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γ

  • 硅片的尺寸大约8英寸直径。也用于指工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
  • 硅片的尺寸大约12英寸直径。也用于指工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
从头到尾

一个

  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。示例包括从其中去除铜颗粒化学机械抛光淤浆或将液体或气体有毒废水转化成安全形式进行处理。
  • 半导体中接受电子的杂质。硅硼的主要受体用于涂料离子注入过程。
  • 一个存储单元用于临时存储在制品生产线。
  • 离子注入,原子的过程引入的一部分晶体管来修改它的材料特性;在最常见的应用程序中,,掺杂剂原子成为电活动,即。一个电荷载体产生并增加注入区域的电导率。
  • 当注入掺杂剂原子时,硅晶体晶格被打乱了,或非晶化的。晶格随后修复使用RTP,在这过程中掺杂物离子占据晶格置换网站和电荷载体被创建。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器。OLED像素所控制薄膜晶体管
  • AMOLED显示器的每个像素直接产生光,与TFT-LCD其中,整个显示器由背光从背后照明,并且由控制液晶在每个像素处的偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • 与TFT-LCD相比,AMOLED显示器的主要优点在于关闭像素不消耗功率,整体能耗大大降低。
  • 一种类型的二元光掩模使用一个不透明的莫西人层的吸光层。一个极薄的铬层之上和作为硬掩模用于蚀刻工艺。也被称为不透明的MoSi在玻璃(OMOG)光掩模。
  • 一层薄膜沉积技术材料的沉积单层材料的一小部分。
  • 一种类型的PSM其具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,从而在透射光中引入180度相移,以提高对比度,从而提高晶片上投影图像的分辨率。
  • 铝通路内的芯片,使晶体管和其他电路元素之间的连接。
  • 中断导致的晶格结构材料离子注入。晶格可以修复使用RTP。在预非晶化技术,在植入之前,晶格被故意破坏。
  • 没有晶体结构的一种硅沉积。
  • 光伏,非晶硅是一个重要的薄膜技术。
  • 液晶显示器制造业,a-Si是最广泛使用的。底板类型。
  • 离子注入,用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁体。
  • 长度单位;一个一米的10000000000。
  • 温度高,处理步骤旨在修复缺陷的晶体结构晶片或诱导阶段转换。
  • 离子注入,一个开口,离子束通过该开口被引导,该开口限定了向前射束的形状和大小。
  • 吸光层(通常是氮化钛),沉积在金属或多晶硅上,改进光刻性能。
  • 一种类型的PSM允许少量的光透过某些区域以干扰来自掩模的透明部分的光,的目标再次改善晶片上的对比。
  • 在光伏模块制造、使用高压釜,通过使模块经受高温高压,来去除残留的空气并改善层压膜与玻璃基板之间的粘合。
  • 任何有载波传输设备,机器人,磁带,豆荚,或片盒与固定设备。
  • 用于晶片检查系统由此,缺陷根据其物理和光学性质被归入若干类别。
从头到尾

  • 覆盖整个太阳能背面的金属层光伏细胞作为一个导体。
  • 也指先进细胞技术设计等超声心动图其中电池的两个端子位于晶片的背面,从而增加细胞的聚光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能模块的底层,它提供了刚性和电气绝缘。通过接线盒通过后玻璃上的孔连接到电路上的。
  • 技术加速表面真空脱气系统或组件通过加热抽真空过程中。用于减少达到超高压所需的时间。
  • 除了太阳能模块必要的组件功能的太阳能光伏发电系统,包括安装结构,电缆敷设,逆变器土地和维护。
  • 一个物理层旨在防止混合层上方和下方的阻挡层。
  • 一种同时处理多于一个晶片的处理序列,相对于单晶片(串行)处理。
  • 离子注入,任何不受欢迎的物种或离子电荷的离子光束。
  • 离子注入机端站中的扫描电流,定义为数字的乘积,速度和物种的梁。
  • 离子注入,一个带负电荷的电极用于反映缓慢,带正电荷的离子。(见静电镜)
  • 晶体管制造后的一系列流程步骤通过完成晶片,在电气测试之前。也被称为半导体制造的后端。术语“后端”也指晶片完成后芯片制造的那些部分,即。划片,包装和测试。
  • 在存储器件的衬底的给定区域中,对存储器单元紧密封装程度的度量。
  • 一般来说,更高的位密度是可取的,因为它会增加性能和降低cost-per-bit。
  • 通常以每平方英寸。
  • 行信息是通过写/读/从记忆细胞。
  • 一个参数用于沉积描述一个过程的能力在底部沉积材料的电路特性与晶片的上表面相比,或领域。它被定义为场中薄膜厚度除以给定特征底部薄膜厚度的比率。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO硼和磷提高防潮性和回流特征。
  • 一个缺陷检验技术,收集光线折射一个缺陷,创建其中缺陷在白色背景上呈现为暗的图像。一般来说,明场系统更灵敏,但比这慢暗场检查。在晶体管制造过程中,亮场检查通常用于发现图案化缺陷。
  • 全身衣服穿的人员洁净室减少颗粒和污染物释放到空气中。
  • 在薄膜PV模块中,从单个太阳能电池收集电力的相对大的导电带。
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C

  • 一种材料能储存电荷的程度。
  • 暂时储存电荷的电气元件。它包括两个导电表面由一个不导电的分开电介质
  • 电子或,携带电荷通过导电或半导体材料。
  • 的措施,通常在cm中指定/v·s,关于电荷载体(电子或)可以通过半导体在回应一个外加电场。材料的电导率成正比流动性乘以运营商的浓度。高迁移率在半导体器件中是非常理想的,因为它通过更快的晶体管开关导致更高的器件性能。
  • 打开一个金属或塑料容器用于运送晶片(通常是25)与一个工具。盒式磁带保护晶片免受直接操作可能造成的损坏。
  • 一个类别的薄膜太阳能电池使用cadmium-tellurium化合物作为电光变换活性层。
  • 用于蚀刻的参数来描述的精度蚀刻过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值的变化(光盘(在底物

计算流体动力学,流体力学的一个分支,使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题,,

  • 在一个FET,英吉利海峡是电子的半导体区域之间的流动来源排水终端,由施加到
  • 离子注入,当光束中的一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶片并穿透比其他离子更深时,就会发生沟道。由于不能精确地计算或控制植入物的深度,所以沟道化是不可取的。引导可以减少倾斜或旋转晶片,用氧化网覆盖其表面,或者对硅进行预非晶化。
  • 电子损失原子粒子对电离原子的电子损失
  • 铜铟联硒化物:一种薄膜太阳能电池材料,使用铜的化合物,铟,硒。第四个元素,镓,也可以添加到化合物(CIGS)中以实现更高效率
  • 面积在工厂,空气条件去除空气中的粒子可以预防半导体器件的正确功能。
  • 一个金属氧化物半导体由成对的p-组成的装置通道以及n沟道晶体管。
  • 也用来指制造工艺家族,用来构造以CMOS晶体管为特征的集成电路。
  • 使用磨料的过程,化学活性浆物理磨损的微观地貌部分晶片,以便后续处理流程可以从平面开始。也称为化学机械抛光。
  • 离子注入技术植入两个物种的同一地区材料以提高掺杂区域的电气性能,通常提高晶体管性能。
  • 例如,non-dopant原子,如氟、氮可能co-implanted掺杂物如硼制超浅管理办公室晶体管渠道通过改进掺杂剂激活从掺杂区到非掺杂区的急剧转变。
  • 包的底部表面平行于印刷电路板表面着陆
  • 一层液晶平板显示器分为透明区域的红色,绿色和蓝色,每个覆盖一个晶体管开启一个全系列的颜色。
  • 使用计算机系统和软件来帮助创建、修改,或者分析2D或3D设计。
  • 制造方法使用计算机来控制整个生产过程,允许步骤来交换信息和个人发起的行动。
  • 一个材料,包含移动运营商收取,如电子或离子。
  • 功能在芯片上形成第一之间的电气通路互连层和晶体管。这个地区经常充满钨。
  • 在射频等离子体世代,指保持恒定频率和振幅的波形,与"相反"脉冲的调制供应的交付,通常在两个不同的振幅,在100 - 1000赫兹的频率范围。
  • 互连结构使用铜作为导电材料,与铝互连相比,提供更高的器件速度和更低的功耗。
  • 一个薄的铜层,通常沉积物理气相沉积,它充当湿润和成核层,用于随后成功地通过以下方法沉积铜块体膜电镀法
  • 一个掺杂沉积包含所需材料的共形层的工艺掺杂剂然后使用热过程将掺杂剂驱动到底层电路结构中受控的深度。CPD提供了一种掺杂复合物的方法,3 d结构。兴奋剂是传统上由离子注入,狂轰乱炸的晶片与掺杂物离子移动速度高。然而,这种视线轰击工艺不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子能破坏超薄半导体层尖端芯片。CPD设计用来解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要在晶片。在其他半导体工艺中,CD是大小的特性发现在几个点底物用于描述给定过程的精度或其他特性。
  • 电路元件中的信号由此产生的不良影响,比如一个互连线,影响附近另一个电路中的信号。在半导体中,耦合通常是寄生电容在这两个电路之间。
  • 一种辅助真空泵捕获气体分子通过低温冷冻和吸收。低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即。允许返回到环境温度以解吸和抽走捕获的气体。
  • 物质,原子排列有序周期阵列。
  • 太阳能电池技术的通用术语使用的纯化硅衬底晶体结构。
  • 一种通过使底物到一个或多个动荡的前体,它们在衬底表面反应和/或分解。
  • 晶片在制造过程的特定部分中加工所需的时间量。
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D

  • 使用离子注入用于通过故意破坏硅晶体结构来控制半导体器件的电特性。
  • 特别是,损伤工程用于通过调整来控制掺杂剂扩散的深度。剂量速率,雇用低温注入,和/或使用co-implant种。
  • 在制造具有非常小的几何形状的晶体管时,损伤工程用于实现性能增强技术,例如源漏扩展,,pre-silicide应变工程
  • 非反射,non-energy-absorbing,无机电介质多晶硅层上沉积金属或改善光刻性能。
  • 一个缺陷检验利用探测器收集散射光使缺陷在暗背景下显得明亮的技术。通常用于在互连制作。与brightfield检查。
  • 紫外光谱的一部分与波长300纳米以下。
  • 缺陷位于图案化晶片上的一种工艺。创建缺陷位置列表并将其传递给DR-SEM为审查和分类。
  • 一种类型的扫描电子显微镜用于在晶片制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 在衬底上沉积绝缘或导电材料的薄层的方法。
  • 概述集成电路设计和布局的几何和连通性限制的规则。
  • 在半导体制造,在硅片上制作功能电路的区域。很多相同的模具(替代复数死和骰子)在每个晶片制作的。
  • 绝缘体
  • 也使用更具体地说,是指一个绝缘子电场极化的应用。两种电介质中常用半导体加工是二氧化硅(SiO和氮化硅3.n)。
  • 间歇式离子注入机上的大锥轮,用于在离子注入。在每个晶片的末端安装一个晶片“说话”磁盘的。随着磁盘旋转,每个晶片依次经过扫描的离子束径向提供一个统一的剂量横跨每个晶片。
  • 一个杂质控制增加材料为了修改一些固有的特点,例如电阻率或熔点。向半导体中添加掺杂剂会产生主要为负(负)的材料。n型或阳性(p型负责运营商根据掺杂剂种类。
  • 粘性液体或悬架包含掺杂剂材料。
  • 杂质的引入,或掺杂物。的晶格修改材料的电气性能。创建n型区域,砷(),砷化氢3.),磷化氢(PH值3.通常使用锑。对于p型区域,典型的掺杂物是硼(B),硼二氟化物(男朋友以及三氟化硼3.)。
  • 总金额掺杂物以离子/厘米需要给注入的晶片提供期望的电特性。
  • 精密电流测量装置用于计算离子植入晶片的总数。函数有时是结合统一监控。
  • 一类模式技术旨在提高电路的密度特性,可以在晶片超出正常生产特定的光刻技术的局限性步进。看到pitch-halving萨达普
  • 太阳能技术光伏其中接触线或其他结构以多个形式构建的制造,精确追踪丝网印刷业务。
  • 示例应用程序的双重印刷包括窄的制造,高接触线选择性发射极细胞类型。
  • 一种利用电感耦合产生氮等离子体并将氮引入超薄栅氧化层的顶表面层以增加栅电介质的介电常数的方法。
  • 一种类型的等离子体等离子体源主要用于蚀刻应用程序分离管理的等离子体密度和离子能量,导致高腐蚀率和最小的等离子体损坏衬底。
  • 一种易失性计算机存储器,其中每个位都存储在一个单独的电容器中。因为电容器随时间自放电,每个比特的状态必须每秒刷新大约15次,因此,术语“动态”。比较静态的“闪存
  • DRAM提供最快的任何类型的编程的内存,使其非常适合直接连接到微处理器作为主存储器使用。
  • 一个波纹的设计成同时用铜形成和填充两个特征的工艺,例如,一个覆盖一个通过两者都可以用单个铜沉积步骤填充。
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e

  • 在太阳能光伏技术中,事件的一部分太阳能转换为电能。
  • 运动引起的材料离子运动的导体之间的动量转移源自进行电子和金属原子扩散。
  • 沉积过程中,金属是删除从化学溶液和带电表面上沉积。也称为电化学镀层,电镀,或电沉积。
  • 通过电解,执行它是通过电流将液体分离成不同化学部分的过程。
  • 带负电荷的稳定亚原子粒子,用作电的载体。
  • 离子注入,在晶片附近的终端站中的电子源,用于中和正电荷注入离子中不希望产生的电荷,这些电荷会损坏敏感电路特性。
  • 由一个电子获得的能量(或质子,大小相同的电荷)穿过一伏特的电压差。在离子注入,eV是用来测量粒子动量的。动量大的粒子比动量小的粒子穿透半导体晶格更深。
  • 静态电压领域中没有电流流动。在离子注入,它指的是使用电压或聚焦离子束弯曲。
  • 一种先进的回来联系PV电池。在通过单元结构的发射极封装中,连续发射器通过直径小于100微米(微米)的数千个激光钻孔孔扩散,将电流带到电池背面。通过消除前触点,易提高光吸收和提高电池效率。
  • 同时,被称为end-of-range位错环,EOR缺陷是硅晶体晶格中的缺陷,它直接存在于非晶化的和结晶区域的晶体管通道之后离子注入
  • 三次采油的缺陷可以最小化低温注入
  • 一个光束线在某些瓦里安语中使用的元素离子注入器同时减慢离子束的最终能源和过滤删除不必要的高能离子束组件,可以“涂抹“晶体管通道,导致泄漏电流增加和降低性能。
  • 大量用于比较门的性能电介质材料表明多厚硅氧化膜需要产生同样的效果作为电介质材料被使用。
  • 用于比较高k介电MOS栅的性能和基于SiO2的MOS栅的性能的数目。它显示了获得与具有较厚SiO2介电常数k[例如,介电常数k]的栅电容相同的栅电容所需的SiO2栅氧化物的厚度。测试结束1会从使用10 nm厚介质以k = 39(3.9 k的二氧化硅)]。
  • 沉淀的方法,或生长,一种单晶薄膜,其中沉积的薄膜具有与基底相同的晶格结构和取向。这使得一个高纯起点构建一个半导体器件。
  • APC监控处理工具的技术,提供可视化和统计报告工具,以识别瓶颈并改进工厂性能。
  • 通过化学反应或物理轰击去除特定区域内物质的过程。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或在真空(干燥)下进行,通常使用等离子体来生成气相反应物。
  • 蚀刻处理,典型地表达在_/s或nm/s中。
  • 用来限制的薄膜层蚀刻深度和保护基础材料。ESL选择是使用耐腐蚀化学。
  • 一个光刻使用13.5 nm EUV照明技术。它代表了一个显著的背离杜夫光刻,因为所有的光学元件都必须以反射模式工作,整个光学系统必须保持在真空状态。
  • 离子注入,提取电极用于提取的带正电荷的离子源。离子源退出结合下游形成一束用于植入掺杂物变成硅片。
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F

  • 半导体制造厂的通用名称,用来制造集成电路的工厂。
  • 也被称为嵌入式晶圆级球栅阵列。一种芯片封装方案,其中封装不是在硅片上创建的,但是在由模制材料制成的人造晶片上(例如,环氧树脂)。芯片之间的距离通常大于硅片上的距离。在芯片周围建立互连,并且从芯片焊盘到互连建立电连接。任意数量的包装上可以创建额外的互联以任意距离(扇出设计),从而使该方案适合space-sensitive应用的芯片面积也不足以所需数量的连接在一个合适的距离。
  • APC技术,使用流程状态模型,推导出故障的发生和位置条件和诊断故障的原因。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。FEOL通常涵盖了起来(但不包括)的沉积联络和金属互连层。术语“前端”有时用于指整个工艺过程到完成的晶片。
  • 一种依靠电场来控制半导体材料中载流子流动的晶体管。
  • 一种安装在半导体处理系统前部的超清洁外壳,用于将晶片传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于沉积应用程序描述的顶面晶片表面不同的电路特性,比如战壕和通过低于表面。
  • finFET是一种FET其中传导通道三面被薄硅包围鳍它构成了晶体管的栅极。虽然从技术上讲,这个术语仅指具有两个门的设计,这个词常被用来描述任何multi-gate晶体管结构,无论盖茨的数量。
  • finFET的主要设计目标是在晶体管处于关闭状态。
  • 一种不需要功率来保存数据的非易失性存储技术,不像动态随机存取记忆体。“flash”来自于内存被擦除并以大块进行编程,从几百美元到几千比特。这种无法寻址单个位的能力使得它太慢而无法直接连接到微处理器,但flash的机械鲁棒性和低成本使它适合大规模存储在移动设备上。
  • 任何消费者显示设备,比如一个液晶显示器阿莫勒,具有平面表面,与弯曲的阴极射线管显示器的前面。
  • 是用于互连半导体器件的方法,例如IC芯片和微机电系统(MEMS),到外部电路与焊料凸点已经沉积到芯片焊盘。
  • 物理性质在空间中的流动,经常也随时间变化。
  • 在LED技术,LED的端电压是必需的,为了产生一个指定的光输出。这也是导致的电压低于不会产生任何光。
  • 具有固定盒的容器,所述固定盒具有与自动化材料处理系统一起使用的前开口接口(阿姆斯)。使用FOUP可以减少晶片上的粒子数,因为FOUP的内部与环境工厂环境隔离。
  • 一种无形的绝缘材料(k = 3.5)由掺杂SiO与氟经常用于铜互连层之间。也称为氟硅酸盐玻璃。
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G

  • 集体的导电和绝缘层组成MOSFET
  • 一个术语,代名词,用于平板显示器描述玻璃尺寸的制造底物
  • 每一代大约80%比其前任。
世代 典型的尺寸(毫米) 面积(m²) 介绍

创2

400 x 500

零点二

1993

第3代

620×750

零点五

一千九百九十五

第4代

730 x 920

0.7

二千

创5

1,000×1,二百
1,200×1,300

1.2
1.6

二千零二

第5.5代

1,300 * 1,五百

2004

创6

1,500 * 1,850

二点八

2003

第7代

1,870 x 2,二百

四点一

2004

创7.5

1,950×2,二百五十

四点四

二千零五

创8

2,160×2,460

5.3

二千零六

创8.5

2,200×2,五百

五点七

二千零七

创10

2,880 x 3,一百三十

9.0

二千零八

  • 一种包括洗手和戴手套的手术,头巾,面具,鞋套,在工人进入洁净室之前,还要穿其他专门的衣服。
  • 支持区域或服务区域外立刻洁净室,让服务人员没有进入洁净室本身执行日常维护。
  • 一个缺陷检验技术使用探测器收集收集中期和高射角散射光,使缺陷出现明亮的在一个黑暗的背景下。通常用于发现超出光学分辨率的小图案缺陷。与brightfield检查。
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H

  • 一个面具比光刻胶更耐蚀刻,时使用高腐蚀选择性比可以通过使用光致抗蚀剂是必需的。
  • 等离子体中高浓度的自由电子,因此,高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强型化学气相沉积表现在高真空和高血浆励磁电压以提高能力来填补小高纵横比的结构。
  • 一类离子注入机产生最高的束流,通常超过3 ma。越大束流,越快越好剂量到达,导致更高的晶片的吞吐量。离子能量在1k之间电动汽车典型为100keV。
  • 一类领导产生足够的光用于照明的应用程序。应用包括LCD显示器的背光,室内照明和汽车外灯。确切地说,一个LED必须有多亮才能符合高亮度没有很好的定义。最简单的定义是太亮直接看。
  • 在半导体中,一个洞就是缺乏一个电子可以存在于一个晶格。它可以被认为是相反的一个电子,带正电荷,正电荷大小和电子完全相同。如果,在电场中,一个电子移动到这个空位,这个孔有效地向相反的方向移动。
  • 与设备通信的智能工厂系统用于半导体制造。在半导体中,这个秒/宝石使用协议。
  • 已知容易发生故障的地区
从头到尾

  • 一种等离子体源的能量是由电流产生的电磁感应,也就是说,通过时变磁场一般从真空外壳外部施加。
  • 半导体材料用于形式通道高性能的薄膜晶体管对于液晶显示器S.相比非晶硅,传统的沟道材料,IGZO较高的电子迁移率允许晶体管更快地切换,支持高分辨率显示和更快的刷新率。
  • 一个光刻分辨率增强技术,它用液体介质(如水)代替最终透镜和晶片表面之间的通常气隙。

对晶片的检查,以检测各种类型的缺陷(例如,划痕,粒子,损坏的特性)半导体制造工艺流程中的每个步骤。

  • 绝缘的材料用于隔离装置的电活动区域或芯片。一些常用的绝缘材料是二氧化硅,氮化硅,,BPSG,和巴黎圣日尔曼
  • 一种电子器件,由许多元件组成,在单个硅衬底上共同制造。
  • 集成电路中将晶体管彼此连接以及外部连接的线路。
  • 用于集成电路金属层之间的绝缘膜。
  • 在相邻金属线之间使用的绝缘膜。
  • 一层硅或其他合适的材料,作为电气接口之间的路由一个套接字连接或连接到另一个传播到更广泛的沥青或重新路由连接到一个不同的连接。
  • 从太阳能电池板,将直流电源设备例如,交流电源兼容电网电能。
  • 由一个或多个电子的损耗或颗粒形成的带电原子或原子群
  • 一个技术,离子的过程掺杂剂化学药品(硼,砷,(等)在强电场中加速以穿透晶片表面,因此改变材料的电特性。
  • 工具设计注入均匀掺杂剂原子在衬底选择规定深度所需的浓度。这项技术被称为离子注入
  • 从电中性原子或分子中加入或除去一个以上电子的过程。一旦粒子被电离,它可以加速,使用磁场或静电场操纵或以其他方式操纵,如在光束线
  • 一个共同的TCO材料。
从头到尾

J

  • 不同半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常指p-n结,电导率的变化类型p型n型
  • 在太阳能组件中,环境圈地旨在提供一个连接点的输出模块。
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K

  • 也被称为介电常数,通常用希腊字母kappa(κ)表示。材料的表达程度集中电通量。
  • 在电子技术中,它指的是材料相对于二氧化硅的电容。
  • 高k值允许使用晶体管小不增加不良漏。
  • 在诸如用于分离的绝缘材料中,低k值是理想的。互联因为它可以减少电荷累积以热能的形式浪费能源,减少设备的整体功耗。此外,低增殖系数粘度值允许更快的信号传播,从而更快的开关速度。
  • 切削过程中材料损失的量。硅晶片生产的,切口损失是指数量的消耗硅切片过程的一部分,起着至关重要的作用在决定成本,边质量,,晶片的表面光洁度。
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L

  • 在化学方面,用于不断经历或可能经历变化的事物的术语。例如,如果分子以特定的构象存在较短的寿命,采用低能构象之前,the former molecular structure is said to have 'high lability.' In semiconductors,它可以指一个“肾上腺脑白质退化症”前体的化学物质反应容易与材料表面的晶片。
  • 一种使用激光烧蚀薄膜光伏电池表面以定义互连图案的技术。
  • 晶体中原子的有序排列。
  • 一种半导体器件,当电流流过时发光。LED由p-n组成接合其构造方式是,当一对电荷载流子复合时,发射光子。
  • 主要用于光掩模刻蚀它测量蚀刻过程的精度。线性是指偏离目标的范围光盘跨越指定的特征大小范围。
  • 一个金属的宽度互连线。
  • 一个使用一个数组类型的平板显示器的背光薄膜晶体管称为底板控制每个像素。
  • LCD的工作原理是单独控制每个晶体管以允许或阻挡来自背光的光。然后白光穿过过滤器组装的最后一组颜色,全彩色图像。
  • 当一个像素晶体管是关闭的,液晶材料使偏振光旋转90°,允许它通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子排列的光不再是旋转,所以光被第二偏振器阻挡。
  • 任何提高分辨率的技术,富达或其他方面的光刻过程。
  • 将图案或图像从一种介质传送到另一种介质,如从一个光掩模晶片使用步进
  • 用于在FI用于处理和真空环境。
  • 同时加工的一批具有相同特性的晶片。很多通常保持在一起片盒
  • 一个介于3,000年和100年,单个管芯上有000个晶体管。第一批大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 一个用于创建过程多晶硅薄膜采用两步法。存款的前体的第一步电影400 - 450°使用PECVD法过程中,低于600—1000°LPCVD通常用于半导体制造过程。第二步使用一个退火将前驱体转化成多晶硅的过程。
  • LTPS薄膜通常用于阿莫勒超高分辨率TFT-LCD显示器。
  • 在LED技术,LED如何有效地将能量转换为电磁辐射的测量。通常以每瓦流明(lm/W)表示。
从头到尾

  • 一层花纹的材料用于防止腐蚀的材料直接埋起来。也是光掩模
  • 瓦里安植入机中的质量分析磁铁位于来源和转移的过程室和过滤室离子所以只有选择离子进入过程。这确保了只有必需的掺杂物晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在制造环境中正在进行中的材料的运输和存储。
  • 一类离子注入机专为最大剂量均匀性。束流范围从1A到5mA,在从5 - 600 kev能量。中电流植入器通常具有植入能力。掺杂物植入角到30°的晶片表面,使掺杂剂能够部分植入晶片表面现有结构的下方。
  • 使用改进的半导体器件制造技术制造的非常小的机械或机电器件,如传感器和执行器。
  • 软件控制系统来管理和监控半成品材料在生产环境中。
  • 的科学测量确定维度,量,或者容量;使用传感器和测量设备的技术和程序,以确定在晶片处理物理和电气性能。
  • 一种薄膜硅,具有非常小(0.5-2m)的硅晶体,与非晶硅混合。通常是存入一薄层(通常1-3µm)串联(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 根据相同特征的密度,以不同速率蚀刻相同特征的现象(例如。稠密的,半致密)关于开放区域特征。
  • (µm或千分尺)长度单位;百万分之一米。
  • 一个集成电路,其中包含算术,单个封装中的逻辑和控制电路。
  • 一种外壳或由外壳创造的环境,使晶片不受污染,如福普
  • MOCVD是一种外延生长用于沉积化合物半导体薄膜的方法,特别是那些用于制造高亮度发光二极管以及电力电子。在一个金属过程中,化学反应发生在衬底的表面之间的有机化合物,包含所需的金属和其他元素。
  • 太阳能模块是最终封装光伏发电机。在同单晶硅技术,模块通常包含几十个太阳能电池连在一起
  • 通过生长二氧化硅(SiO)层获得的结构在硅衬底的顶部,然后沉积一层金属或多晶硅(后者通常被使用)。通常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏,一种硅晶片,用单晶硅的晶粒铸造成锭。然后将锭子切成薄片,用于制造微芯片和光伏电池。
  • 平板显示器显示区域的亮度不均匀。又称"“混浊”。
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n

  • 具有负电导率的半导体材料(多余的电子)。
  • 逻辑操作符中使用闪存仅在其至少一个输入没有信号时才产生输出信号的,因此被“不是和“(AND运算符的倒数)。
  • 半导体溶液,专注于太阳能和显示行业尺寸小于100纳米。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 瓦里安注入机使用的一种装置,在安装过程中测量离子束电流,并作为在光束线
  • 粒子在一个旅行离子束的能量相同,但不再有一个电荷。中性粒子不能被外场操纵,并且会以固定的速度继续运动,直到与真空室壁或其他粒子碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 一个金属氧化物半导体晶体管,其中有源载流子是在静电形成的n-型源区和漏区之间流动的电子。通道在p型硅衬底。
  • 逻辑操作符中使用闪存产生一个输出的逆或结果。
  • 促进随后沉积的膜的生长的薄膜层。
  • 缺陷检验可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。抑制骚扰,或“虚警缺陷是一种先进的缺陷检测系统的关键功能。
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O

  • 氧化物-氮化物-氧氮化物;多层金属氧化物半导体栅电介质。
  • 一种发光器件,其中由于薄膜有机半导体中的电子-空穴相互作用而发射光子。
  • 离子注入,晶片晶格结构相对于光束的方位角。在不同的方位,不同的掺杂剂渗透深度通灵将获得。
  • 离子注入,席卷离子束的实践过去晶片的边缘为了实现统一剂量在晶圆边缘。
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P

  • 半导体材料,带正电的电导率(电子)的不足。
  • 所有电路的固有电容等元素互联晶体管使他们的行为偏离理想的电路元素。
  • 在半导体中,特别指紧密间隔的导体之间的不希望有的电容,这会导致诸如串音
  • 可以减少寄生电容降低介电常数,或增殖系数粘度值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 从左到右按相对频率递减顺序绘制值的垂直条形图。用于分析首先需要注意什么问题。
  • 一层的半导体器件在电路元素,形成一个密封作为制造过程中的最后一步,或者当晶片在加工工具之间转移时,保护化学活性材料免受反应。等离子体氮化物和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • 在半导体制造,在晶片上创建所需的电路几何形状。通常指的结合光刻以及相关的工艺,例如图案化薄膜沉积和蚀刻
  • 一张清晰的聚合物,骑在一个框架来保护的光掩模图案地区的空气污染。在曝光期间,任何污染举行的焦平面,因此没有““打印”在晶片上。
  • 一个光掩模利用相位差产生的干涉来提高光刻中的图像分辨率。
  • 一种无形的绝缘材料由掺杂SiO与磷提高防潮性和回流特征。也称为磷硅酸盐玻璃。
  • 熔石英板,通常为152mm正方形,覆盖着不透明的图案,透明和阶段——转移将投射到晶片的区域光刻定义集成电路的一层布局的过程。
  • 光敏有机聚合物公开的光刻过程中,然后开发生产的模式识别领域的底层电影蚀刻。
  • 相邻特征的中心之间的距离,例如互连线或联系洞。
  • 任何创建配对的模式化技术,来自单个的特性光刻图像与一个原始图像的一半,因此,比光刻工艺本身能够创建更小的图案。有时被误称为音高加倍。
  • 平板显示器技术,描述显示器上各个像素之间的距离的分辨率测量。通常以像素每英寸表示,或ppi。
  • 用低选择性蚀刻或穿透的方法使不平整的晶片表面相对平坦化学机械抛光
  • 第四个物质状态——不是固体,液体或气体。在等离子体中,电子被从原子中拉出,可以独立运动。单个原子带电,即使正负电荷的总数相等,保持整体的电中性。
  • 在完成晶体管的末端沉积的绝缘层菲奥尔第一金属的加工互连形成层。
  • P -通道MOS晶体管的活动载体孔流动p型源和排水地区之间形成一个静电p沟道在n型硅衬底。
  • RTP用来减少泄漏电流步没有驱动电流损失后栅氧化层氮化的创建门堆栈
  • 一种在DRAM制造中通常用于栅极电极的膜堆,由硅化钨组成的多晶硅
  • 多晶硅(或半晶质硅,多晶硅,文章,或简单的“聚”(1)是由多个小硅晶体组成的材料。广泛用作导体/门材料在一个高度掺杂状态。保利电影通常是由pyrolyzing硅烷沉积的使用LPCVD过程。
  • 用于离子注入用于减少通灵通过故意amorphizing前一个地区掺杂剂植入,从而能够实现更均匀的掺杂剂分布。在非晶化区域内没有沟道,通过定义。pre-amorphization植入物通常是用氩气等惰性元素。
  • 过去做过沉积的金属植入物。
  • 执行一个操作或一组连续操作的制造集成电路或其他设备。
  • 在集成电路或其它器件的制造中执行单个工艺的封闭区域。
  • 优化每个工艺步骤,以便与顺序工艺流程中的先前和后续步骤正确地工作。
  • 一种类型的触摸屏由电极网格组成,所述电极网格可以检测由于导电物体(例如手指或导电触针)的存在而引起的静电场的畸变。
  • PCT面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用,如智能手机和平板电脑。
  • 把光转换成电的过程。太阳能光伏是利用太阳辐射发电。
  • 一种树脂用于制造薄膜光伏模块。PV电路,上形成一片玻璃,覆盖着一层聚乙烯醇缩丁醛,然后呢后面的玻璃。然后将该组件层压以封装电路,保护它免受环境的影响。
  • 工艺中,原子的导电材料(铝、氮化钛,等)溅射从A目标纯材料,然后沉积在基板上,以在集成电路内创建导电电路,或者平板显示器
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  • 由四极交替排列成圆的符号产生的磁场或静电场;用于集中一束带电粒子。
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R

  • APC技术,允许修改机器”之间的工艺参数跑使可变性最小化。
  • 一个原子或一组至少有一个不成对电子的原子,因此不稳定、高活性。
  • 频率从大约3千赫到300千赫兹的电磁辐射。
  • 基于单色光的非弹性(拉曼)散射的一种化学分析方法。能够以非接触方式对化合物进行实时反应监测和表征。
  • 退火将晶片加热到指定温度一段短时间的过程。
  • RTP是反复使用在半导体器件制造等目的激活植入掺杂物或改变材料的状态(或阶段)以增强期望的属性(例如,电导率)。退火可以使用三个技术进行浸泡,尖峰,和毫秒。技术的选择取决于几个因素,包括设备的宽容能够承受一定的温度/时间暴露在一个特定的制造点序列。广义地说,设备可以承受更长的曝光时间(30-90秒),也称为浸渍退火,在制造周期的早期,在高温下。随着周期的进行,如果需要高温,则必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖峰退火属于后一类,用于来源- - - - - -排水植入物的激活和扩散以及高k/金属制作。
  • 一个向内倾斜。指其侧壁是凹形的特征。
  • 记忆参数为特定的流程步骤,如气体流动温度和压力。一般来说,相同的配方用于很多
  • 额外的金属层芯片的输入/输出垫集成电路在其他地方,使芯片到芯片的键合更容易。
  • 一项规定,要求增加的能源来自可再生能源的生产,如风能,太阳能,生物量,还有地热。同一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导电材料与通过它的电流相对的程度的测量。
  • 离子注入,小光圈,通常在分析仪之后直接发现,这解决了梁只有一种类型的分子或原子与一个特定的指控。
  • 公寓透明板,用于步进包含要在晶片上再现的晶片图案的图像。经常交替使用光掩模
  • 苹果公司的商标,用于描述像素密度足够高以至于人眼无法区分单个像素的任何显示器。
  • 注意,这个术语并不直接与像素密度,因为它包括观看距离。手机屏幕资格作为视网膜显示它应该有一个像素密度超过300 ppi,但电视只需要大约50 ppi。
  • 一种类型的物理气相沉积使用电感耦合等离子体以允许与传统PVD反应器相比更低的离子能量的过程,因此更温和的沉积机制,可以创建非常薄,事实上电影和几乎消除损害底层电路特性。
  • 离子注入,电子束被关进一个矩形截面允许整个晶片表面覆盖的转向光束沿着一个轴。与必须前后扫描以覆盖晶片的点光束相反。
  • 一种蚀刻技术,使用化学反应等离子体来去除沉积在晶片上的材料。高能离子从等离子体与材料在晶片表面反应。
  • 机械泵用于初始真空系统的疏散。这个过程称为“粗。”“
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S

  • 由应用材料创造的用于描述的术语。金莎客户端化学气相沉积流程执行略低于大气压力TEOS/臭氧化学。
  • 一个双模式技术采用牺牲侧壁间隔电影来实现pitch-halving。也称为侧壁间隔双模式(SSDP)或间隔定义双模式(SDDP)。
  • 自我调整的收缩硅化物。除盐处理技术寻求利用沉积在图案化硅衬底上的难熔金属将在特定处理条件下选择性地与暴露的硅反应的原理,也不会与相邻的反应材料、如氧化硅材料。因此,不需要模式的步骤。
  • 离子注入,离子束相对于晶片的运动,以便覆盖整个晶片表面。
  • A component of an离子注入机,要么将离子束在整个晶片,或者通过离子束移动晶片。这可能是一个磁场,来完成静电场或机械运动。
  • 用电子束而不是光来照亮样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 结晶硅太阳能光伏制造业,一张编织材料支持模板开放区域通过银膏或其他材料由辊强制或刮刀晶片形成一个模式。它类似于光掩模在半导体制造。
  • 离子注入,薄的,牺牲层SiO停止流浪离子混合离子束和将随后删除。此外,屏蔽氧化物稍微散射主离子束,从而防止通灵
  • 用于标准化半导体制造设备和主机控制系统之间的通信的软件协议。它被设计用来简化工厂自动化通过建立一套共同的指令,会理解所有的设备工厂
  • 一个成核层成核的材料是一样的随后沉积膜。
  • 一种提高晶体硅转换效率的技术。光伏太阳能电池。选择性发射极是被精确地置于前金属接触线之下的重掺杂区域,以便减少电接触电阻并允许电流更自由地流动。掺杂区域通常通过沉积来制造。掺杂剂粘贴表面的晶片,然后印刷接触线之上。
  • 蚀刻率的比例在两种材料在腐蚀处理。通常用于指用于去除的材料的相对蚀刻速率,以及面具,和腐蚀模式忠诚的一个重要指标。
  • 电导率介于金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的一种材料,可通过添加掺杂物
  • 气体很容易分解成氢气和硅,硅烷常用于沉积含硅化合物。它还与氨反应生成氮化硅,或者用氧气形成二氧化硅。
  • 一种退火(烧结)工艺,导致形成金属-硅合金(硅化物)作为接触。例如,在硅上沉积的钛由于硅化而形成TiSi2。
  • 与更阳性元素硅的化合物。镍,钽,钛和钴硅化物薄膜用于产生用于晶体管连接的欧姆(低电阻率)接触。硅化钼通常用作掩模。钨硅化物(多聚物用于DRAM栅电极。
  • 最常见的电介质用于半导体制造的材料,由于其通用性和稳定性。也简称"氧化物“,它可以在硅片上通过热氧化法生长或者通过热氧化法沉积。PECVD法HDP-CVD过程。
  • 硅/氮沉积薄膜介质使用plasma-enhanced或LPCVD。有时被松散地称为SiN。
  • 由单个p-n结构建的PV细胞。这包括非晶硅薄膜和大多数结晶硅细胞类型。
  • 用于物理气相沉积流程给予足够的能量的等离子体等溅射金属原子被电离。然后可以使用电场使金属离子向晶片加速,创建一个更定向沉积模式,从而更高一步覆盖率小几何结构。
  • 源掩码优化(SMO)是一种用于光刻补偿由于像差引起的图像误差,衍射或工艺效应。
  • 采用硅+绝缘层+硅的硅基体使用分层在半导体制造业。SOI基板提供了寄生电容与内置于块状晶片中的装置相比,在集成电路中的相邻装置之间,能够降低功耗,从而提高设备性能。
  • 一种直接将阳光的能量转换成电能的装置。光伏的效果。多个单元连接在一起以形成模块
  • 一个公用事业规模的光伏发电站。
  • 轻轻的掺杂地区从来源排水进入晶体管通道为了分散电场在晶体管的操作设备。没有扩展,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极电介质并导致器件失效。
  • 这个离子注入用于创建源-漏扩展名的过程是损害工程
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造中的质量控制的方法。
  • 一个固定冷却金属板,位于植入盘顶部,期间,抓住了离子束过扫描
  • 当不同的食谱很多实验目的来提高性能的一个特定的过程步骤,这批被称为分批。
  • 一种在固体中喷射原子而沉积薄膜的方法。目标材料由于目标由高能粒子的轰击。
  • 光伏晶片制造,用专用工具把硅锭切割成矩形块的工艺线锯。方块,或砖块,然后在晶圆化过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中,该晶体管具有两个稳定状态。
  • SRAM芯片上的细胞是复杂的和消耗更多的面积比动态随机存取记忆体细胞,但更迅速、更省电。
  • 微处理器和其他逻辑芯片往往用SRAM制作细胞死亡用作缓存内存,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 厚度之比电影的一大特色电影底部的厚度(例如,在通孔中或在特征的顶部(例如,分别是FinFET)的鳍。
  • 设备用于转移十字线(光掩模)模式到晶圆上。同样的模式转移到每个在晶片上。
  • 技术隔离每个晶体管或存储单元从邻国为了防止电流泄漏。该技术采用模式的战壕蚀刻硅,装满一个二氧化硅等绝缘材料。
  • 半导体制造中所用的通过使晶体变形而将应力引入晶体管和存储单元的过程。晶格。在逻辑学中,这使得电力移动更容易通过晶体管,提高晶体管性能。在内存中,应变还可以减少泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种用于线锯这是形成,或卷曲,锯齿波或类似的概要文件以增加切削速度。
  • 操纵薄膜所用的材料。硅是半导体和同单晶硅光伏电池最常用。玻璃是常用的液晶和薄膜光伏应用。
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T

  • 一种太阳能光伏电池类型,使用多种光转换材料以提高转换效率。串联结薄膜硅电池,例如,使用非晶态微晶的层。
  • 物理气相沉积,目标是沉积材料的来源。由于高能粒子的轰击,原子从靶中射出。
  • 掺杂金属氧化物薄膜用于光电子器件,如平板显示器,触摸面板和光伏发电。在液晶显示器中,TCO层形成产生的电场极化的电极液晶。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在光伏,TCO形成电池的顶部电极。
  • 一种透射电子显微镜,通过超薄样品传输电子束。它作用于相同的基本原理与光学显微镜,但更高的分辨率。
  • 用于氧化物沉积的液体源,正硅酸四乙酯是具有
    公式Si(OCH)
  • 终端效应是电化学沉积即沉积膜往往是厚的边缘晶圆的中心。它源于电压降,电压降发生在负端子接触晶片边缘朝向中心的地方,由于晶片的阻力。这种阻力的主要组成部分种子层通过以下方法沉积在晶片上物理气相沉积在电镀的过程。在每一个技术节点,种子层空气越稀薄晶片的电阻率增加,并加剧了终端的效果。这种影响可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿,该电流密度控制系统可以调节施加在晶片上的电压,在晶片上形成均匀的沉积。
  • 一层的材料从纳米到几个微米厚的分数。
  • 一个MOSFET与薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶片的数量工具每小时可以处理。
  • 一个术语用来指一块半导体加工设备。
  • 在半导体中,通过在晶片表面制造特征而产生的非平面性。由于步进光学系统可能导致图案的部分超出规格。还用于描述由不同材料去除率引起的不均匀性。化学机械抛光
  • 一种计算机接口,用于检测典型矩形区域上的触针或手指的存在。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏
  • 一种显示器,比如一个TFT-LCD阿莫勒包含一个触摸屏使用户能够直接与显示的图像交互,而不是通过鼠标或跟踪球间接交互。
  • 一个工具集成了处理光致抗蚀剂(沉积)所需的几个步骤,软烘焙,曝光,发展,(硬烘焙)在半导体制造中。
  • 半导体器件,用于开关和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 在晶片上蚀刻的槽,用作器件结构的一部分。
  • 电容器内置一个在衬底上。这种技术允许在不增加形成电容器所需的晶片面积的情况下增加电容。
  • 一种类型的二次真空泵用来产生高真空。高速涡轮叶片,与固定叶片交替,压缩气体分子泵的底部去除低真空泵。
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U

  • 一种分辨率为3840×2160像素的数字视频格式。
  • 也被称为2160 p和k,UHD四倍像素作为传统的高清1080 p的视频。
  • 一个地区的半导体制造集中在减少的厚度连接形成来源排水地区先进的晶体管为了提高性能,同时保持可接受的泄漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积过程,该封装用焊料凸点将模具连接到基板。
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V

  • 一个压力低于大气环境,通常指特定的压力范围:
  • 粗真空,从大气到1x 10- 3
  • 高真空,1×10- 3托尔比1×10- 9
  • 超高真空(特高压)- 1 x 10以下- 9
  • 离子注入,设备用于固态离子源材料转化为气态的离子束生产。
  • 通过介质层的垂直路径,介质层之间形成电连接互连层。
  • 一个介于10之间的芯片,000和1,000年,单个管芯上有000个晶体管。这个词通常是扩展描述芯片的晶体管数量大于10,000.其他方面,如超大规模集成电路(ULSI)创造的,但不再广泛使用。
  • 也称为3DNAND阵列。
  • 一类闪存架构在多个二维数组的内存细胞垂直分层在单一基质(相对于叠加使用晶片级封装)。
  • VNAND是增加的一个方法钻头密度不必减小每个单个细胞的大小。
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W

  • 薄的,圆形或近方形片mono -multicrystalline制造半导体和光伏电池的硅。
  • 几种组合技术集成电路分开的在一起形成一个单一的功能器件。
  • 分裂过程中硅锭或砖到晶片。
  • 内衬由金属或石墨制成的保护性内衬,安装在波导。不需要的离子物种在这些衬垫上放弃它们的能量。
  • 精密卷绕对位涂层技术的另一个名称,在薄膜材料沉积在卷的柔性材料。
  • 去除多余的材料或污染物的过程基质之间使用液体化学过程的步骤。
  • 能够均匀地铺展在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 在硅晶片的制造中,使用移动的线执行三个关键步骤的机器。
  1. 修剪-去除单晶硅锭的锥形端
  2. 平方——把圆柱锭修剪成矩形块,或砖。在多晶晶圆制造、这个步骤用于将大铸锭切成砖。
  3. 晶圆-将砖切割成单个晶圆
  • 所有门之间的连接晶体管在存储器阵列段的特定行中。
  • 瓦特峰用于在理想辐照条件下输送的太阳能电池的电力的太阳能工业单元。
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Y

  • 产品(如的百分比。晶片或死亡)生产过程符合规范。
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