亮的在一个黑暗的背景下。通常用于找到小模式缺陷超出光学分辨率。与明场检查。
从头到尾

H

  • 面具比光刻胶更耐蚀刻,高刻蚀时使用选择性比使用光致抗蚀剂所能达到的要求还要高。
  • 等离子体中高浓度的自由电子,因此,高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强型化学气相沉积在高真空和高等离子体激发电压下进行以提高填充小高深宽比结构的能力。
  • 一类发光二极管产生足够的光用于照明应用。应用包括LCD显示器的背光,房间的照明和汽车外部灯。确切地说,一个LED必须有多亮才能符合高亮度没有定义良好。最简单的定义是太亮直接看。
  • 在半导体中,空穴是晶体晶格中可能存在的电子的缺失。它可以被认为是相反的一个电子,带正电荷,正电荷大小和电子完全相同。如果,在电场中,一个电子移动到这个空位,这个洞已经有效地向相反的方向移动。
  • 智能工厂系统,用于与半导体制造中使用的设备进行通信。在半导体中,的秒/宝石使用协议。
  • 已知容易发生故障的地区
从头到尾

  • 一种等离子体源,其中能量由电磁感应产生的电流提供,也就是说,通过时变磁场一般从真空外壳外部施加。
  • 光刻分辨率增强技术,它用液体介质(如水)代替最终透镜和晶片表面之间的通常气隙。

晶圆检测缺陷的检查各种类型(例如,划痕,粒子,损坏的特性)半导体制造工艺流程中的每个步骤。

  • 绝缘的材料用于隔离装置的电活动区域或芯片。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,,BPSG,和巴黎圣日尔曼.
  • 一种电子器件,由许多元件组成,在单个硅衬底上共同制造。
  • 集成电路中将晶体管彼此连接以及外部连接的线路。
  • 用于集成电路金属层之间的绝缘膜。
  • 在相邻金属线之间使用的绝缘膜。
  • 一层硅或其他合适的材料,作为电气接口之间的路由一个套接字连接或连接到另一个传播到更广泛的沥青或重新路由连接到一个不同的连接。
  • 一种从太阳能电池板转换直流电力的装置,例如,与电网电力兼容的交流电力。
  • 由一个或多个电子的损耗或颗粒形成的带电原子或原子群
  • 一个技术,离子的过程掺杂剂化学药品(硼,砷,(等)在强电场中加速以穿透晶片表面,从而改变材料的电特性。
  • 一种工具,设计用于将选定的掺杂剂原子均匀地穿过衬底注入到所需浓度下的规定深度。这项技术被称为离子注入.
  • 从电中性原子或分子中加入或除去一个以上电子的过程。一旦粒子被电离,可以加速,使用磁场或静电场操纵或以其他方式操纵,如在光束线.
  • 一个共同点TCO材料。
从头到尾

J

  • 不同半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常指p-n结,电导率类型在p型n型.
  • 在太阳能组件中,设计成为模块的输出提供连接点的环境外壳。
从头到尾

K

  • 也称为介电常数,通常用希腊字母kappa(κ)表示。一种表示材料将电通量集中程度的表达式。
  • 在电子技术中,它指的是相对于二氧化硅材料的电容。
  • 高k值允许使用晶体管大门小不增加不良漏。
  • 在诸如用于分离的绝缘材料中,低k值是理想的。互联因为它减少了电荷积聚,而电荷积聚浪费能量作为热量,减少设备的整体功耗。此外,低k值允许更快的信号传播从而更快的开关速度。
  • 切削过程中材料损失的量。硅晶片生产的,切口损耗是指作为晶片工艺的一部分而消耗的硅的数量,在确定成本方面起着至关重要的作用,边缘质量,以及晶片的表面光洁度。
从头到尾

l

  • 在化学、用于不断经历或可能经历变化的事物的术语。例如,如果分子以特定的构象存在较短的寿命,在采用较低能量构象之前,前者的分子结构据说具有高不稳定性。它可以指一个ALD易与晶片表面的材料反应的前驱化学物质。
  • 技术,利用激光烧蚀表面的薄膜光伏电池以定义互连模式。
  • 晶体中原子的有序排列。
  • 一种半导体器件,当电流流过时发光。LED由p-n组成其构造方式是,当一对电荷载流子复合时,发射光子。
  • 主要用于光掩模蚀刻腐蚀过程的测量精度。线性定义为偏离目标的范围。光盘跨越指定的特征大小范围。
  • 一种使用背光阵列的平板显示器。薄膜晶体管被称为背板控制每个像素。
  • LCD的工作原理是单独控制每个晶体管以允许或阻挡来自背光的光。然后白光穿过过滤器组装的最后一组颜色,全彩色图像。
  • 当一个像素晶体管是关闭的,液晶材料使偏振光旋转90°,允许它通过第二偏振器。
  • 当晶体管是亢奋时,液晶分子排列的光不再是旋转,所以光被第二偏振器阻挡。
  • 任何提高分辨率的技术,富达或其他方面的光刻过程。
  • 将图案或图像从一种介质传送到另一种介质,比如光掩模晶片使用步进.
  • 用于在FI以及用于加工的真空环境。
  • 一批晶圆处理相同的特征,在同一时间。很多通常保持在一起片盒.
  • 一个介于3,000和100,单个管芯上有000个晶体管。第一批大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 用于创建的过程。多晶硅薄膜采用两步法。第一步使用以下方法在400-450°沉积前体膜:PECVD法过程,低于600—1000°LPCVD半导体制造中常用的工艺。第二步使用退火将前驱体转化成多晶硅的过程。
  • ltp电影中常用的阿莫勒和超高分辨率TFT-LCD显示器。
  • 在LED技术,LED如何有效地将能量转换为电磁辐射的测量。通常以每瓦流明(lm/W)表示。
从头到尾

  • 一种图案化的材料层,用于防止直接在其下面的材料的蚀刻。的缩写光掩模.
  • 瓦里安植入机中的质量分析磁铁位于来源以及用于偏转和过滤离子的处理室,因此只有选定的离子进入处理室。这确保了只有必需的掺杂物晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在制造环境中正在进行中的材料的运输和存储。
  • 一类离子注入机专为最大剂量一致性。束流范围从1A到5mA,在从5 - 600 kev能量。中电流植入器通常具有植入能力。掺杂物植入角到30°的晶片表面,使掺质植入部分在现有结构在晶片表面。
  • 使用改进的半导体器件制造技术制造的非常小的机械或机电器件,如传感器和执行器。
  • 一种用于管理和监视制造环境中的在制品材料的软件控制系统。
  • 确定尺寸的测量科学,量,或能力;使用传感器和测量设备的技术和程序,以确定在晶片处理物理和电气性能。
  • 一种薄膜硅,具有非常小(0.5-2m)的硅晶体,与非晶硅混合。通常是存入一薄层(通常1-3µm)串联(堆)薄膜太阳能电池。
  • 根据相同特征的密度,以不同速率蚀刻相同特征的现象(例如。稠密的,semi-dense)对开放的区域特性。
  • (m或微米)长度单位;百万分之一米。
  • 一个集成电路,其中包含算术,逻辑控制电路在一个包中。
  • 一个围栏或创造的环境保持晶片自由等污染FOUP.
  • MOCVD是一种外延生长用于沉积化合物半导体薄膜的方法,尤其是那些用于制造高亮度LED以及电力电子。在MOCVD工艺中,在含有所需金属的有机化合物和其他元素之间的衬底表面发生化学反应。
  • 太阳能模块是最终封装光伏发电机。在同单晶硅技术,模块通常包含几十个太阳能电池连在一起
  • 通过生长二氧化硅(SiO)层获得的结构在硅衬底的顶部,然后沉积一层金属或多晶硅(后者通常被使用)。通常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏中,硅晶片的一种,是扔在单晶硅锭使用谷物。然后将锭子切成薄片,用于制造微芯片和光伏电池。
从头到尾

N

  • 半导体材料,带负电荷的电导率(过多的电子)。
  • 逻辑操作符中使用闪存仅在其至少一个输入没有信号时才产生输出信号的,因此被“不是和“(和经营者的倒数)。
  • 半导体溶液,聚焦于尺寸小于100nm的太阳能和显示产业。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 设备所使用的一些措施的瓦里安离子注入机离子电流在设置和充当中立者的陷阱中生成光束线.
  • 在具有相同能量但不再带电荷的离子束中运动的粒子。中立者不能被外部字段,并将继续以固定速度,直到与真空室的墙壁或其他粒子发生碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 金属氧化物半导体晶体管,其中有源载流子是在静电形成的n-型源区和漏区之间流动的电子。通道在p型硅衬底中。
  • 逻辑操作符中使用闪存产生与OR相反的输出结果。
  • 促进随后沉积的膜的生长的薄膜层。
  • 缺陷检验可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。压制公害,或“假警报”缺陷是一种先进的缺陷检测系统的关键功能。
从头到尾

o

  • Oxide-nitride-oxynitride;多层金属氧化物半导体栅电介质。
  • 一种发光器件,其中由于薄膜有机半导体中的电子-空穴相互作用而发射光子。
  • 离子注入,晶片晶格结构相对于光束的方位角。在不同的方位,不同的掺杂剂渗透深度和通灵将获得。
  • 离子注入,将离子束扫过晶片边缘以达到均匀性的实践剂量在晶圆边缘。
从头到尾

P

  • 半导体材料,带正电的电导率(电子)的不足。
  • 所有电路元件的固有电容,例如互联晶体管使他们的行为偏离理想”电路元件。
  • 在半导体中,特别指紧密间隔的导体之间的不希望有的电容,这会导致诸如串音.
  • 通过降低介电常数可以降低寄生电容,或K值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 垂直条形图中值绘制相对频率递减的顺序从左到右。用于分析哪些问题需要首先注意。
  • 在半导体器件中在电路元件上形成密封的层,作为制造过程中的最后一步,或者当晶片在加工工具之间转移时,保护化学活性材料免受反应。等离子氮化硅和二氧化硅材料主要用于钝化。
  • 在半导体制造中,在晶片上创建所需的电路几何形状。通常用于指组合光刻以及相关的工艺,例如图案化薄膜沉积和蚀刻.
  • 一张清晰的聚合物,骑在一个框架来保护的光掩模图案地区的空气污染。在曝光期间,任何污染举行的焦平面,因此没有““打印”在晶圆上。
  • 光掩模利用相位差产生的干涉来提高光刻中的图像分辨率。
  • 掺杂SiO制备非晶态绝缘材料与磷提高防潮性和回流特征。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 熔石英板,通常为152mm正方形,覆盖着透明的模式,在光刻定义集成电路的一层布局的过程。
  • 一种光敏有机聚合物,被光刻过程,然后开发出用于识别待蚀刻底层膜的区域的图案。
  • 相邻特征的中心之间的距离,例如互连线或联系洞。
  • 任何创建配对的模式化技术,功能从单一光刻具有原始图像的一半,因此,比光刻工艺本身能够创建更小的图案。有时被误称为音高加倍。
  • 火焰光度技术,测量的分辨率来描述每个像素之间的距离显示。通常以像素每英寸表示,或PPI。
  • 用低选择性蚀刻或穿透的方法使不平整的晶片表面相对平坦化学机械抛光.
  • 第四个物质状态——不是固体,液体或气体。在等离子体中,电子被从原子中拉出,可以独立运动。单个原子带电,即使正负电荷的总数相等,保持整体的电中性。
  • 隔热层沉积在晶体管年底完成菲奥尔第一金属处理互连形成层。
  • P -通道MOS晶体管,其中有源载流子是在n型硅衬底中静电形成的p沟道中的p型源区和漏区之间流动的空穴。
  • RTP用来减少泄漏电流步没有驱动电流损失后栅氧化层氮化的创建栅堆栈.
  • 一种在DRAM制造中通常用于栅极电极的膜堆,由硅化钨组成的多晶硅.
  • 多晶硅(或半晶硅,多晶硅,poly Si或简单的“聚(1)是由多个小硅晶体组成的材料。广泛用作导体/门材料在一个高度掺杂状态。保利电影通常是由pyrolyzing硅烷沉积的使用LPCVD过程。
  • 用于离子注入用来减少通灵故意地amorphizing前一个地区掺杂剂植入,从而能够实现更均匀的掺杂剂分布。在非晶化区域内没有沟道,根据定义。pre-amorphization植入物通常是用氩气等惰性元素。
  • 过去做过沉积的金属植入物。
  • 执行一个操作或一组连续操作的制造集成电路或其他设备。
  • 在集成电路或其它器件的制造中执行单个工艺的封闭区域。
  • 优化每个工艺步骤,以便与顺序工艺流程中的先前和后续步骤正确地工作。
  • 一种类型的触摸屏由电极网格组成,所述电极网格可以检测由于导电物体(例如手指或导电触针)的存在而引起的静电场的畸变。
  • PCT面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用,比如智能手机和平板电脑。
  • 把光转换成电的过程。太阳能光伏发电的太阳能辐射。
  • 一种树脂用于制造薄膜光伏模块。PV电路,上形成一片玻璃,用一张PVB覆盖,然后背玻璃.然后将该组件层压以封装电路,从环境保护它。
  • 工艺中,原子的导电材料(铝、氮化钛,等)溅射从A目标纯材料,然后沉积在衬底的创建进行在一个集成电路或电路火焰光度.
从头到尾

Q

  • 磁或四波兰人交流信号所产生的静电场排成一个圈;用于集中一束带电粒子。
从头到尾

R

  • 空气污染指数允许在机器之间修改加工参数的技术跑以减少可变性。
  • 一个原子或一组至少有一个不成对电子的原子,因此不稳定、高活性。
  • 频率从大约3千赫到300千赫兹的电磁辐射。
  • 基于单色光的非弹性(拉曼)散射的一种化学分析方法。能够以非接触方式对化合物进行实时反应监测和表征。
  • 退火将晶片加热到指定温度一段短时间的过程。
  • RTP是反复使用在半导体器件制造等目的激活植入掺杂物或改变状态(或阶段)的材料来提高所需的属性(例如,导电性)。退火可以使用三个技术进行浸泡,尖峰,和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备的宽容能够承受一定的温度/时间暴露在一个特定的制造点序列。广义地说,设备可以承受更长的曝光时间(30-90秒),也称为浸渍退火,在制造周期的早期,在高温下。随着周期的进行,如果需要高温,则必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖峰退火属于后一类,用于来源- - - - - -排水植入物激活和扩散以及high-k /金属大门制作。
  • 向内倾斜的人指其侧壁是凹形的特征。
  • 记忆参数为特定的流程步骤,如气流的温度和压力。一般来说,相同的配方用于很多.
  • 芯片上的额外金属层,用于制作集成电路可在其他地点获得,使芯片到芯片的键合更容易。
  • 一项规定,要求增加的能源来自可再生能源的生产,如风能,太阳能、生物量,还有地热。同一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导电材料与通过它的电流相对的程度的测量。
  • 离子注入,小孔,通常在分析仪之后直接发现,这解决了梁只有一种类型的分子或原子与一个特定的指控。
  • 公寓透明板,用于步进包含要在晶片上再现的晶片图案的图像。经常交替使用光掩模.
  • 苹果公司的商标用于描述任何显示的像素密度足够高,肉眼无法分辨单个像素。
  • 注意,这个术语并不直接与像素密度,因为它包括观看距离。手机屏幕资格作为视网膜显示它应该有一个像素密度超过300 ppi,但电视只需要大约50 ppi。
  • 一种类型的物理气相沉积使用电感耦合等离子体以允许与传统PVD反应器相比更低的离子能量的过程,因此更温和的沉积机制,可以创建非常薄,亚纳米薄膜和几乎消除损害的潜在电路特征。
  • 离子注入,一种电子束,它被限制在一个矩形的横截面内,允许晶片的整个表面被沿着单轴方向操纵而覆盖。与必须前后扫描以覆盖晶片的点光束相反。
  • 一个蚀刻技术,使用化学活性等离子体去除材料沉积在晶圆。高能离子从等离子体与材料在晶片表面反应。
  • 真空泵用于真空系统的初始抽真空的机械泵这个过程称为“粗加工。”“
从头到尾

年代

  • 由应用材料创造的用于描述的术语。金莎客户端化学气相沉积在稍低于大气压的条件下,使用TEOS/臭氧化学。
  • 双模式技术采用牺牲侧壁间隔电影来实现音高减半.也称为侧壁间隔双模式(SSDP)或间隔定义双模式(SDDP)。
  • 自我调整的收缩硅化物.除盐处理技术寻求利用沉积在图案化硅衬底上的难熔金属将在特定处理条件下选择性地与暴露的硅反应的原理,并且不会与相邻的材料反应,如氧化硅材料。因此,不需要任何图案化步骤。
  • 离子注入,离子束相对于晶片的运动,以便覆盖整个晶片表面。
  • A component of an离子注入机或者移动离子束穿过晶片,或者通过离子束移动晶片。这可以通过磁场来实现,静电场或机械运动。
  • 用电子束而不是光来照亮样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 结晶硅太阳能光伏发电制造业,一张编织材料支持模板开放区域通过银膏或其他材料由辊强制或刮刀晶片形成一个模式。它类似于光掩模在半导体制造中。
  • 离子注入,薄的,氧化硅牺牲层停止流浪离子混合离子束和将随后删除。此外,屏蔽氧化物稍微散射主离子束,从而防止通灵.
  • 用于标准化半导体制造设备和主机控制系统之间的通信的软件协议。它被设计成通过建立一组通用的指令来简化工厂自动化,这些指令可以被绝妙的.
  • 成核层其中成核材料与随后沉积的膜相同。
  • 一种提高晶体硅转换效率的技术。光伏发电太阳能电池。选择性发射极是被精确地置于前金属接触线之下的重掺杂区域,以便减少电接触电阻并允许电流更自由地流动。掺杂区域通常通过沉积来制造。掺杂剂粘贴在晶片表面上,然后在上面印刷接触线。
  • 蚀刻率的比例在两种材料在腐蚀处理。通常用于指用于去除的材料的相对蚀刻速率,以及面具,和腐蚀模式忠诚的一个重要指标。
  • 材料的导电性介于金属(导体)和绝缘体(非导体)和可以修改物理或化学增加或减少其电导率的增加掺杂物.
  • 气体很容易分解成氢气和硅,硅烷常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或者用氧气形成二氧化硅。
  • 一种退火(烧结)工艺,导致形成金属-硅合金(硅化物)作为接触。例如,在硅上沉积的钛由于硅化而形成TiSi2。
  • 硅的一种化合物,含有更多的电正性元素。镍,钽,钛和钴硅化物薄膜用于产生用于晶体管连接的欧姆(低电阻率)接触。硅化钼通常用作掩模.硅化钨多聚物用于DRAM栅电极。
  • 最常见的电介质用于半导体制造的材料,由于它的多功能性和稳定性。也简称"氧化物“,它可以在硅片上通过热氧化法生长或者通过热氧化法沉积。PECVD法HDP-CVD过程。
  • 利用等离子体增强或LPCVD沉积的硅/氮薄膜介质。有时被松散地称为SiN。
  • 由单个p-n结构建的PV细胞。这包括非晶硅薄膜和大多数结晶硅细胞类型。
  • 用于物理气相沉积流程给予足够的能量的等离子体等溅射金属原子被电离。金属离子可以使用电场加速向晶圆,在小几何结构中,形成更定向的沉积图案,从而获得更高的台阶覆盖率。
  • Source-mask优化(SMO)是一种分辨率增强技术中使用光刻补偿由于像差引起的图像误差,衍射或工艺效应。
  • 层状硅-绝缘体-硅衬底在半导体制造中的应用。SOI衬底提供减少寄生电容与内置于块状晶片中的装置相比,在集成电路中的相邻装置之间,能够降低功耗,从而提高设备性能。
  • 一种直接将阳光的能量转换成电能的装置。光伏效果。多个单元连接在一起以形成模块.
  • 一个公用事业规模的光伏发电站。
  • 轻轻的掺杂地区从来源排水进入晶体管通道设计用于在晶体管器件的操作期间扩展电场。没有扩展,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极电介质并导致器件失效。
  • 离子注入用于创建源-漏扩展名的过程是损害工程.
  • 提高质量控制方法在制造业应用统计技术的监测和控制的过程。
  • 固定冷却的金属板,位于植入盘顶部,期间,抓住了离子束过扫描.
  • 不同的时候食谱很多实验目的来提高性能的一个特定的过程步骤,这批被称为分批。
  • 一种在固体中喷射原子而沉积薄膜的方法。目标材料由于目标由高能粒子的轰击。
  • 光伏发电晶片制造,用专用工具把硅锭切割成矩形块的工艺线锯.方块,或砖,然后切成单个晶圆的吗晶圆化过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中,该晶体管具有两个稳定状态。
  • SRAM单元是复杂的,而且在芯片上消耗的面积大于动态随机存取存储器细胞,但是速度更快,而且更加节能。
  • 微处理器和其他逻辑芯片通常用芯片上的SRAM单元来制造,用作高速缓存存储器,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 厚度之比电影的一大特色电影底部的厚度(例如,在通孔中或在特征的顶部(例如,分别是FinFET)的鳍。
  • 设备用于转移十字线(光掩模)在晶片上形成图案。相同的模式被转移到每个模式上在晶圆上。
  • 技术隔离每个晶体管或存储单元从邻国为了防止电流泄漏。该技术采用在硅中蚀刻的沟槽图案,填充有绝缘材料,如二氧化硅。
  • 半导体制造中所用的通过使晶体变形而将应力引入晶体管和存储单元的过程。点阵.在逻辑学中,这使得电更容易通过晶体管移动,提高晶体管性能。在记忆中,应变还可以减少泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种用于线锯这是形成的,或卷曲,锯齿波或类似的概要文件以增加切削速度。
  • 薄膜的材料是被操纵的。硅最常用于半导体和c-Si光伏电池。玻璃是常用的液晶和薄膜光伏应用。
从头到尾

T

  • 一种太阳能光伏电池类型,使用多种光转换材料以提高转换效率。串联结薄膜硅电池,例如,使用非晶微晶的层。
  • 物理气相沉积,目标是沉积材料的来源。由于高能粒子的轰击,原子从靶中射出。
  • 掺杂金属氧化物薄膜用于光电平板显示器等设备,触摸板和光伏。在液晶显示器中,TCO层形成产生电场以使液晶极化的电极。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在光伏发电,TCO形成电池的顶部电极。
  • 透射电子显微镜,传送一束电子通过一个超薄的标本。它作用于相同的基本原理与光学显微镜,但更高的分辨率。
  • 液体来源氧化物沉积,原硅酸四乙酯的化合物
    公式Si(OCH)4.
  • 终端效应是一个现象电化学沉积由此,在晶片边缘处沉积的薄膜趋向于比中心处厚。它源于电压降,电压降发生在负端子接触晶片边缘朝向中心的地方,由于晶片的阻力。这种电阻的主要组成部分是种子层通过以下方法沉积在晶片上物理气相沉积在电镀的过程。在每个技术节点处,种子层变薄,晶片的电阻率增加,并加剧了终端的效果。效果可以通过使用先进的补偿电流密度控制系统可以调节外加电压在整个晶片,在晶片上形成均匀的沉积。
  • 一层的材料从纳米到几个微米厚的分数。
  • MOSFET采用薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶圆的数量工具可以每小时处理一次。
  • 一个术语用来指一块半导体加工设备。
  • 在半导体中,通过在晶片表面制造特征而产生的非平面性。由于步进光学系统可能导致图案的部分超出规格。还用于描述由不同材料去除率引起的不均匀性。化学机械抛光.
  • 一种计算机接口,用于检测典型矩形区域上的触针或手指的存在。
  • 经常与显示器生产集成触摸屏.
  • 一种显示器,比如一个TFT-LCD阿莫勒包含一个触摸屏使用户能够直接与显示的图像交互,而不是通过鼠标或跟踪球间接交互。
  • 工具集成了处理光致抗蚀剂(沉积)所需的几个步骤,软烘焙,曝光,发展,(硬烘焙)在半导体制造中。
  • 半导体器件,用于开关和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 在晶片上蚀刻的槽,用作器件结构的一部分。
  • 电容器内置一个在基板上。这种技术允许在不增加形成电容器所需的晶片面积的情况下增加电容。
  • 一种类型的二次真空泵用来产生高真空。高速涡轮叶片,与静止叶片交替,将气体分子压缩到泵底部,以便通过粗泵去除。
从头到尾

U

  • 一种分辨率为3840×2160像素的数字视频格式。
  • 也被称为2160p和4K,UHD的像素数量是传统HD 1080p视频的四倍。
  • 一个地区的半导体制造集中在减少的厚度连接形成来源排水先进的晶体管区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积过程,该封装用焊料凸点将模具连接到基板。
从头到尾

V

  • 一个压力低于大气环境,通常指特定的压力范围:
  • 粗真空,从大气到1x 10- 3托尔
  • 高真空,从1 x 10- 3托尔比1×10- 9托尔
  • 超高真空(UHV)-低于1x 10- 9托尔
  • 离子注入,一种用于将固态离子源材料转换成气态用于离子束生产的装置。
  • 通过介质层的垂直路径,介质层之间形成电连接互连层。
  • 一个介于10之间的芯片,000年,1,000年,单个管芯上有000个晶体管。这个术语经常被扩展到描述具有任意数目大于10的晶体管的芯片,000.其他方面,如超大规模集成电路(ULSI)创造的,但不再广泛使用。
  • 也称为3DNAND阵列。
  • 一类闪存在单个衬底上垂直分层多个二维存储单元阵列的结构(而不是使用晶片级封装)。
  • VNAND是增加的一个方法位密度不必减小每个单个细胞的大小。
从头到尾

W

  • 薄的,圆形或近方形片mono -多晶体制造半导体和光伏电池的硅。
  • 技术相结合的几个集成电路在单独的在一起形成一个单一的功能器件。
  • 分裂过程中硅锭或砖到晶片。
  • 保护班轮由金属或石墨内安装波导.不需要的离子物种在这些衬垫上放弃它们的能量。
  • 辊对辊涂布技术的另一个名称,在薄膜材料沉积在卷的柔性材料。
  • 在工艺步骤之间使用液体化学方法从衬底上去除不需要的材料或污染物的方法。
  • 能够均匀地铺展在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 在硅晶片的制造中,使用移动的线执行三个关键步骤的机器。
  1. 修剪-去除单晶硅锭的锥形端
  2. 正方形-把圆柱形的切边锭子变成矩形块,或砖头。在多晶晶片制造中,这一步是用于大型铸锭切成砖
  3. 晶圆-将砖切割成单个晶圆
  • 所有门之间的连接晶体管在存储器阵列段的特定行中。
  • 瓦特峰用于在理想辐照条件下输送的太阳能电池的电力的太阳能工业单元。
从头到尾

Y

  • 产品的百分比。(晶片或模具)在符合规格的工艺中生产。
从头到尾